Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ИС43Р16320Ф-5БЛИ-ТР | 5,5950 | ![]() | 2467 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС43Р16320 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15нс | Не проверено | ||
![]() | IS61LPS25618EC-200TQLI-TR | 6,8099 | ![]() | 9720 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИС61ЛПС25618 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | IDT71V25761YSA200BQ | - | ![]() | 7348 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИДТ71В25761 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71V25761YSA200BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | ИС64ЛПС12832А-200ТКЛА3 | 13.3403 | ![]() | 2987 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IS64LPS12832 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 МГц | Неустойчивый | 4 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 128К х 32 | Параллельно | - | |||
![]() | CY7C1370KV25-200AXC | 31,8325 | ![]() | 1981 год | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 360 | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
| M24C02-FMC6TG | 0,2400 | ![]() | 22 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | M24C02 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-УФДФПН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | АТ34С02Н-10СИ-1,8 | - | ![]() | 1560 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АТ34С02 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 10 мс | |||
![]() | BQ2022LPRE3 | - | ![]() | 7539 | 0,00000000 | Техасские инструменты | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -20°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения | БК2022 | СППЗУ-ОТП | 2,65 В ~ 5,5 В | ТО-92-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0061 | 2000 г. | Энергонезависимый | 1Кбит | СППЗУ | 32 байта х 4 страницы | один провод | - | |||||
![]() | CYK512K16SCAU-70BAXI | - | ![]() | 2030 год | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CYK512K16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,3 В | 48-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 8Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | W29N01HVBINA ТР | 3.1144 | ![]() | 9573 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | W29N01 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,65 В ~ 1,95 В | 63-ВФБГА (9х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W29N01HVБИНАТР | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 3 мс | ||
![]() | АС4К4М16Д1А-5ТАН | - | ![]() | 4330 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C4M16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 4 (72 часа) | REACH не касается | 14:50-13:16 | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
| 93LC56CT-I/СТ | 0,3900 | ![]() | 6635 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 93LC56 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 93LC56CT-I/СТ-НДР | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 3 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8, 128 х 16 | Микропровод | 6 мс | ||||
![]() | ИС43ТР81280Б-107МБЛ | 5,9578 | ![]() | 9314 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR81280 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | W25Q16DVSSIG | - | ![]() | 5968 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||
![]() | 71В547С80ПФГ | 7.1841 | ![]() | 6846 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В547 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 8 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||||
![]() | CY7C1354C-166BGC | 10.8800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | НоБЛ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1354 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 28 | 166 МГц | Неустойчивый | 9 Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||
![]() | АС1К8М16ПЛ-70БИН | 6.8400 | ![]() | 497 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 49-ВФБГА | AS1C8M16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 49-ФБГА (4х4) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1479 гг. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 490 | Неустойчивый | 128Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 8М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B | - | ![]() | 9984 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | - | - | - | МТ52Л256 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,2 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1190 | 800 МГц | Неустойчивый | 16Гбит | ДРАМ | 256М х 64 | - | - | ||||
![]() | CY62148ESL-55ZAXAKJ | - | ![]() | 6638 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | * | Масса | Устаревший | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | С99-50362 | - | ![]() | 3106 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT46V16M16CY-5B МТА:М ТР | - | ![]() | 2976 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | МТ46В16М16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15нс | ||||
![]() | CY7C036AV-25AXC | - | ![]() | 7208 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C036 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 288Кбит | 25 нс | СРАМ | 16К х 18 | Параллельно | 25нс | ||||
![]() | W25Q256FVCIF ТР | - | ![]() | 5314 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||
![]() | ИС42С16400Э-7ТЛ | 1.1100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | - | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-IS42S16400E-7TL | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | ЛВТТЛ | - | |||
![]() | FEMC016GTTE7-T13-16 | 49.3300 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Флексксон Пте, ООО | Экстра III | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | FEMC016 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-ФБГА (14х18) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 МГц | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | eMMC | - | |||||
![]() | 501541-001-С | 35.0000 | ![]() | 1556 г. | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-501541-001-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT29F4G01ABAFD12-ITES:F | - | ![]() | 3569 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | MT29F4G01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1122 | Энергонезависимый | 4Гбит | ВСПЫШКА | 4G х 1 | СПИ | - | ||||||
![]() | S25FL127SABMFI003 | - | ![]() | 2576 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL127 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1450 | 108 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||
![]() | S25FS512SDSMFV013 | 11.5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | С25ФС512 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1450 | 80 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||||
![]() | 28028557 А | - | ![]() | 4687 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)