SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
BLF7G27LS-90P,112 NXP USA Inc. BLF7G27LS-90P, 112 70.2800
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 NXP USA Inc. - Трубка Актифен 65 SOT-1121B BLF7G27 2,5 -е ~ 2,7 -е. LDMOS Лд СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 1 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК 18:00 720 май 16 Вт 18,5db - 28
BLF8G19LS-170BV Ampleon USA Inc. BLF8G19LS-170BV -
RFQ
 ECAD 6364 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-1120b 1,8 Гер LDMOS Лд СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 60 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК 4,5 мка 1,3 а 170 Вт 18 дБ - 32
SI3407-TP Micro Commercial Co SI3407-TP 0,4100
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI3407 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 30 4.1a (TA) 10 В 87mohm @ 2,9a, 4,5 3 В @ 250 мк ± 20 В. 700 pf @ 15 v - 1,3
CAR600M12HN6 Wolfspeed, Inc. CAR600M12HN6 2.0000
RFQ
 ECAD 8176 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул CAR600 Карбид Кремния (sic) 50 м Модул СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8541.21.0095 1 2 н-канала 1200 В (1,2 К.) 908a (TC) - - - 45300PF @ 0V -
TSM042N03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS 0,8059
RFQ
 ECAD 8384 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TSM042 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM042N03CSTR Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 30А (TC) 4,5 В, 10. 4,2 мома @ 12a, 10 2,5 -50 мк 24 NC @ 4,5 ± 20 В. 2200 pf @ 25 v - 7W (TC)
PHB11N06LT,118 NXP USA Inc. PHB11N06LT, 118 -
RFQ
 ECAD 5900 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB PHB11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 10.3a (TC) 5 В, 10 В. 130mohm @ 5,5a, 10 В 2V @ 1MA 5.2 NC @ 5 V ± 15 В. 330 pf @ 25 v - 33 Вт (TC)
PHD18NQ10T,118 NXP USA Inc. PhD18NQ10T, 118 -
RFQ
 ECAD 5266 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PhD18 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934055700118 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 18а (TC) 10 В 90mohm @ 9a, 10v 4 В @ 1MA 21 NC @ 10 V ± 20 В. 633 PF @ 25 V - 79 Вт (ТС)
CLF1G0035-100PU Ampleon USA Inc. CLF1G0035-100PU -
RFQ
 ECAD 4321 0,00000000 Ampleon USA Inc. - МАССА Пркрэно 150 ШASCI SOT-1228A CLF1G0035 3 гер Ghanemet Лд СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 - 100 май 100 y 14 дБ - 50
CP773-CMPDM302PH-CT Central Semiconductor Corp CP773-CMPDM302PH-CT -
RFQ
 ECAD 5995 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0040 1 П-канал 30 2.4a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 91mohm @ 1,2а, 4,5 1,4 В @ 250 мк 9,6 NC @ 5 V 12 800 pf @ 10 v - -
IRF8252TRPBF Infineon Technologies IRF8252TRPBF -
RFQ
 ECAD 9720 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 25 В 25a (TA) 4,5 В, 10. 2,7mohm @ 25a, 10 В 2,35 -псы 100 мк 53 NC @ 4,5 ± 20 В. 5305 PF @ 13 V - 2,5 yt (tat)
MCH3321-TL-E onsemi MCH3321-TL-E -
RFQ
 ECAD 2942 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
FTD2017A-TL-E onsemi FTD2017A-TL-E -
RFQ
 ECAD 3521 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI765888ADP-T1-GE3 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SI7658 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 60a (TC) 4,5 В, 10. 2,2mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 4590 PF @ 15 V - 5,4 yt (ta), 83 yt (tc)
BUK7608-40B,118 NXP USA Inc. BUK7608-40B, 118 0,7600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BUK76 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C, S1F 30.4100
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен 175 ° С Чereз dыru 247-4 Sic (kremnievый karbid -pereхodnnыйtranhystor) До-247-4L (x) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 60a (TC) 18В 41mohm @ 30a, 18v 5 w @ 13 мая 82 NC @ 18 V +25, -10. 2925 PF @ 800 - 249 Вт (ТС)
SPD30N03S2L-10 Infineon Technologies SPD30N03S2L-10 -
RFQ
 ECAD 9300 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SPD30N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-11 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 30А (TC) 4,5 В, 10. 10mohm @ 30a, 10 В 2 w @ 50 мк 41,8 NC @ 10 V ± 20 В. 1550 pf @ 25 v - 100 yt (tc)
SUP70N03-09BP-E3 Vishay Siliconix SUP70N03-09BP-E3 -
RFQ
 ECAD 2489 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SUP70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 30 70A (TC) 4,5 В, 10. 9mohm @ 30a, 10v 2 В @ 250 мк 19 NC @ 5 V ± 20 В. 1500 pf @ 25 v - 93W (TC)
IPP80R1K4P7 Infineon Technologies IPP80R1K4P7 1.0000
RFQ
 ECAD 8607 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 800 В 4a (TC) 10 В 1.4OM @ 1,4a, 10 В 3,5 - @ 70 мк 10 NC @ 10 V ± 20 В. 250 pf @ 500 - 32W (TC)
NDF06N60ZH Sanyo NDF06N60ZH 0,4200
RFQ
 ECAD 6855 0,00000000 САНО - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3- СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 6А (TJ) 1,2 ОМ @ 3a, 10 В 4,5 -пр. 100 мк 31 NC @ 10 V ± 30 v 923 PF @ 25 V - 31W (TC)
94-2300PBF Infineon Technologies 94-2300PBF -
RFQ
 ECAD 6980 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен 94-2300 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 0000.00.0000 1 -
PMV13XNEAR Nexperia USA Inc. PMV13Xnear 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 7.3a (TA) 2,5 В, 8 В 15mohm @ 7.3a, 8v 1,3 Е @ 250 мк 15 NC @ 4,5 ± 12 В. 931 PF @ 10 V - 610 мт (TA), 8,3 st (TC)
BCF080T BeRex Inc BCF080T 34.0000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Berex Inc. - Поднос Актифен 12 Умират 26,5 Гер МЕСТО Умират - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 4704-BCF080T Ear99 8541.21.0040 5 320 май 160 май 26 Дбм 9,7db - 8в
SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1 1.5300
RFQ
 ECAD 1513 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SPD02N80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 800 В 2а (TC) 10 В 2,7 ОМ @ 1,2а, 10 3,9 В @ 120 мк 16 NC @ 10 V ± 20 В. 290 pf @ 100 v - 42W (TC)
RJK6015DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJK6015DPK-00#T0 -
RFQ
 ECAD 4963 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- RJK6015 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 21a (TA) 10 В 360mohm @ 10.5a, 10 ЕС - 67 NC @ 10 V ± 30 v 2600 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
AOTF11N70_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF11N70_001 -
RFQ
 ECAD 2192 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Прохл -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F - DOSTISH 785-AOTF11N70_001 1 N-канал 700 11a (TC) 10 В 870mom @ 5,5a, 10 В 4,5 -50 мк 45 NC @ 10 V ± 30 v 2150 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
IRLR2905PBF International Rectifier IRLR2905PBF -
RFQ
 ECAD 2667 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 55 42a (TC) 4 В, 10 В. 27mohm @ 25a, 10v 2 В @ 250 мк 48 NC @ 5 V ± 16 В. 1700 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated DMT4004LPS-13 1.1000
RFQ
 ECAD 420 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn DMT4004 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerDI5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 26a (ta), 90a (TC) 4,5 В, 10. 2,5mohm @ 50a, 10 В 3 В @ 250 мк 82,2 NC @ 10 V ± 20 В. 4508 PF @ 20 V - 2.6W (TA), 138W (TC)
AOY4158P Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY4158P -
RFQ
 ECAD 2243 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. * МАССА Управо AOY4158 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
FDN5632N-F085 onsemi FDN5632N-F085 0,6700
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN5632 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 1.7a (TA) 4,5 В, 10. 82mohm @ 1,7a, 10 В 3 В @ 250 мк 12 NC @ 10 V ± 20 В. 475 PF @ 15 V - 1,1 yt (tat)
MMBF170Q-13-F Diodes Incorporated MMBF170Q-13-F 0,0522
RFQ
 ECAD 8909 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF170 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH MMBF170Q-13-FLE Ear99 8541.21.0095 10000 N-канал 60 500 май (таблица) 4,5 В, 10. 5OM @ 200 мА, 10 В 3 В @ 250 мк ± 20 В. 40 pf @ 10 v - 300 мт (таблица)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть