SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
RFF70N06/3 Harris Corporation RFF70N06/3 51.7600
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен RFF70 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 -
AUIRFU4292 Infineon Technologies Auirfu4292 -
RFQ
 ECAD 3161 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001519718 Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 250 9.3a (TC) 10 В 345mohm @ 5.6a, 10v 5 w @ 50 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 705 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
APT43F60B2 Microchip Technology Apt43f60b2 11.1200
RFQ
 ECAD 1909 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 8 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ APT43F60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) T-Max ™ [B2] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 45A (TC) 10 В 150mohm @ 21a, 10 В 5 w @ 2,5 мая 215 NC @ 10 V ± 30 v 8590 PF @ 25 V - 780 yt (tc)
PSMN4R0-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN4R0-25YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 8436 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PSMN4 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1500
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид SSM6L12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 м UF6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N и п-канал 30 В, 20 В. 500 май (таблица) 145mohm @ 500ma, 4,5 -n, 260mom @ 250ma, 4V 1,1 - @ 100 мк - 245pf @ 10v, 218pf @ 10v -
SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR846ADP-T1-GE3 2.2600
RFQ
 ECAD 6980 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SIR846 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 60a (TC) 6 В, 10 В. 7,8mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 66 NC @ 10 V ± 20 В. 2350 pf @ 50 v - 5,4 yt (ta), 83 yt (tc)
DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2022UFDF-7 0,4600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka DMN2022 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) U-DFN2020-6 (Typ F) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 7.9A (TA) 1,5 В, 4,5 В. 22mohm @ 4a, 4,5 1В @ 250 мк 18 NC @ 8 V ± 8 v 907 PF @ 10 V - 660 м
SIL2301-TP Micro Commercial Co SIL2301-TP 0,4400
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 SIL2301 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 350 м SOT-23-6L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 2.3a 90mohm @ 2,5a, 4,5 1В @ 250 мк 10NC @ 4,5 405pf @ 10 a. -
RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor RQ3E150BNTB 0,6600
RFQ
 ECAD 5410 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn RQ3E150 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-HSMT (3,2x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 15a (TA) 4,5 В, 10. 5,3 мома @ 15a, 10 2,5 h @ 1ma 45 NC @ 10 V ± 20 В. 3000 pf @ 15 v - 2W (TA)
SI3451DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3451DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2430 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3451 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 2.8a (TC) 2,5 В, 4,5 В. 115mohm @ 2,6a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 5.1 NC @ 5 V ± 12 В. 250 pf @ 10 v - 1,25 мкт (ТА), 2,1 st (TC)
IXFH26N65X3 IXYS Ixfh26n65x3 6.5773
RFQ
 ECAD 5635 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен IXFH26 - 238-IXFH26N65x3 30
AON6358 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6358 0,9100
RFQ
 ECAD 5363 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina AON63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 42A (TA), 85A (TC) 4,5 В, 10. 2,2mohm @ 20a, 10 В 2,2 pri 250 мк 47 NC @ 10 V ± 20 В. 2200 pf @ 15 v - 6,2 yt (ta), 48 yt (tc)
SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 312 мт (TC) SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0080 3000 N и п-канал 20 800 май (TC), 400 май (TC) 300mom @ 500ma, 4,5 -v, 600 -май 1В @ 250 мк 2NC @ 4,5 75pf @ 10v, 78pf @ 10v Станода
CSD87330Q3D Texas Instruments CSD87330Q3D 1.5600
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Тел Nexfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powerldfn CSD87330 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6 Вт 8-Lson (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 2 н-канала 30 20 часов - 2.1 h @ 250 мк 5,8 нк @ 4,5 900pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
MRF6S19120HR5 NXP USA Inc. MRF6S19120HR5 -
RFQ
 ECAD 1798 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 68 В ШASCI SOT-957A MRF6 1,99 -е LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 - 1 а 19w 15 дБ - 28
NDC7002N UMW NDC7002N 0,4100
RFQ
 ECAD 8309 0,00000000 Герметихан Герметихан Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 NDC7002 - 700 мт (таблица) SOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 510MA (TA) 2OM @ 510MA, 10 В 2,5 -50 мк 1nc @ 10v 20pf @ 25 В. Станода
BLC9H10XS-60PY Ampleon USA Inc. BLC9H10XS-60PY 47.9100
RFQ
 ECAD 3702 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен - BLC9 - - - СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 934960104518 Ear99 8541.29.0075 100 - - - - -
IRFS4010TRL7PP Infineon Technologies IRFS4010TRL7PP 3.9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 голов + TAB), DO-263CB IRFS4010 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 190a (TC) 10 В 4mohm @ 110a, 10v 4 В @ 250 мк 230 NC @ 10 V ± 20 В. 9830 pf @ 50 v - 380 Вт (TC)
FDI038AN06A0 onsemi FDI038AN06A0 -
RFQ
 ECAD 5351 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA FDI038 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 60 17a (ta), 80a (TC) 6 В, 10 В. 3,8mohm @ 80a, 10 В 4 В @ 250 мк 124 NC @ 10 V ± 20 В. 6400 pf @ 25 v - 310W (TC)
PJL9801_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9801_R2_00001 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PJL9801 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W (TA) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJL9801_R2_00001DKR Ear99 8541.29.0095 2500 2 P-KANOL (DVOйNOй) 30 5а (таблица) 54mohm @ 5a, 10 В 1,3 Е @ 250 мк 9.1NC @ 4,5 816pf @ 15v -
DMP3036SFV-7 Diodes Incorporated DMP3036SFV-7 0,2035
RFQ
 ECAD 2702 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMP3036 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 П-канал 30 30А (ТА) 5 В, 10 В. 20mohm @ 8a, 10v 2,5 -50 мк 16,5 NC @ 10 V ± 25 В 1931 PF @ 15 V - 2,3
NP70N10KUF-E2-AY Renesas Electronics America Inc Np70n10kuf-e2-ay -
RFQ
 ECAD 2226 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 Продан Управо 0000.00.0000 3000 70A (TC)
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 5591 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-Mosiv Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6011 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) VS-6 (2,9x2,8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 6a (TA) 4,5 В, 10. 20mohm @ 3a, 10 В 2,5 h @ 1ma 14 NC @ 10 V ± 20 В. 640 pf @ 10 v - 700 мт (таблица)
SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N65E-GE3 8.0800
RFQ
 ECAD 5833 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SIHG47 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 650 47a (TC) 10 В 72mohm @ 24a, 10 В 4 В @ 250 мк 273 NC @ 10 V ± 30 v 5682 pf @ 100 v - 417W (TC)
IXTQ200N085T IXYS IXTQ200N085T -
RFQ
 ECAD 3390 0,00000000 Ixys Trenchmv ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ200 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 85 200a (TC) 10 В 5mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 250 мк 152 NC @ 10 V ± 20 В. 7600 pf @ 25 v - 480 yt (tc)
IRFP251 Harris Corporation IRFP251 1.8700
RFQ
 ECAD 265 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 150 33a (TC) 10 В 85mohm @ 17a, 10 В 4 В @ 250 мк 120 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 PF @ 25 V - 180 Вт (ТС)
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies BSS159NH6906XTSA1 0,7800
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS159 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 230 май (таблица) 0, 10 В. 3,5OM @ 160 мА, 10 В 2,4 - @ 26 мка 2.9 NC @ 5 V ± 20 В. 44 PF @ 25 V Rershymicehenipe 360 м
SIA436DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA436DJ-T4-GE3 0,2467
RFQ
 ECAD 2153 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SC-70-6 SIA436 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 742-SIA436DJ-T4-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 8в 12a (TC) 1,2 В, 4,5 В. 9.4mohm @ 15.7a, 4,5 800 мВ @ 250 мк 25,2 NC @ 5 V ± 5 В. 1508 PF @ 4 V - 3,5 yt (ta), 19 st (tc)
RF1S17N06L Harris Corporation RF1S17N06L 0,6700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен RF1S - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 -
MCAC50P03-TP Micro Commercial Co MCAC50P03-TP -
RFQ
 ECAD 1328 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn MCAC50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN5060 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-MCAC50P03-TPTR 5000 П-канал 30 50 часов 4,5 В, 10. 6,2mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 107 NC @ 10 V ± 20 В. 7394 PF @ 15 V - 45 Вт
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть