SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
24AA02SC-I/W16K Microchip Technology 24AA02SC-I/W16K -
запросить цену
ECAD 1875 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж Править 24АА02 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
R1LV0216BSB-7SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV0216BSB-7SI#S0 -
запросить цену
ECAD 8487 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) Р1LV0216 СРАМ 2,7 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 2Мбит 70 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 70нс
CY7C1020DV33-10ZSXIT Infineon Technologies CY7C1020DV33-10ZSXIT 7.0300
запросить цену
ECAD 1115 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1020 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 512Кбит 10 нс СРАМ 32К х 16 Параллельно 10 нс
IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 2,2324
запросить цену
ECAD 6620 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) SRAM — асинхронный 2,4 В ~ 3,6 В 44-СОЮ - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 800 Неустойчивый 1Мбит 10 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 10 нс
CY7C2263KV18-550BZXC Infineon Technologies CY7C2263KV18-550BZXC 36,8200
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C2263 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается -CY7C2263KV18-550BZXC 3A991B2A 8542.32.0041 272 550 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 2М х 18 Параллельно -
FM25640B-G2 Infineon Technologies FM25640B-G2 -
запросить цену
ECAD 7514 0,00000000 Инфинеон Технологии F-RAM™ Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) FM25640 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 194 20 МГц Энергонезависимый 64Кбит ФРАМ 8К х 8 СПИ -
70T3519S133BF Renesas Electronics America Inc 70Т3519С133БФ 302.7543
запросить цену
ECAD 4479 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 208-ЛФБГА 70Т3519 SRAM — двухпортовый, синхронный 2,4 В ~ 2,6 В 208-КАБГА (15х15) скачать не соответствует RoHS 4 (72 часа) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 7 133 МГц Неустойчивый 9 Мбит 4,2 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
IS61VPS51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ВПС51236Б-200Б3ЛИ-ТР 15,6750
запросить цену
ECAD 6367 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА IS61VPS51236 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
W25Q128FVSJQ Winbond Electronics W25Q128FVSJQ -
запросить цену
ECAD 3624 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) W25Q128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 50 мкс, 3 мс
BR24T64F-WE2 Rohm Semiconductor BR24T64F-WE2 0,4600
запросить цену
ECAD 71 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) БР24Т64 ЭСППЗУ 1,6 В ~ 5,5 В 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 400 кГц Энергонезависимый 64Кбит ЭСППЗУ 8К х 8 I²C 5 мс
23LC512-I/P Microchip Technology 23ЛК512-И/П 1,9600
запросить цену
ECAD 191 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) 23LC512 СРАМ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 23LC512IP EAR99 8542.32.0051 60 20 МГц Неустойчивый 512Кбит СРАМ 64К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
IS43R16320F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43Р16320Ф-5БЛИ-ТР 5,5950
запросить цену
ECAD 2467 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА ИС43Р16320 SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 60-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 2500 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 32М х 16 Параллельно 15нс Не проверено
IS61LPS25618EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618EC-200TQLI-TR 6,8099
запросить цену
ECAD 9720 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИС61ЛПС25618 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-LQFP (14x20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 3,1 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно -
IDT71V25761YSA200BQ Renesas Electronics America Inc IDT71V25761YSA200BQ -
запросить цену
ECAD 7348 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА ИДТ71В25761 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 165-КАБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71V25761YSA200BQ 3A991B2A 8542.32.0041 136 200 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 5 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
IS64LPS12832A-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС64ЛПС12832А-200ТКЛА3 13.3403
запросить цену
ECAD 2987 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP IS64LPS12832 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-LQFP (14x20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 МГц Неустойчивый 4 Мбит 3,1 нс СРАМ 128К х 32 Параллельно -
CY7C1370KV25-200AXC Infineon Technologies CY7C1370KV25-200AXC 31,8325
запросить цену
ECAD 1981 год 0,00000000 Инфинеон Технологии НоБЛ™ Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1370 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 360 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
M24C02-FMC6TG STMicroelectronics M24C02-FMC6TG 0,2400
запросить цену
ECAD 22 0,00000000 СТМикроэлектроника - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка M24C02 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-УФДФПН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
AT34C02N-10SI-1.8 Microchip Technology АТ34С02Н-10СИ-1,8 -
запросить цену
ECAD 1560 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) АТ34С02 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 10 мс
BQ2022LPRE3 Texas Instruments BQ2022LPRE3 -
запросить цену
ECAD 7539 0,00000000 Техасские инструменты - Лента и катушка (TR) Устаревший -20°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения БК2022 СППЗУ-ОТП 2,65 В ~ 5,5 В ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.32.0061 2000 г. Энергонезависимый 1Кбит СППЗУ 32 байта х 4 страницы один провод -
CYK512K16SCAU-70BAXI Infineon Technologies CYK512K16SCAU-70BAXI -
запросить цену
ECAD 2030 год 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CYK512K16 PSRAM (псевдо SRAM) 2,7 В ~ 3,3 В 48-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 480 Неустойчивый 8Мбит 70 нс ПСРАМ 512К х 16 Параллельно 70нс
W29N01HVBINA TR Winbond Electronics W29N01HVBINA ТР 3.1144
запросить цену
ECAD 9573 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА W29N01 ФЛЕШ-NAND (SLC) 1,65 В ~ 1,95 В 63-ВФБГА (9х11) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W29N01HVБИНАТР 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 МГц Энергонезависимый 16Мбит 6 нс ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR 3 мс
AS4C4M16D1A-5TAN Alliance Memory, Inc. АС4К4М16Д1А-5ТАН -
запросить цену
ECAD 4330 0,00000000 Альянс Память, Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS4C4M16 SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 66-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 4 (72 часа) REACH не касается 14:50-13:16 EAR99 8542.32.0002 108 200 МГц Неустойчивый 64 Мбит 700 пс ДРАМ 4М х 16 Параллельно 15нс
93LC56CT-I/ST Microchip Technology 93LC56CT-I/СТ 0,3900
запросить цену
ECAD 6635 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) 93LC56 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 93LC56CT-I/СТ-НДР EAR99 8542.32.0051 2500 3 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8, 128 х 16 Микропровод 6 мс
IS43TR81280B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР81280Б-107МБЛ 5,9578
запросить цену
ECAD 9314 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Не для новых дизайнов 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА IS43TR81280 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 78-TWBGA (8х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 242 933 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 8 Параллельно 15нс
W25Q16DVSSIG Winbond Electronics W25Q16DVSSIG -
запросить цену
ECAD 5968 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) W25Q16 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 90 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 50 мкс, 3 мс
71V547S80PFG Renesas Electronics America Inc 71В547С80ПФГ 7.1841
запросить цену
ECAD 6846 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 71В547 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 72 Неустойчивый 4,5 Мбит 8 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
CY7C1354C-166BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1354C-166BGC 10.8800
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация НоБЛ™ Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1354 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 28 166 МГц Неустойчивый 9 Мбит 3,5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно - Не проверено
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B -
запросить цену
ECAD 9984 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Масса Устаревший - - - МТ52Л256 SDRAM — мобильный LPDDR3 1,2 В - - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1190 800 МГц Неустойчивый 16Гбит ДРАМ 256М х 64 - -
CY62148ESL-55ZAXAKJ Cypress Semiconductor Corp CY62148ESL-55ZAXAKJ -
запросить цену
ECAD 6638 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация * Масса Устаревший - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1
S99-50362 Infineon Technologies С99-50362 -
запросить цену
ECAD 3106 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Устаревший - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе