SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
UPA2520T1H-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2520T1H-T1-AT 0,7800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 против - Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 10А (таблица) 13.2mohm @ 10a, 10v 2,5 h @ 1ma 10,8 NC @ 5 V 1100 pf @ 15 v - 1 yt (tta)
IRLU3705Z Infineon Technologies IRLU3705Z -
RFQ
 ECAD 8514 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRLU3705Z Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 55 42a (TC) 4,5 В, 10. 8mohm @ 42a, 10 В 3 В @ 250 мк 66 NC @ 5 V ± 16 В. 2900 pf @ 25 v - 130 Вт (TC)
BSS8402DW-7 Diodes Incorporated BSS8402DW-7 -
RFQ
 ECAD 9570 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BSS8402 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N и п-канал 60 В, 50 В. 115 май, 130 7,5 ОМА @ 50MA, 5 В 2,5 -50 мк - 50pf @ 25V Logiчeskichй yrowenhe
J310G onsemi J310G -
RFQ
 ECAD 2402 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 25 В Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА J310 100 мг JFET TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH J310gos Ear99 8541.21.0095 1000 N-канал 60 май 10 май - 16 дБ - 10
IRFB31N20DPBF Infineon Technologies IRFB31N20DPBF -
RFQ
 ECAD 6839 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 200 31a (TC) 10 В 82mohm @ 18a, 10 В 5,5 В @ 250 мк 107 NC @ 10 V ± 30 v 2370 pf @ 25 v - 3,1 yt (ta), 200 st (tc)
IXTQ96N25T IXYS IXTQ96N25T 5.8970
RFQ
 ECAD 4048 0,00000000 Ixys Поящный Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ96 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 250 96A (TC) 10 В 29mohm @ 500ma, 10 В 5V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 30 v 6100 pf @ 25 v - 625W (TC)
RCJ300N20TL Rohm Semiconductor RCJ300N20TL 3.2300
RFQ
 ECAD 4491 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RCJ300 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LPTS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 200 30А (TC) 10 В 80mohm @ 15a, 10 В 5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ± 30 v 3200 PF @ 25 V - 1,56 м.
R6076MNZ1C9 Rohm Semiconductor R6076MNZ1C9 -
RFQ
 ECAD 2188 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 R6076 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 N-канал 600 76A (TC) 10 В 55mohm @ 38a, 10 В 5V @ 1MA 115 NC @ 10 V ± 30 v 7000 pf @ 25 v - 740 yt (tc)
IRL3715S Infineon Technologies IRL3715S -
RFQ
 ECAD 2214 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRL3715S Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 20 54a (TC) 4,5 В, 10. 14mohm @ 26a, 10v 3 В @ 250 мк 17 NC @ 4,5 ± 20 В. 1060 pf @ 10 v - 3,8 yt (ta), 71 st (tc)
DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4004SPS-13 1.2500
RFQ
 ECAD 5988 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn DMTH4004 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerDI5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 31a (TA), 100a (TC) 10 В 2,7MOM @ 90A, 10V 4 В @ 250 мк 68,6 NC @ 10 V ± 20 В. 4305 PF @ 25 V - 3,6 yt (ta), 167w (TC)
SI2305BHE3-TP Micro Commercial Co SI2305BHE3-TP 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2305 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 4.2a 1,8 В, 4,5 В. 60mohm @ 2,7a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 10,98 NC @ 4,5 ± 10 В. 1010 pf @ 10 v - 1,4 м
G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3 0,6100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (315x3,05) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 П-канал 30 16a (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 10a, 10 В 2,5 -50 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 1995 PF @ 15 V - 3W (TC)
IXFK120N20P IXYS Ixfk120n20p 13.4900
RFQ
 ECAD 4550 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA IXFK120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-264AA (IXFK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 200 120A (TC) 10 В 22mohm @ 500ma, 10 В 5V @ 4MA 152 NC @ 10 V ± 20 В. 6000 pf @ 25 v - 714W (TC)
MCG53N06A-TP Micro Commercial Co MCG53N06A-TP 0,9500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN MCG53N06 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN3333 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 53а 4,5 В, 10. 8,2mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 34 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 PF @ 35 V - 45 Вт
IRF3205STRLPBF International Rectifier IRF3205strlpbf -
RFQ
 ECAD 3175 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 55 110A (TC) 10 В 8mohm @ 62a, 10v 4 В @ 250 мк 146 NC @ 10 V ± 20 В. 3247 PF @ 25 V - 200 yt (tc)
SIHP25N40D-GE3 Vishay Siliconix SIHP25N40D-GE3 3.0600
RFQ
 ECAD 417 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SIHP25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) SIHP25N40DGE3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 400 25a (TC) 10 В 170mohm @ 13a, 10 В 5 w @ 250 мк 88 NC @ 10 V ± 30 v 1707 pf @ 100 v - 278W (TC)
FDD6690A onsemi FDD6690A 1.1200
RFQ
 ECAD 7428 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FDD6690 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 12A (TA), 46A (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 12a, 10v 3 В @ 250 мк 18 NC @ 5 V ± 20 В. 1230 PF @ 15 V - 3,3 yt (ta), 56 yt (tc)
ZXM62N03GTA Diodes Incorporated ZXM62N03GTA -
RFQ
 ECAD 2818 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 30 3.4a (ta), 4.7a (TC) 4,5 В, 10. 110mohm @ 2,2a, 10 В 1В @ 250 мк 9,6 NC @ 10 V ± 20 В. 380 pf @ 25 v - 2W (TA)
AONS32306 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aons32306 0,3420
RFQ
 ECAD 4359 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina Aons323 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AONS32306TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 36a (TC) 4,5 В, 10. 3,6MOM @ 20A, 10 В 2.1 h @ 250 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 4080 pf @ 15 v - 6,2 yt (ta), 50 yt (tc)
DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated DMP6350SQ-7 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP6350 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 60 1.5a (TA) 4,5 В, 10. 350MOHM @ 900MA, 10 В 3 В @ 250 мк 4.1 NC @ 10 V ± 20 В. 206 pf @ 30 v - 720 м
AOTF286L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF286L 2.0600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF286 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-1727-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 13.5a (TA), 56a (TC) 6 В, 10 В. 6mohm @ 20a, 10v 3,3 В @ 250 мк 63 NC @ 10 V ± 20 В. 3142 PF @ 40 V - 2,2 Вт (TA), 37,5 th (TC)
UPA2811T1L-E1-AY Renesas Electronics America Inc Upa2811t1l-e1-ay 0,7300
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000
IXTH1N200P3HV IXYS IXTH1N200P3HV 9.4100
RFQ
 ECAD 3642 0,00000000 Ixys Polairnый p3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ Ixth1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247HV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 2000 г. 1a (TC) 10 В 40om @ 500 мА, 10 В 4 В @ 250 мк 23,5 NC @ 10 V ± 20 В. 646 PF @ 25 V - 125W (TC)
IXTV60N30T IXYS Ixtv60n30t -
RFQ
 ECAD 9477 0,00000000 Ixys Поящный Трубка Актифен - Чereз dыru До 220-3, коротка IXTV60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Plus220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 300 60a (TC) - - - -
SIJ400DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ400DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8880 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 Sij400 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 32A (TC) 4,5 В, 10. 4mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 150 NC @ 10 V ± 20 В. 7765 PF @ 15 V - 5W (TA), 69,4W (TC)
BSS84W-G Comchip Technology BSS84W-G 0,1040
RFQ
 ECAD 8346 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BSS84 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-323 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-BSS84W-GTR Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 50 130 мам (таблица) 5в 10OM @ 100ma, 5 В 2V @ 1MA ± 20 В. 45 pf @ 25 v - 200 мт (таблица)
IGN1214M300 Integra Technologies Inc. IGN1214M300 933.3300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Integra Technologies Inc. * Поднос Актифен IGN1214 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2251-IGN1214M300 Ear99 8541.29.0075 5
NTMFD4952NFT1G onsemi NTMFD4952NFT1G -
RFQ
 ECAD 4300 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер 8-Powertdfn NTMFD4952 - 8-dfn (5x6) dvoйnoйflag (so8fl-dvoйnый-asimmeTriчnый) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 - - - - - -
IRF3709PBF Infineon Technologies IRF3709PBF -
RFQ
 ECAD 8735 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 30 90A (TC) 4,5 В, 10. 9mohm @ 15a, 10v 3 В @ 250 мк 41 NC @ 5 V ± 20 В. 2672 pf @ 16 v - 3,1 Вт (ТА), 120 Вт (TC)
BCP020C BeRex Inc BCP020C 11.8300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Berex Inc. - Поднос Актифен 12 Умират 6 grц ~ 18 -й Феврат Умират - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 4704-BCP020C Ear99 8541.21.0040 5 80 май 30 май 22 Дбм 14 дБ 1,05 ДБ 8в
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть