SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - oцenca Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
J309 onsemi J309 -
RFQ
 ECAD 9646 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 25 В Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА J309 100 мг JFET TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 30 май 10 май - 16 дБ - 10
NTMFSC2D9N08H onsemi NTMFSC2D9N08H 3.2300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6.15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 80 23a (TA), 154a (TC) 6 В, 10 В. 2,9mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 68 NC @ 10 V ± 20 В. 4380 pf @ 40 v - 3,8 yt (ta), 166w (TC)
QH8MB5TCR Rohm Semiconductor QH8MB5TCR 0,9600
RFQ
 ECAD 2245 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. QH8MB5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,1 yt (tat) TSMT8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N и п-канал 40 4.5a (ta), 5a (ta) 44MOM @ 4,5A, 10V, 41MOM @ 5A, 10V 2,5 h @ 1ma 3,5NC @ 10V, 17.2nc @ 10V 150pf @ 20v, 920pf @ 20v -
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L (T6L1, NQ) 1.2600
RFQ
 ECAD 9068 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TJ8S06 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK+ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 П-канал 60 8a (TA) 6 В, 10 В. 104mohm @ 4a, 10v 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10, -20v 890 pf @ 10 v - 27W (TC)
DMP510DLW-7 Diodes Incorporated DMP510DLW-7 0,0423
RFQ
 ECAD 1398 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 DMP510 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 50 174ma (TA) ± 20 В. 10OM @ 100ma, 5 В 2V @ 1MA 0,56 nc pri 10в ± 20 В. 24,6 PF @ 25 V - 320 м
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4840Dy-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5992 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4840 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 10А (таблица) 4,5 В, 10. 9mohm @ 14a, 10 В 3 В @ 250 мк 28 NC @ 5 V ± 20 В. - 1,56 мкт (таблица)
PMPB50ENEX Nexperia USA Inc. PMPB50EX 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka PMPB50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020MD-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 6.9a (TA) 4,5 В, 10. 43mohm @ 5.1a, 10 В 2,5 -50 мк 10 NC @ 10 V ± 20 В. 271 PF @ 15 V - 1,9 м
SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4503 0,00000000 Виаликоеникс - Веса Управо Пефер PowerPak® 1212-8 Dual SI7501 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,6 PowerPak® 1212-8 Dual СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N и п-канал 30 5.4a, 4.5a 35mohm @ 7,7a, 10 В 3 В @ 250 мк 14NC @ 10V - Logiчeskichй yrowenhe
MRF282SR1 NXP USA Inc. MRF282SR1 -
RFQ
 ECAD 3525 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI Ni-200s MRF28 2 гер LDMOS Ni-200s СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 500 - 75 май 10 st 11,5db - 26
SI2102AHE3-TP Micro Commercial Co SI2102AHE3-TP 0,0554
RFQ
 ECAD 5670 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-70, SOT-323 SI2102 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-323 СКАХАТА 353-SI2102AHE3-TP Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 20 2а (тат) 2,5 В, 4,5 В. 80mohm @ 2,5a, 4,5 1,1 В @ 250 мк 3.2 NC @ 10 V ± 10 В. 210 pf @ 10 v - 350 м
2SK3813-Z-AZ Renesas 2SK3813-Z-AZ -
RFQ
 ECAD 7024 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо 150 ° С Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) MP-3 СКАХАТА Rohs DOSTISH 2156-2SK3813-Z-AZ Ear99 8541.29.0075 1 N-канал 40 60a (TC) 4,5 В, 10. 5,3 мома @ 30a, 10 2,5 h @ 1ma 96 NC @ 10 V ± 20 В. 5500 PF @ 10 V - 1 yt (ta), 84w (TC)
FCP260N60E onsemi FCP260N60E 3.2300
RFQ
 ECAD 191 0,00000000 OnSemi Superfet® II Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FCP260 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 15a (TC) 10 В 260mohm @ 7,5a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 62 NC @ 10 V ± 20 В. 2500 PF @ 25 V - 156 Вт (ТС)
BUK7907-55ATE,127 Nexperia USA Inc. Buk7907-55ate, 127 -
RFQ
 ECAD 3322 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 75A (TC) 10 В 7mohm @ 50a, 10v 4 В @ 1MA 116 NC @ 10 V ± 20 В. 4500 pf @ 25 v ТЕМПЕРАТУРНА 272W (TC)
SQJ848EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ848EP-T1_GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 3110 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SQJ848 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 47a (TC) 4,5 В, 10. 7,5mohm @ 10,3a, 10 a 2,5 -50 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 2500 pf @ 20 v - 68 Вт (TC)
SIHU7N60E-E3 Vishay Siliconix Sihu7n60e-e3 0,9441
RFQ
 ECAD 1371 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Sihu7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251ааа СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 600 7A (TC) 10 В 600mhom @ 3,5a, 10 4 В @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 30 v 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L, eff 1.3700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 14-SMD, neTLIDERSTVA SSM14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,33 - TCSPED-302701 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 10000 2 n-канал 12 20А (тат) 1,35mohm @ 10a, 4,5 1,4 Е @ 1,57 Ма 76NC @ 4V - -
SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4122DY-T1-GE3 2.3500
RFQ
 ECAD 9977 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4122 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 27.2a (TC) 4,5 В, 10. 4,5mohm @ 15a, 10 В 2,5 -50 мк 95 NC @ 10 V ± 25 В 4200 pf @ 20 v - 3W (TA), 6W (TC)
STP10N95K5 STMicroelectronics STP10N95K5 3.4000
RFQ
 ECAD 124 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 950 8a (TC) 10 В 800mohm @ 4a, 10v 5 w @ 100 мк 22 NC @ 10 V ± 30 v 630 pf @ 100 v - 130 Вт (TC)
NTMFS5H419NLT1G onsemi NTMFS5H419NLT1G 1.5900
RFQ
 ECAD 979 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 29a (ta), 155a (TC) 4,5 В, 10. 2,1mom @ 20a, 10v 2 В @ 250 мк 45 NC @ 10 V ± 20 В. 2900 pf @ 20 v - 3,1 Вт (ТА), 89 Вт (TC)
NVMFS5C423NLAFT3G onsemi NVMFS5C423NLAFT3G 0,7943
RFQ
 ECAD 5187 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NVMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 40 31a (TA), 150a (TC) 4,5 В, 10. 2mohm @ 50a, 10 В 2 В @ 250 мк 50 NC @ 10 V ± 20 В. 3100 pf @ 20 v - 3,7 yt (ta), 83 yt (tc)
64-2092PBF Infineon Technologies 64-2092PBF -
RFQ
 ECAD 3805 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF3205 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 75A (TC) 10 В 6,5mohm @ 66a, 10v 4 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 3450 pf @ 25 v - 170 Вт (TC)
IRLI530NPBF Infineon Technologies Irili530npbf -
RFQ
 ECAD 6365 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220AB Full-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 12a (TC) 4 В, 10 В. 100mohm @ 9a, 10 В 2 В @ 250 мк 34 NC @ 5 V ± 16 В. 800 pf @ 25 v - 41 Вт (TC)
MCM1216-TP Micro Commercial Co MCM1216-TP -
RFQ
 ECAD 6724 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o MCM1216 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020-6J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 16a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 21mohm @ 6,7a, 4,5 1В @ 250 мк 100 NC @ 8 V ± 8 v 2700 pf @ 10 v - 2,5 yt (ta), 18 yt (tc)
FDZ7296 Fairchild Semiconductor FDZ7296 0,7200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 18-WFBGA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 18-BGA (2,5x4) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 8,5mohm @ 11a, 10v 3 В @ 250 мк 31 NC @ 10 V ± 20 В. 1520 PF @ 15 V - 2,1 yt (tat)
SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH536DN-T1-GE3 0,6400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen V. Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8SH МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8SH СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 24.7a (ta), 67.4a (TC) 4,5 В, 10. 3,25mohm @ 10a, 10v 2,2 pri 250 мк 25 NC @ 10 V +16 В, -12 В. 1150 pf @ 15 v - 3,57 Вт (ТА), 26,5 th (TC)
SI2392ADS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-BE3 0,5400
RFQ
 ECAD 2716 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SI2392ADS-T1-BE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 2.2a (TA), 3.1a (TC) 4,5 В, 10. 126mohm @ 2a, 10 В 3 В @ 250 мк 10,4 NC @ 10 V ± 20 В. 196 pf @ 50 v - 1,25 мкт (ТА), 2,5 st (TC)
IRF9956TRPBF Infineon Technologies IRF9956TRPBF 0,7800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF995 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 2 n-канал (Дзонано) 30 3.5a 100mohm @ 2,2a, 10 В 1В @ 250 мк 14NC @ 10V 190pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
IRFU420PBF Vishay Siliconix IRFU420PBF 1.3400
RFQ
 ECAD 9016 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Irfu420 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251ааа СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *Irfu420pbf Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 500 2.4a (TC) 10 В 3OM @ 1,4a, 10 ЕС 4 В @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 20 В. 360 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 42 st (tc)
SIHG25N60EFL-GE3 Vishay Siliconix SIHG25N60EFL-GE3 5.1900
RFQ
 ECAD 2092 0,00000000 Виаликоеникс ЭN Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SIHG25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 600 25a (TC) 10 В 146mohm @ 12.5a, 10v 5 w @ 250 мк 75 NC @ 10 V ± 30 v 2274 pf @ 100 v - 250 yt (TC)
DMG1012TQ-7-52 Diodes Incorporated DMG1012TQ-7-52 0,0511
RFQ
 ECAD 3803 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 DMG1012 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-523 СКАХАТА 31-DMG1012TQ-7-52 Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 630 май (таблица) 1,8 В, 4,5 В. 400mohm @ 600ma, 4,5 1В @ 250 мк 0,737 NC @ 4,5 ± 6 v 60,67 pf @ 16 v - 280 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть