SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
FDMS86150ET100 onsemi FDMS86150ET100 6 9400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn FDMS86150 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 16a (ta), 128a (TC) 6 В, 10 В. 4,85mohm @ 16a, 10v 4 В @ 250 мк 62 NC @ 10 V ± 20 В. 4065 pf @ 50 v - 3,3 yt (ta), 187w (tc)
DMP22D5UFB4-7B Diodes Incorporated DMP22D5UFB4-7B 0,0340
RFQ
 ECAD 7931 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn DMP22 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) X2-DFN1006-3 СКАХАТА 31-DMP22D5UFB4-7B Ear99 8541.21.0095 10000 П-канал 20 400 май (таблица) 1,5 В, 4,5 В. 1,9от @ 100ma, 4,5 1В @ 250 мк 0,3 NC @ 4,5 ± 8 v 17 pf @ 15 v - 460 м
SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2323DDS-T1-GE3 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Si2323 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 5.3a (TC) 1,8 В, 4,5 В. 39mohm @ 4,1a, 4,5 1В @ 250 мк 36 NC @ 8 V ± 8 v 1160 pf @ 10 v - 960 мт (TA), 1,7 st (TC)
SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK065N60E-T1-GE3 7,6000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Виаликоеникс ЭN Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powerbsfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak®10 x 12 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 600 34a (TC) 10 В 68mohm @ 15a, 10 В 5 w @ 250 мк 72 NC @ 10 V ± 30 v 2946 pf @ 100 v - 192W (TC)
EPC7020GC EPC Space, LLC EPC7020GC 329 3500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 EPC Space, LLC egan® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 5-SMD, neTLIDERSTVA Ganfet (intrid galkina) 5-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 0000.00.0000 1 N-канал 200 80a (TC) 5в 14,5mohm @ 30a, 5v 2,5 - @ 7ma +6 В, -4. 1313 pf @ 100 v - -
MRF1K50GNR5 NXP USA Inc. MRF1K50GNR5 199.0600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 50 ШASCI OM-1230G-4L MRF1K50 1,8 мг ~ 500 лет LDMOS OM-1230G-4L СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 - 1500 Вт 23 дБ - 50
BUK9609-55A,118 NXP USA Inc. BUK9609-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 9906 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB BUK96 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 75A (TC) 4,5 В, 10. 8mohm @ 25a, 10 В 2V @ 1MA 60 NC @ 5 V ± 15 В. 4633 PF @ 25 V - 211W (TC)
IRFR13N15DTRR Infineon Technologies IRFR13N15DTRR -
RFQ
 ECAD 9913 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 150 14a (TC) 10 В 180mohm @ 8.3a, 10 В 5,5 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 30 v 620 PF @ 25 V - 86W (TC)
CPH3362-TL-W onsemi CPH3362-TL-W -
RFQ
 ECAD 9216 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH3362 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 3-кадр СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 100 700 май (таблица) 4 В, 10 В. 1,7 О МОМ @ 700MA, 10 В 2,6 В @ 1MA 3.7 NC @ 10 V ± 20 В. 142 pf @ 20 v - 1 yt (tta)
IRLR8721PBF Infineon Technologies IRLR8721PBF -
RFQ
 ECAD 8037 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 65A (TC) 4,5 В, 10. 8,4mohm @ 25a, 10 В 2,35 В @ 25 мк 13 NC @ 4,5 ± 20 В. 1030 pf @ 15 v - 65W (TC)
BUK9610-55A,118 NXP USA Inc. BUK9610-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 6033 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB BUK96 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 75A (TC) 4,5 В, 10. 9mohm @ 25a, 10 В 2V @ 1MA 68 NC @ 5 V ± 15 В. 4307 PF @ 25 V - 200 yt (tc)
SIHD6N65ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65ET1-GE3 0,7371
RFQ
 ECAD 5044 0,00000000 Виаликоеникс ЭN Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SIHD6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 650 7A (TC) 10 В 600mom @ 3a, 10 В 4 В @ 250 мк 48 NC @ 10 V ± 30 v 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
IXFP72N30X3M IXYS Ixfp72n30x3m 10.2500
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка IXFP72 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) До-220 Иолированая СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 300 72A (TC) 10 В 19mohm @ 36a, 10v 4,5 -пр. 1,5 мая 82 NC @ 10 V ± 20 В. 5400 pf @ 25 v - 36W (TC)
NDB4060L onsemi NDB4060L -
RFQ
 ECAD 7452 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NDB406 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 60 15a (TC) 5 В, 10 В. 80mohm @ 15a, 10 В 2 В @ 250 мк 17 NC @ 5 V ± 16 В. 600 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
IRFR020TR Vishay Siliconix IRFR020TR -
RFQ
 ECAD 2637 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 14a (TC) 10 В 100mohm @ 8.4a, 10 В 4 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 640 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 42 st (tc)
DMC25D0UVT-13 Diodes Incorporated DMC25D0UVT-13 0,1276
RFQ
 ECAD 5589 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DMC25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,2 Вт TSOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DMC25D0UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10000 N и п-канал 25 В, 30 В 400 май, 3,2а 4OM @ 400 мА, 4,5 В 1,5 В @ 250 мк 0,7NC @ 8V 26.2pf @ 10v -
PH4030AL,115 Nexperia USA Inc. PH4030AL, 115 -
RFQ
 ECAD 1809 0,00000000 Nexperia USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер SC-100, SOT-669 PH4030 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934063087115 Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 100a (TC) 4mohm @ 15a, 10v 2.15V @ 1MA 36,6 NC @ 10 V 2090 pf @ 12 v - -
BCP020C BeRex Inc BCP020C 11.8300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Berex Inc. - Поднос Актифен 12 Умират 6 grц ~ 18 -й Феврат Умират - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 4704-BCP020C Ear99 8541.21.0040 5 80 май 30 май 22 Дбм 14 дБ 1,05 ДБ 8в
FQA90N15 Fairchild Semiconductor FQA90N15 -
RFQ
 ECAD 2864 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 150 90A (TC) 10 В 18mohm @ 45a, 10 В 4 В @ 250 мк 285 NC @ 10 V ± 25 В 8700 pf @ 25 v - 375W (TC)
AOTF13N50L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF13N50L -
RFQ
 ECAD 3808 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Прохл -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF13 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F - DOSTISH 785-AOTF13N50L 1 N-канал 500 13a (TJ) 10 В 510mom @ 6,5a, 10 В 4,5 -50 мк 37 NC @ 10 V ± 30 v 1633 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
PMZ1200UPE315 NXP USA Inc. PMZ1200UPE315 -
RFQ
 ECAD 7241 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 10000
RZM001P02T2CL Rohm Semiconductor RZM001P02T2CL -
RFQ
 ECAD 1875 0,00000000 ROHM Semiconductor * Lenta и катахка (tr) Актифен RZM001 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RZM001P02T2CLTR Ear99 8541.21.0095 8000 -
IRLR2905Z Infineon Technologies IRLR2905Z -
RFQ
 ECAD 5368 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRLR2905Z Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 55 42a (TC) 4,5 В, 10. 13,5mohm @ 36a, 10v 3 В @ 250 мк 35 NC @ 5 V ± 16 В. 1570 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
PSMN6R3-120PS Nexperia USA Inc. PSMN6R3-120PS -
RFQ
 ECAD 1283 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PSMN6R3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 120 70A (TC) 10 В 6,7mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 207.1 NC @ 10 V ± 20 В. 11384 PF @ 60 V - 405 yt (tc)
IRF2204PBF Infineon Technologies IRF2204PBF 2.9800
RFQ
 ECAD 4179 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF2204 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 210A (TC) 10 В 3,6mohm @ 130a, 10v 4 В @ 250 мк 200 NC @ 10 V ± 20 В. 5890 PF @ 25 V - 330W (TC)
ART2K0TFESJ Ampleon USA Inc. ART2K0TFESJ 249 7650
RFQ
 ECAD 5504 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Актифен ART2K0 - 100
CPH3455-TL-H onsemi CPH3455-TL-H -
RFQ
 ECAD 1678 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH345 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 3-кадр СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 35 3a (TA) 4 В, 10 В. 104mohm @ 1,5a, 10 В - 4 NC @ 10 V ± 20 В. 186 pf @ 20 v - 1 yt (tta)
RCJ300N20TL Rohm Semiconductor RCJ300N20TL 3.2300
RFQ
 ECAD 4491 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RCJ300 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LPTS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 200 30А (TC) 10 В 80mohm @ 15a, 10 В 5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ± 30 v 3200 PF @ 25 V - 1,56 м.
PSMN4R1-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R1-30YLC, 115 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер SC-100, SOT-669 PSMN4R1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 92A (TC) 4,5 В, 10. 4,35 ммм @ 20a, 10 В 1,95 Е @ 1MA 23 NC @ 10 V ± 20 В. 1502 PF @ 15 V - 67W (TC)
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor SH8M5TB1 18500
RFQ
 ECAD 163 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SH8M5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 30 6А, 7а 30mohm @ 6a, 10 В 2,5 h @ 1ma 7.2NC @ 5V 520pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть