Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S71VS128RC0AHK4L0 | - | ![]() | 5624 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ВС-Р | Масса | Устаревший | -25°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-ВФБГА | С71ВС128 | ФЛЭШ, ПСРАМ | 1,7 В ~ 1,95 В | 56-ВФРБГА (7,7х6,2) | скачать | 1 | 108 МГц | Энергонезависимый, Летучий | 128 Мбит (FLASH), 64 Мбит (ОЗУ) | ФЛЕШ, ОЗУ | - | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||
![]() | CAT93C66SE-26650 | 0,1200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ93C66 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8, 256 х 16 | Микропровод | - | ||||
![]() | АС4К512М8Д3ЛБ-12БИН | - | ![]() | 4218 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | AS4C512 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (9х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1446 гг. | EAR99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | W66BL6NBUAFJ ТР | 5.6550 | ![]() | 8840 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | W66BL6 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W66BL6NBUAFJTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 16 | ЛВСТЛ_11 | 18нс | ||
![]() | MT29F4G08ABEAEAH4-ITS:E TR | 4.5900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | MT29F4G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-ВФБГА (9х11) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 4Гбит | ВСПЫШКА | 512М х 8 | Параллельно | - | |||||
![]() | 24LC014HT-E/MNY | 0,5100 | ![]() | 7074 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | 24LC014H | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 400 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | S25FL256SDSMFA000 | 5.6000 | ![]() | 9603 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2400 | 80 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | 6,5 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 750 мкс | |||||||
![]() | 7164L45TDB | - | ![]() | 5295 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 7164Л | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 45 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 45нс | |||||||
![]() | CY7C1019CV33-12BVXI | 0,8500 | ![]() | 802 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY7C1019 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 12нс | ||||
![]() | CY7C1041GE30-10BVXI | - | ![]() | 3472 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY7C1041 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 50 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | Не проверено | |||||||
![]() | IDT71T75702S75PFI8 | - | ![]() | 2529 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71Т75 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 2375 В ~ 2625 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71Т75702С75ПФИ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 18 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | FX622AA-C | 62,5000 | ![]() | 7113 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-FX622AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25FS256SAGMFV003 | 5.0050 | ![]() | 5550 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | С25ФС256 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1450 | 133 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||||
![]() | W25Q16DVSSJG | - | ![]() | 8253 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||
![]() | CY7C1550KV18-400BZC | 245,4375 | ![]() | 4940 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1550 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | ||||
![]() | SST39VF040-70-4I-NHE-T | 2,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | SST39VF040 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 20 мкс | ||||
![]() | W25Q16JWSSIQ | 0,5077 | ![]() | 9383 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q16JWSSIQ | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
![]() | МТ55Л128Л36Ф1Т-11 | 6.5800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | ЗБТ® | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | СРАМ - ЗБТ | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х20,1) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 МГц | Неустойчивый | 4 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||||
![]() | IS62WV1288BLL-55HI | - | ![]() | 2033 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | ИС62ВВ1288 | SRAM — асинхронный | 2,5 В ~ 3,6 В | 32-сЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Неустойчивый | 1 Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | SST39LF802C-55-4C-EKE-T | 2,9550 | ![]() | 9899 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | SST39LF802 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 8Мбит | 55 нс | ВСПЫШКА | 512К х 16 | Параллельно | 10 мкс | ||||
![]() | AT25XE161D-СШН-Б | 0,4795 | ![]() | 2123 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Оперейшн Сервисиз Лимитед | - | Трубка | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1695-АТ25ХЕ161Д-СШН-Б | 98 | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32 мкс, 6,5 мс | |||||||
![]() | S25FS128SDSMFI1D0 | 5.7400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФС-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | С25ФС128 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 8-СОИК | скачать | 88 | 80 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | Не проверено | ||||||||
![]() | FM24C64B-ГТР | 4.1200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | F-RAM™ | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | FM24C64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 550 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||
| КАТ28LV256GI25 | - | ![]() | 9313 | 0,00000000 | онсеми | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | КАТ28LV256 | ЭСППЗУ | 3 В ~ 3,6 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | Энергонезависимый | 256Кбит | 250 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | 10 мс | ||||||
![]() | S27KL0643GABHV023 | 4.4100 | ![]() | 6320 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГиперОЗУ™ КЛ | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3А991Б2 | 8542.32.0041 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 35 нс | ПСРАМ | 8М х 8 | SPI — восьмеричный ввод-вывод | 35 нс | ||||||
| CAV93C76YE-GT3 | 0,4218 | ![]() | 9727 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | CAV93C76 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 2 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8, 512 х 16 | Микропровод | - | |||||
![]() | S34MS08G201BHA003 | - | ![]() | 8369 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, MS-2 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | С34МС08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-БГА (11х9) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2300 | Энергонезависимый | 8Гбит | 45 нс | ВСПЫШКА | 1Г х 8 | Параллельно | 45нс | ||||
![]() | S29GL01GT11TFV010 | - | ![]() | 8767 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ГЛ-Т | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | 80 | Энергонезависимый | 1Гбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 60нс | Не проверено | ||||||||
![]() | W25N512GWYIT ТР | - | ![]() | 7443 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-УФБГА, ВЛЦСП | W25N512 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 48-WLCSP | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25N512GWYITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||
![]() | W25Q01NWZEIQ | 10.1250 | ![]() | 3352 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q01 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q01NWZEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 3 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)