- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C25632KV18-550BZC | 355,5400 |  | 256 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C25632 | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | 1 | 550 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||
 | STK12C68-SF45TR | 50,6700 | | 10 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) | СТК12C68 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-STK12C68-SF45TR | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Энергонезависимый | 64Кбит | 45 нс | НВСРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 45нс | |||||
 | CG8836АМТ | - | | 6968 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | - | REACH не касается | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 28443776С | - | | 4961 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | STK16C88-WF25I | - | | 9810 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | СТК16C88 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 13 | Энергонезависимый | 256Кбит | 25 нс | НВСРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
| CG7815AAT | - | | 6101 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | ||||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | - | | 9067 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Трубка | Устаревший | МТ29АЗ5 | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | УСТАРЕВШИЙ | 1440 | ||||||||||||||||||
| P770011C-F9C975 | - | | 5940 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | - | REACH не касается | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B | - | | 8973 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 152-ЛБГА | MT29F1T08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 152-ЛБГА (14х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 980 | 167 МГц | Энергонезависимый | 1Тбит | ВСПЫШКА | 128Г х 8 | Параллельно | - | |||||
| MTFC4GLWDM-4M ААТ З ТР | - | | 7143 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | МТФК4 | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | MTFC4GLWDM-4MAATZTR | УСТАРЕВШИЙ | 1000 | ||||||||||||||||||
 | АТ93С86А-10СУ-1,8-Т | 0,4100 | | 7 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | AT93C86A | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 4000 | 2 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8, 1К х 16 | 3-проводной последовательный порт | 10 мс | ||||
| S25FL512SAGBHB213 | 10,5875 | | 2426 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 6,5 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 750 мкс | |||||||
 | CY7C1325B-117BGC | 4.6400 | | 960 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1325 | SRAM – синхронный, SDR | 3,15 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||
 | W63AH6NBVACI | 4,9953 | | 6374 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 178-ВФБГА | W63AH6 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 178-ВФБГА (11х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W63AH6NBVACI | EAR99 | 8542.32.0032 | 189 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 5,5 нс | ДРАМ | 64М х 16 | ХСУЛ_12 | 15нс | ||
 | А0643480-С | 17.5000 | | 8322 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А0643480-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1420JV18-300BZC | - | | 3581 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1420 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 1М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
| 7025Л45ФБ | - | | 1214 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Масса | Устаревший | - | REACH не касается | 800-7025Л45ФБ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | ||||||||||||||||||||
| W25N04KWZEIR ТР | 5,7750 | | 6445 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 256-W25N04KWZEIRTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 4Гбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 512М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||||
 | CAT25160VE-GC | - | | 9208 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ25160 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||||
 | CY7C1046BV33-12VC | 7.0000 | | 63 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1046 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 32-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 1М х 4 | Параллельно | 12нс | ||||
 | W25Q80EWZPAG | - | | 6798 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q80 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (6х5) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q80EWZPAG | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 1М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 30 мкс, 800 мкс | ||||
 | S26KS512SDGBHB030 | 12.5200 | | 954 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KS | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КС512 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | 24 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | Параллельно | - | Не проверено | |||||||
| MPC2605ZP83 | 46,6900 | | 3 | 0,00000000 | Моторола | - | Масса | Активный | 20°С ~ 110°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 241-БГА | MPC2605 | БАРАН | 3135 В ~ 3465 В | 241-ПБГА (25х25) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 0000.00.0000 | 1 | 83 МГц | Неустойчивый | 256Кбит | БАРАН | - | Параллельно | - | |||||
| S25FS128SAGBHV200 | 2,8200 | | 185 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Масса | Активный | - | 2156-С25ФС128САГБХВ200 | 107 | ||||||||||||||||||||||
 | CY7C1168KV18-400BZC | 33,7600 | | 887 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1168 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 400 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
 | CY7C0851V-167AC | 41.9300 | | 753 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 176-LQFP | CY7C0851 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3135 В ~ 3465 В | 176-TQFP (24x24) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 МГц | Неустойчивый | 2Мбит | СРАМ | 64К х 36 | Параллельно | - | ||||
 | CYDM128A16-55BVXI | - | | 8216 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ВФБГА | ДЮМ | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 1,7 В ~ 1,9 В, 2,4 В ~ 2,6 В, 2,7 В ~ 3,3 В | 100-ВФБГА (6х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 128Кбит | 55 нс | СРАМ | 8К х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
| 713977-B21-C | 48.7500 | | 6758 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-713977-В21-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S29CD032J0PFAM010 | - | | 8959 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 1 | ||||||||||||||||||||
 | CY7C1412AV18-250BZC | 47.0800 | | 129 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1412 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | Не проверено |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)