SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш -hymovaiver В конце
IXFH80N30P3 IXYS Ixfh80n30p3 -
RFQ
 ECAD 7688 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ Трубка Актифен IXFH80 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30
BLF147,112 Ampleon USA Inc. BLF147,112 -
RFQ
 ECAD 6000 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-121b 108 мг МОСС CRFM4 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 N-канал 25 а 1 а 150 Вт 14 дБ - 28
NDF04N60ZG onsemi NDF04N60ZG -
RFQ
 ECAD 8436 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- NDF04 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 4.8a (TC) 10 В 2OM @ 2A, 10 В 4,5 -прри 50 мк 29 NC @ 10 V ± 30 v 640 PF @ 25 V - 30 yt (tc)
IPD50N03S2-07 Infineon Technologies IPD50N03S2-07 -
RFQ
 ECAD 2722 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-1 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 30 50a (TC) 10 В 7,3 мома @ 50a, 10 4в @ 85 мк 68 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 PF @ 25 V - 136W (TC)
NX2020P1115 NXP USA Inc. NX2020P1115 0,0700
RFQ
 ECAD 262 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 3000
NVD5805NT4G onsemi NVD5805NT4G -
RFQ
 ECAD 4518 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NVD580 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 51a (TC) 5 В, 10 В. 9,5mohm @ 15a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 1725 PF @ 25 V - 47W (TC)
BUK6E2R0-30C,127 Nexperia USA Inc. BUK6E2R0-30C, 127 -
RFQ
 ECAD 3149 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 120A (TC) 10 В 2,2mohm @ 25a, 10 В 2.8V @ 1MA 229 NC @ 10 V ± 16 В. 14964 PF @ 25 V - 306 yt (tc)
AOL1428 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOL1428 -
RFQ
 ECAD 2030 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 3-powersmd, ploskie otwedonnipe AOL14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Hultraso-8 ™ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 12.4a (ta), 49a (TC) 4,5 В, 10. 9,5mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 1000 pf @ 15 v - 2,2 yt (ta), 43 yt (tc)
IXFK64N60P IXYS Ixfk64n60p 22.0900
RFQ
 ECAD 1865 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Ixfk64 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-264AA (IXFK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 64a (TC) 10 В 96mohm @ 500ma, 10 В 5 w @ 8ma 200 NC @ 10 V ± 30 v 12000 pf @ 25 v - 1040 yt (tc)
FDZ375P Fairchild Semiconductor FDZ375P 1.5400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-xfbga, WLCSP МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 4-WLCSP (1x1) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 П-канал 20 3.7a (TA) 1,5 В, 4,5 В. 78mohm @ 2a, 4,5 1,2- 250 мк 15 NC @ 4,5 ± 8 v 865 PF @ 10 V - 1,7 yt (tat)
PJD25N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25N06A_L2_00001 0,5900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PJD25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 5,5A (TA), 25A (TC) 4,5 В, 10. 34MOM @ 15A, 10 В 2,5 -50 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 1173 PF @ 25 V - 2W (TA), 40 -st (TC)
AOK125A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK125A60 5.3600
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Amos5 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK125 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-AOK125A60 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 28a (TC) 10 В 125mohm @ 14a, 10v 4,5 -50 мк 39 NC @ 10 V ± 20 В. 2993 pf @ 100 v - 357W (TC)
SIHB186N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB186N60EF-GE3 2.9600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Эp Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SIHB186 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SIHB186N60EF-GE3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 8.4a (TC) 10 В 193mohm @ 9.5a, 10v 5 w @ 250 мк 32 NC @ 10 V ± 30 v 1081 pf @ 100 v - 156 Вт (ТС)
IXFV26N60P IXYS Ixfv26n60p -
RFQ
 ECAD 8220 0,00000000 Ixys Polarhv ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru До 220-3, коротка IXFV26 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Plus220 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 26a (TC) 10 В 270mohm @ 500ma, 10 В 5V @ 4MA 72 NC @ 10 V ± 30 v 4150 pf @ 25 v - 460 yt (tc)
IXTL2N470 IXYS Ixtl2n470 114 3700
RFQ
 ECAD 274 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isoplusi5-pak ™ Ixtl2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isoplusi5-pak ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -Ixtl2n470 Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 4700 В. 2а (TC) 10 В 20om @ 1a, 10v 6в @ 250 мк 180 NC @ 10 V ± 20 В. 6860 PF @ 25 V - 220W (TC)
PJE8412_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8412_R1_00001 0,4900
RFQ
 ECAD 8052 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 PJE8412 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJE8412_R1_00001CT Ear99 8541.21.0095 4000 N-канал 30 350 май (таблица) 1,5 В, 4,5 В. 1,2 в 350 май, 4,5 1,1 В @ 250 мк 0,87 NC @ 4,5 ± 10 В. 34 PF @ 15 V - 300 мт (таблица)
AUIRF1405ZSTRL Infineon Technologies Auirf1405zstrl 2.3975
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Auirf1405 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001522112 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 150a (TC) 10 В 4,9MOM @ 75A, 10V 4 В @ 250 мк 180 NC @ 10 V ± 20 В. 4780 PF @ 25 V - 230W (TC)
ISL9N322AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N322AS3ST 1.0300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 30 35A (TC) 4,5 В, 10. 22mohm @ 35a, 10 В 3 В @ 250 мк 27 NC @ 10 V ± 20 В. 970 pf @ 15 v - 50 yt (tta)
BUK98150-55A,135 NXP USA Inc. BUK98150-55A, 135 -
RFQ
 ECAD 8411 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BUK98 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-73 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 55 5.5a (TC) 4,5 В, 10. 137mohm @ 5a, 10v 2V @ 1MA 5,3 NC @ 5 V ± 15 В. 320 pf @ 25 v - 8W (TC)
2SK536-MTK-TB-E onsemi 2SK536-MTK-TB-E -
RFQ
 ECAD 8288 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 125 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK536 - 3-CP - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 - 100 май (TJ) 10 В - - ± 12 В. - -
PMPB33XN,115 Nexperia USA Inc. PMPB33XN, 115 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka PMPB33 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020MD-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 4.3a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 47mohm @ 4,3a, 4,5 1,2- 250 мк 7,6 NC @ 4,5 ± 12 В. 505 PF @ 15 V - 1,5 yt (ta), 8,3 yt (tc)
2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. 2N7002K-AU_R1_000A2 0,2200
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 300 май (таблица) 4,5 В, 10. 3OM @ 500 мА, 10 В 2,5 -50 мк 0,8 nc pri 5в ± 20 В. 35 PF @ 25 V - 500 мг (таблица)
IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies IRLMS1902TRPBF -
RFQ
 ECAD 9999 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 IRLMS1902 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro6 ™ (TSOP-6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 3.2a (TA) 2,7 В, 4,5 В. 100mohm @ 2,2a, 4,5 700 мв 250 мка (мин) 7 NC @ 4,5 ± 12 В. 300 pf @ 15 v - 1,7 yt (tat)
PSMN5R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS, 127 -
RFQ
 ECAD 3010 0,00000000 NXP USA Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка PSMN5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 61.8a (TC) 10 В 5,6mohm @ 15a, 10 В 4 В @ 1MA 145 NC @ 10 V ± 20 В. 8061 pf @ 50 v - 60 yt (tc)
DMN3016LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDFQ-13 0,1172
RFQ
 ECAD 6435 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka DMN3016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) U-DFN2020-6 (Typ F) СКАХАТА DOSTISH 31-DMN3016LFDFQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10000 N-канал 30 10А (таблица) 4,5 В, 10. 12mohm @ 11a, 10 В 2 В @ 250 мк 25,1 NC @ 10 V ± 20 В. 1415 PF @ 15 V - 730 мг (таблица)
PJT7002H_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7002H_R1_00001 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PJT7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 350 мт (таблица) SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 60 250 май (таблица) 5OM @ 300 мА, 10 В 3 В @ 250 мк 1.3NC @ 4,5 22pf @ 25V -
IRFR210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR210TRPBF-BE3 1.1700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR210 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 200 2.6a (TC) 1,5 ОМА @ 1,6A, 10 В 4 В @ 250 мк 8.2 NC @ 10 V ± 20 В. 140 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 25 yt (tc)
ZXMP6A17GQTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A17GQTA-52 0,3130
RFQ
 ECAD 8062 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА 31-ZXMP6A17GQTA-52 Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 60 3a (TA) 4,5 В, 10. 125mohm @ 2,2a, 10 В 1В @ 250 мк 17,7 NC @ 10 V ± 20 В. 637 pf @ 30 v - 2W (TA)
AOB470L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB470L 1.0437
RFQ
 ECAD 7037 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB AOB470 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 75 10a (ta), 100a (TC) 10 В 10,2mohm @ 30a, 10 В 4 В @ 250 мк 136 NC @ 10 V ± 25 В 5640 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 268W (TC)
STP85NF55 STMicroelectronics STP85NF55 -
RFQ
 ECAD 5609 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP85 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 80a (TC) 10 В 8mohm @ 40a, 10v 4 В @ 250 мк 150 NC @ 10 V ± 20 В. 3700 PF @ 25 V - 300 м (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть