SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
S71VS128RC0AHK4L0 Cypress Semiconductor Corp S71VS128RC0AHK4L0 -
запросить цену
ECAD 5624 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ВС-Р Масса Устаревший -25°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-ВФБГА С71ВС128 ФЛЭШ, ПСРАМ 1,7 В ~ 1,95 В 56-ВФРБГА (7,7х6,2) скачать 1 108 МГц Энергонезависимый, Летучий 128 Мбит (FLASH), 64 Мбит (ОЗУ) ФЛЕШ, ОЗУ - Параллельно - Не проверено
CAT93C66SE-26650 Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C66SE-26650 0,1200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ93C66 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 2 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8, 256 х 16 Микропровод -
AS4C512M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. АС4К512М8Д3ЛБ-12БИН -
запросить цену
ECAD 4218 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Поднос Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА AS4C512 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 78-ФБГА (9х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 1450-1446 гг. EAR99 8542.32.0036 220 800 МГц Неустойчивый 4Гбит 20 нс ДРАМ 512М х 8 Параллельно 15нс
W66BL6NBUAFJ TR Winbond Electronics W66BL6NBUAFJ ТР 5.6550
запросить цену
ECAD 8840 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА W66BL6 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В 200-ВФБГА (10х14,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W66BL6NBUAFJTR EAR99 8542.32.0036 2500 1,6 ГГц Неустойчивый 2Гбит 3,5 нс ДРАМ 128М х 16 ЛВСТЛ_11 18нс
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABEAEAH4-ITS:E TR 4.5900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА MT29F4G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 63-ВФБГА (9х11) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 4Гбит ВСПЫШКА 512М х 8 Параллельно -
24LC014HT-E/MNY Microchip Technology 24LC014HT-E/MNY 0,5100
запросить цену
ECAD 7074 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WFDFN Открытая площадка 24LC014H ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ТДФН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3300 1 МГц Энергонезависимый 1Кбит 400 нс ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
S25FL256SDSMFA000 Infineon Technologies S25FL256SDSMFA000 5.6000
запросить цену
ECAD 9603 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать 3A991B1A 8542.32.0071 2400 80 МГц Энергонезависимый 256Мбит 6,5 нс ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 750 мкс
7164L45TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L45TDB -
запросить цену
ECAD 5295 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Активный -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) 7164Л SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-CDIP скачать 3A001A2C 8542.32.0041 1 Неустойчивый 64Кбит 45 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 45нс
CY7C1019CV33-12BVXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1019CV33-12BVXI 0,8500
запросить цену
ECAD 802 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY7C1019 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 1 Неустойчивый 1 Мбит 12 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 12нс
CY7C1041GE30-10BVXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1041GE30-10BVXI -
запросить цену
ECAD 3472 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY7C1041 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 50 Неустойчивый 4 Мбит 10 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 10 нс Не проверено
IDT71T75702S75PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71T75702S75PFI8 -
запросить цену
ECAD 2529 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71Т75 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 2375 В ~ 2625 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71Т75702С75ПФИ8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 18 Мбит 7,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
FX622AA-C ProLabs FX622AA-C 62,5000
запросить цену
ECAD 7113 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-FX622AA-C EAR99 8473.30.5100 1
S25FS256SAGMFV003 Infineon Technologies S25FS256SAGMFV003 5.0050
запросить цену
ECAD 5550 0,00000000 Инфинеон Технологии ФС-С Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) С25ФС256 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1450 133 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
W25Q16DVSSJG Winbond Electronics W25Q16DVSSJG -
запросить цену
ECAD 8253 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) W25Q16 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 50 мкс, 3 мс
CY7C1550KV18-400BZC Infineon Technologies CY7C1550KV18-400BZC 245,4375
запросить цену
ECAD 4940 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1550 SRAM — синхронный, DDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно -
SST39VF040-70-4I-NHE-T Microchip Technology SST39VF040-70-4I-NHE-T 2,6600
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) SST39VF040 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 32-ПЛСС (11,43х13,97) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 750 Энергонезависимый 4 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 512К х 8 Параллельно 20 мкс
W25Q16JWSSIQ Winbond Electronics W25Q16JWSSIQ 0,5077
запросить цену
ECAD 9383 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) W25Q16 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q16JWSSIQ EAR99 8542.32.0071 90 133 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
MT55L128L36F1T-11 Micron Technology Inc. МТ55Л128Л36Ф1Т-11 6.5800
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Микрон Технология Инк. ЗБТ® Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP СРАМ - ЗБТ 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х20,1) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1 90 МГц Неустойчивый 4 Мбит 8,5 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
IS62WV1288BLL-55HI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55HI -
запросить цену
ECAD 2033 год 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) ИС62ВВ1288 SRAM — асинхронный 2,5 В ~ 3,6 В 32-сЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 234 Неустойчивый 1 Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 55нс
SST39LF802C-55-4C-EKE-T Microchip Technology SST39LF802C-55-4C-EKE-T 2,9550
запросить цену
ECAD 9899 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) SST39LF802 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 48-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 8Мбит 55 нс ВСПЫШКА 512К х 16 Параллельно 10 мкс
AT25XE161D-SSHN-B Renesas Electronics Operations Services Limited AT25XE161D-СШН-Б 0,4795
запросить цену
ECAD 2123 0,00000000 Ренесас Электроникс Оперейшн Сервисиз Лимитед - Трубка Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,65 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1695-АТ25ХЕ161Д-СШН-Б 98 133 МГц Энергонезависимый 16Мбит 8 нс ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 32 мкс, 6,5 мс
S25FS128SDSMFI1D0 Cypress Semiconductor Corp S25FS128SDSMFI1D0 5.7400
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФС-С Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) С25ФС128 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 8-СОИК скачать 88 80 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI - Не проверено
FM24C64B-GTR Infineon Technologies FM24C64B-ГТР 4.1200
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Инфинеон Технологии F-RAM™ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) FM24C64 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2500 1 МГц Энергонезависимый 64Кбит 550 нс ФРАМ 8К х 8 I²C -
CAT28LV256GI25 onsemi КАТ28LV256GI25 -
запросить цену
ECAD 9313 0,00000000 онсеми - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) КАТ28LV256 ЭСППЗУ 3 В ~ 3,6 В 32-ПЛСС (11,43х13,97) скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 32 Энергонезависимый 256Кбит 250 нс ЭСППЗУ 32К х 8 Параллельно 10 мс
S27KL0643GABHV023 Infineon Technologies S27KL0643GABHV023 4.4100
запросить цену
ECAD 6320 0,00000000 Инфинеон Технологии ГиперОЗУ™ КЛ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА PSRAM (псевдо SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 24-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3А991Б2 8542.32.0041 2500 200 МГц Неустойчивый 64 Мбит 35 нс ПСРАМ 8М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод 35 нс
CAV93C76YE-GT3 onsemi CAV93C76YE-GT3 0,4218
запросить цену
ECAD 9727 0,00000000 онсеми Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) CAV93C76 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 2 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8, 512 х 16 Микропровод -
S34MS08G201BHA003 Cypress Semiconductor Corp S34MS08G201BHA003 -
запросить цену
ECAD 8369 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q100, MS-2 Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА С34МС08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 1,7 В ~ 1,95 В 63-БГА (11х9) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 2300 Энергонезависимый 8Гбит 45 нс ВСПЫШКА 1Г х 8 Параллельно 45нс
S29GL01GT11TFV010 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GT11TFV010 -
запросить цену
ECAD 8767 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ГЛ-Т Масса Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) S29GL01 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 56-ЦОП скачать 80 Энергонезависимый 1Гбит 110 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно 60нс Не проверено
W25N512GWYIT TR Winbond Electronics W25N512GWYIT ТР -
запросить цену
ECAD 7443 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-УФБГА, ВЛЦСП W25N512 ФЛЕШ-NAND (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В 48-WLCSP скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25N512GWYITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2000 г. 104 МГц Энергонезависимый 512 Мбит 7 нс ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 700 мкс
W25Q01NWZEIQ Winbond Electronics W25Q01NWZEIQ 10.1250
запросить цену
ECAD 3352 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q01 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 1,95 В 8-ВСОН (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q01NWZEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 МГц Энергонезависимый 1Гбит 7 нс ВСПЫШКА 128М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 3 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе