SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
SI5618A-TP Micro Commercial Co SI5618A-TP 0,4100
RFQ
 ECAD 3676 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI5618 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА 353-SI5618A-TP Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 60 1.6A (TA) 4,5 В, 10. 160mohm @ 1,5a, 10 2,5 -50 мк 12 NC @ 10 V ± 20 В. 380 pf @ 30 v - 1,5
SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3 1.7200
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn SIZ918 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 29 8-PowerPair® (6x5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 2 н-канала 30 16a, 28а 12mohm @ 13.8a, 10 ЕС 2,2 pri 250 мк 21nc @ 10v 790pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
STD14NM50N STMicroelectronics Std14nm50n -
RFQ
 ECAD 9229 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STD14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 500 12a (TC) 10 В 320MOHM @ 6A, 10V 4 w @ 100 мк 27 NC @ 10 V ± 25 В 816 pf @ 50 v - 90 Вт (TC)
AOB2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2144L 1.6583
RFQ
 ECAD 9428 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB AOB21 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AOB2144LTR Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 205a (TC) 4,5 В, 10. 2,3mohm @ 20a, 10v 2,4 В @ 250 мк 95 NC @ 10 V ± 20 В. 5225 PF @ 20 V - 8,3 yt (ta), 187w (TC)
BUK7520-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7520-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 2486 0,00000000 Nexperia USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 54a (TC) 10 В 20mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA ± 20 В. 1592 PF @ 25 V - 118W (TC)
IXFK80N15Q IXYS Ixfk80n15q -
RFQ
 ECAD 8258 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA IXFK80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-264AA (IXFK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 150 80a (TC) 10 В 22,5mohm @ 40a, 10 В 4V @ 4MA 180 NC @ 10 V ± 20 В. 4500 pf @ 25 v - 360 Вт (TC)
STS3DNE60L STMicroelectronics STS3DNE60L -
RFQ
 ECAD 3030 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) STS3D МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 2 n-канал (Дзонано) 60 3A 80mohm @ 1,5a, 10 В 1В @ 250 мк 13.5nc @ 4,5 815pf @ 25V Logiчeskichй yrowenhe
TMC1340-SO Trinamic Motion Control GmbH TMC1340-SO -
RFQ
 ECAD 4522 0,00000000 Trinamic Motion Control Gmbh - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TMC1340 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,38 Вт 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.29.0095 3000 2 н и 2 п-канал (polowinamosta) 30 5,5A, 4.1a 33MOHM @ 5A, 10V 3 В @ 250 мк 10NC @ 4,5 960pf @ 25V -
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W, S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosiv Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru До 251-3 лиды, Ипак TK8Q65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 650 7.8A (TA) 10 В 670mom @ 3,9a, 10 3,5 В 300 мк 16 NC @ 10 V ± 30 v 570 PF @ 300 - 80 Вт (TC)
DMN3027LFG-13 Diodes Incorporated DMN3027LFG-13 0,2588
RFQ
 ECAD 3943 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMN3027 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DMN3027LFG-13DI Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 5.3a (TA) 4,5 В, 10. 18,6mohm @ 10a, 10v 1,8 В @ 250 мк 11,3 NC @ 10 V ± 25 В 580 PF @ 15 V - 1 yt (tta)
PSMN038-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN038-100YLX 0,9100
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PSMN038 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 100 30А (TC) 5 В, 10 В. 37,5mohm @ 5a, 10v 2.1V @ 1MA 39,2 NC @ 10 V ± 20 В. 1905 PF @ 25 V - 94,9 yt (TC)
TK8A25DA,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A25DA, S4X 0,9000
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен 150 ° С Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 7.5A (TA) 10 В 500mhom @ 3,8a, 10 В 3,5 - @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 20 В. 550 pf @ 100 v - 30 yt (tc)
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5AUMA1 6.2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 5-Powersfn IST011N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-HSOF-5-1 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 38A (TA), 399A (TC) 6 В, 10 В. 1,1mohm @ 100a, 10 В 3,3 - @ 148 мка 154 NC @ 10 V ± 20 В. 8100 pf @ 30 v - 3,8 Вт (ТА), 313 Вт (TC)
EFC4618R-P-TR onsemi EFC4618R-P-TR -
RFQ
 ECAD 4266 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 4-xfbga, FCBGA EFC4618 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,6 EFCP1818-4CC-037 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obhщiй kanolyзaцip - - - - 25.4nc @ 4,5 - Logiчeskickyй yrowenhe зarwora, privod 2,5
HUF76407P3 onsemi HUF76407P3 -
RFQ
 ECAD 2835 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 HUF76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 60 13a (TC) 4,5 В, 10. 92mohm @ 13a, 10 В 3 В @ 250 мк 11,3 NC @ 10 V ± 16 В. 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
ATP101-TL-H onsemi ATP101-TL-H -
RFQ
 ECAD 3098 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Атпак (2 Свина+Вкладка) ATP101 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Атпак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 25a (TA) 4,5 В, 10. 30mohm @ 13a, 10 В - 18,5 NC @ 10 V ± 20 В. 875 PF @ 10 V - 30 yt (tc)
RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor Rd3l08bgntl 2.6600
RFQ
 ECAD 7127 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RD3L08 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 80a (TC) 4,5 В, 10. 5,5mohm @ 80a, 10 В 2,5 -пр. 100 мк 71 NC @ 10 V ± 20 В. 3620 PF @ 30 V - 119W (TC)
RCX300N20 Rohm Semiconductor RCX300N20 1,9000
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- RCX300 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 200 30А (TC) 10 В 80mohm @ 15a, 10 В 5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ± 30 v 3200 PF @ 25 V - 2,23 yt (ta), 40 yt (tc)
NTMFS4C10NT1G-001 onsemi NTMFS4C10NT1G-001 -
RFQ
 ECAD 4819 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1500 N-канал 30 8.2a (ta), 46a (TC) 4,5 В, 10. 6,95MOM @ 30A, 10 2,2 pri 250 мк 18,6 NC @ 10 V ± 20 В. 987 PF @ 15 V - 750 мг (таблица)
2SJ603(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SJ603 (0) -Z-E1-AZ -
RFQ
 ECAD 9402 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо 150 ° С Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-263, DO 220SMD - 2156-2SJ603 (0) -Z-E1-AZ 1 П-канал 60 25a (TC) 10 В 48mohm @ 13a, 10v 2,5 h @ 1ma 38 NC @ 10 V ± 20 В. 1900 PF @ 10 V - 1,5 yt (ta), 50 st (tc)
BSS192PE6327T Infineon Technologies BSS192PE6327T -
RFQ
 ECAD 1197 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 250 190 май (таблица) 2,8 В, 10 В. 12om @ 190ma, 10 В 2 В @ 130 мк 6.1 NC @ 10 V ± 20 В. 104 PF @ 25 V - 1 yt (tta)
STP30NM60N STMicroelectronics STP30NM60N -
RFQ
 ECAD 5593 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP30N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 25a (TC) 10 В 130mohm @ 12.5a, 10v 4 В @ 250 мк 91 NC @ 10 V ± 30 v 2700 pf @ 50 v - 190 Вт (ТС)
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847 (F) -
RFQ
 ECAD 1737 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 2SK2847 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3p (n) epth СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 900 8a (TA) 10 В 1,4om @ 4a, 10v 4 В @ 1MA 58 NC @ 10 V ± 30 v 2040 PF @ 25 V - 85W (TC)
IRF620S Vishay Siliconix IRF620S -
RFQ
 ECAD 6739 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF620 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF620S Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 200 5.2a (TC) 10 В 800mhom @ 3,1a, 10 В 4 В @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 20 В. 260 pf @ 25 v - 3 Вт (TA), 50 yt (TC)
NVMFS5C673NLT3G onsemi NVMFS5C673NLT3G -
RFQ
 ECAD 7085 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NVMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 50a (TC) 4,5 В, 10. 9.2mohm @ 25a, 10 В 2 В @ 35 мк 9,5 NC @ 10 V ± 20 В. 880 pf @ 25 v - 3,6 yt (ta), 46 yt (tc)
BUK9C3R8-80EJ NXP USA Inc. BUK9C3R8-80EJ -
RFQ
 ECAD 1398 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) BUK9C3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2PAK-7 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934067486118 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 80 - - - - -
TSM088NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM088NA03CR RLG -
RFQ
 ECAD 1070 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn TSM088 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 61a (TC) 4,5 В, 10. 8,8mohm @ 13a, 10v 2,5 -50 мк 12,6 NC @ 10 V ± 20 В. 750 pf @ 15 v - 56 Вт (TC)
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q-13 0,9100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 DMPH6050 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 7.2A (TA), 23,6A (TC) 4,5 В, 10. 50mohm @ 7a, 10 В 3 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 1377 pf @ 30 v - 1,9 yt (tat)
FDG6303N_D87Z onsemi FDG6303N_D87Z -
RFQ
 ECAD 6047 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 FDG6303 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 300 м SC-88 (SC-70-6) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 2 n-канал (Дзонано) 25 В 500 май 450 МОМ @ 500MA, 4,5 В 1,5 В @ 250 мк 2.3NC @ 4,5 50pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
FQI3N30TU onsemi FQI3N30TU -
RFQ
 ECAD 7870 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA FQI3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 300 3.2a (TC) 10 В 2,2 ОМА @ 1,6A, 10 В 5 w @ 250 мк 7 NC @ 10 V ± 30 v 230 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 55W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть