SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
CMPDM7002AHC TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPDM7002AHC TR PBFREE 0,6600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPDM7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 1a (ta) 5 В, 10 В. 220MOHM @ 500MA, 10 В 2,3 В @ 250 мк 2.3 NC @ 4,5 20 240 pf @ 25 v - 350 мт (таблица)
ISP06P008NXTSA1 Infineon Technologies ISP06P008NXTSA1 -
RFQ
 ECAD 9289 0,00000000 Infineon Technologies * Lenta и катахка (tr) Управо ISP06P - 1 (neograniчennnый) Додер SP001727910 Управо 0000.00.0000 1000
MRF21030LR3 Freescale Semiconductor MRF21030LR3 49.0300
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-400 MRF21 2,14 -е LDMOS Ni-400 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 250 - 250 май 30 st 13 дБ - 28
IXTT500N04T2 IXYS IXTT500N04T2 13.5933
RFQ
 ECAD 1432 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixtt500 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 40 500A (TC) 10 В 1,6mohm @ 100a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 405 NC @ 10 V ± 20 В. 25000 pf @ 25 v - 1000 st (TC)
NTP75N06L onsemi NTP75N06L -
RFQ
 ECAD 2124 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 NTP75N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер NTP75N06LOS Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 75A (TA) 5в 11mohm @ 37.5a, 5V 2 В @ 250 мк 92 NC @ 5 V ± 20 В. 4370 PF @ 25 V - 2.4W (TA), 214W (TJ)
DMT3006LDV-13 Diodes Incorporated DMT3006LDV-13 0,2545
RFQ
 ECAD 7246 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMT3006 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 900 м Powerdi3333-8 (ВВС СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 0000.00.0000 3000 2 n-канал (Дзонано) 30 25a (TC) 10mohm @ 9a, 10 В 3 В @ 250 мк 16.7nc @ 10V 1155pf @ 15v -
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (Q) -
RFQ
 ECAD 1323 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SK4016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 13a (TA) 10 В 500mohm @ 6,5a, 10 В 4 В @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 30 v 3100 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R600P7SAUMA1 0,9800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ P7 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Додер Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 700 8.5a (TC) 10 В 600mhom @ 1,8a, 10 В 3,5 В @ 90 мк 10,5 NC @ 10 V ± 16 В. 364 PF @ 400 - 43 Вт (TC)
NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi Ntljs3d0n02p8ztag 0,8800
RFQ
 ECAD 4123 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-powerwdfn Ntljs3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-pqfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 12.1a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 3,8mohm @ 10a, 4,5 1,2- 250 мк 21 NC @ 4,5 ± 12 В. 2165 PF @ 10 V - 860 м. (TA)
IXFH52N50P2 IXYS IXFH52N50P2 12.2000
RFQ
 ECAD 7488 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXFH52 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 500 52a (TC) 10 В 120mohm @ 26a, 10v 4,5 Е @ 4MA 113 NC @ 10 V ± 30 v 6800 pf @ 25 v - 960 yt (TC)
AUIRF1404S Infineon Technologies AUIRF1404S -
RFQ
 ECAD 4813 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер SP001522616 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 75A (TC) 10 В 4mohm @ 95a, 10v 4 В @ 250 мк 200 NC @ 10 V ± 20 В. 7360 PF @ 25 V - 3,8 Вт (TA), 200 st (TC)
AO7401L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7401L -
RFQ
 ECAD 9819 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 AO740 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-70-3 - 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 30 1.2a (TA) 2,5 В, 10 В. 150mohm @ 1,2a, 10 В 1,4 В @ 250 мк 5,06 NC @ 4,5 ± 12 В. 409 pf @ 15 v - 350 мт (таблица)
SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3 0,5900
RFQ
 ECAD 133 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 SIS412 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 12a (TC) 4,5 В, 10. 24mohm @ 7,8a, 10 В 2,5 -50 мк 12 NC @ 10 V ± 20 В. 435 PF @ 15 V - 3,2 yt (ta), 15,6 yt (tc)
ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TA 0,8300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 ZXMN6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 2.8a (TA) 4,5 В, 10. 80mohm @ 4.8a, 10 В 1В @ 250 мк 5,8 NC @ 10 V ± 20 В. 459 pf @ 40 v - 1,1 yt (tat)
DMP2035UVT-7 Diodes Incorporated DMP2035UVT-7 0,4900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DMP2035 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TSOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 6a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 35mohm @ 4a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 23,1 NC @ 4,5 ± 12 В. 2400 pf @ 10 v - 1,2 yt (tat)
IXTA90N15T IXYS Ixta90n15t -
RFQ
 ECAD 5124 0,00000000 Ixys Поящный Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXTA90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-263AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 150 90A (TC) 10 В 20mohm @ 45a, 10 В 4,5 Е @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 30 v 4100 pf @ 25 v - 455W (TC)
SLA5059 Sanken SLA5059 -
RFQ
 ECAD 4751 0,00000000 САНКЕН - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 12-sip-sphynnannamnamnamnamnamnamnamnav SLA50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5 Вт 12-sip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SLA5059 DK Ear99 8541.29.0095 180 3 n и 3 p-каанал (3-фехан-мост) 60 4 а 550MOHM @ 2A, 4V 2 В @ 250 мк - 150pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
PD57018 STMicroelectronics PD57018 -
RFQ
 ECAD 5466 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 65 PowerSo-10 oTkrыto onhyжne PD57018 945 мг LDMOS 10-Powerso СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Додер Ear99 8541.29.0095 50 2.5A 100 май 18w 16,5db - 28
STP70NF03L STMicroelectronics STP70NF03L -
RFQ
 ECAD 2364 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 70A (TC) 5 В, 10 В. 9,5mohm @ 35a, 10v 1В @ 250 мк 30 NC @ 5 V ± 18 v 1440 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
RQ5E035BNTCL Rohm Semiconductor RQ5E035BNTCL 0,4900
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 RQ5E035 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TSMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 3.5a (TA) 4,5 В, 10. 37mohm @ 3,5a, 10 В 2,5 h @ 1ma 6 NC @ 10 V ± 20 В. 250 pf @ 15 v - 1 yt (tta)
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies IGOT60R070D1AUMA1 -
RFQ
 ECAD 6771 0,00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 20-psevdonana (0,433 ", ширина 11,00 мм) IGOT60 Ganfet (intrid galkina) PG-DSO-20-87 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Додер Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 600 31a (TC) - - 1,6 В @ 2,6 мая -10 380 pf @ 400 - 125W (TC)
IRF730STRL Vishay Siliconix IRF730strl -
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF730 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 400 5.5a (TC) 10 В 1om @ 3,3а, 10 В 4 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 20 В. 700 pf @ 25 v - 3,1 (TA), 74W (TC)
NDS356P onsemi NDS356P -
RFQ
 ECAD 1017 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NDS356 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 1.1a (TA) 4,5 В, 10. 210mohm @ 1,3a, 10 В 2,5 -50 мк 5 NC @ 5 V ± 12 В. 180 pf @ 10 v - 500 мг (таблица)
IXTY32P05T-TRL IXYS Ixty32p05t-trl 1.8090
RFQ
 ECAD 8978 0,00000000 Ixys Renchp ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Ixty32 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA - Rohs3 Додер 238-IXTY32P05T-TRLTR Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 50 32A (TC) 10 В 39mohm @ 16a, 10v 4,5 -50 мк 46 NC @ 10 V ± 15 В. 1975 PF @ 25 V - 83W (TC)
JANTXV2N6782U Microsemi Corporation Jantxv2n6782u -
RFQ
 ECAD 9803 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/556 МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 18-CLCC МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 18-ulcc (9.14x7.49) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 3.5a (TC) 10 В 610mohm @ 3,5a, 10 4 В @ 250 мк 8.1 NC @ 10 V ± 20 В. - 800 мт (TA), 15 st (TC)
VEC2303-TL-E onsemi VEC2303-TL-E 0,2500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
SSF3051G7 Good-Ark Semiconductor SSF3051G7 0,4400
RFQ
 ECAD 8172 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOT-23-6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0080 3000 П-канал 30 4.4a 4,5 В, 10. 48mohm @ 4,4a, 10 В 3 В @ 250 мк 7.1 NC @ 5 V ± 25 В 520 PF @ 15 V - 1,7
PN4416_D27Z onsemi PN4416_D27Z -
RFQ
 ECAD 8843 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 30 Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN441 400 мг JFET ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 2000 N-канал - - - 4 дБ
PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80ys, 115 1.1200
RFQ
 ECAD 5234 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PSMN013 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 80 60a (TC) 10 В 12,9mohm @ 15a, 10 В 4 В @ 1MA 37 NC @ 10 V ± 20 В. 2420 PF @ 40 V - 106W (TC)
IXFA130N10T2 IXYS IXFA130N10T2 5.6500
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXFA130 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-263AA (IXFA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 130a (TC) 10 В 9.1mohm @ 65a, 10v 4,5 Е @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 20 В. 6600 pf @ 25 v - 360 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть