P-канал MOSFET Условия включения

Условия включения дляP-канал MOSFET (PMOS)обратные к отношениям N-канального MOSFET (NMOS), в первую очередь, управляемой взаимосвязью между напряжением источника затвора (VGS) и пороговым напряжением (VTH), наряду с полярностью напряжения. Вот ключевые моменты:

1. Условия коррока

V._Гс= V._Глин−v_С(V._Глин= напряжение затвора, v_С= напряжение источника).

С V._турДля PMOS обычно отрицательно (например, -1V, -2V), напряжение затвора должно бытьзначительно нижечем исходное напряжение, чтобы удовлетворить V_Гс≤V_турПолем

Пример:
Если v_тур= −2v и v_С=+5V, то: v_Глин−5V≤ -2V⟹V_Глин≤+3v
PMO включается, когда V_Глинпадает ниже 3В.

2. Сравнение с N-каналомМОСФЕТ (НМО)

3. Ключевые практические соображения

Высокая переключение:
ПМОСобычно используется в цепях выключателей на высокой стороне (источник, подключенный к источнику питания, сливйтесь к нагрузке). Низкое напряжение затвора включает его, заземляя нагрузку. Пример:В схемах батарейных батарей PMOS управляет питанием на нагрузку, упрощая управление на уровне логики.

Полярность напряжения и схема привода:

PMO требуетспрыгнутый драйвер(например, транзистор NPN или NMOS), чтобы опустить напряжение затвора под источником.

В CMOS Logic (например, инверторы) PMOS тянет выходной высокий уровень, дополняющий NMOS, который снижается.

Эффекты диода тела:

У PMOS есть внутренний диод тела от источника до слива. Если напряжение дренажа превышает напряжение источника, диод проводит, потенциально вызывая непреднамеренный поток тока.Дизайнеры должны избегать обратных напряжений или добавлять защитные меры.

4. Резюме