SIC
close

Память(69470)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
34AA02-I/MS Microchip Technology 34АА02-И/МС 0,3600
запросить цену
 ECAD 3701 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) 34АА02 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
IS42S32200L-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С32200Л-6БЛИ-ТР 4.1562
запросить цену
 ECAD 3963 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42С32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 2500 166 МГц Неустойчивый 64 Мбит 5,4 нс ДРАМ 2М х 32 Параллельно -
MX29LV400CTMI-90G Macronix MX29LV400CTMI-90G -
запросить цену
 ECAD 4308 0,00000000 Макроникс MX29LV Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-SOIC (ширина 0,496 дюйма, 12,60 мм) MX29LV400 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 44-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 16 Энергонезависимый 4 Мбит 90 нс ВСПЫШКА 512К х 8 Параллельно 90 нс
GD25LB64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64EWIGR 0,9126
запросить цену
 ECAD 8288 0,00000000 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ГД25ЛБ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,65 В ~ 2 В 8-ВСОН (5х6) скачать 1970-GD25LB64EWIGRTR 3000 133 МГц Энергонезависимый 64 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 60 мкс, 2,4 мс
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-IT:D ТР 5.9300
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА MT29F4G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 1,7 В ~ 1,95 В 63-ВФБГА (10,5х13) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 4Гбит ВСПЫШКА 512М х 8 Параллельно -
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E ТР -
запросить цену
 ECAD 4943 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА MT29F1G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 1,7 В ~ 1,95 В 63-ВФБГА (9х11) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 1Гбит ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно -
S25FS256SAGNFI001 Infineon Technologies S25FS256SAGNFI001 6.0400
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Инфинеон Технологии ФС-С Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка С25ФС256 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 8-ВСОН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 82 133 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
FT24C08A-UNR-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C08A-УНР-Т -
запросить цену
 ECAD 4072 0,00000000 Фремонт Микро Девайс Лтд. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-WFDFN Открытая площадка FT24C08 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ДФН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 1 МГц Энергонезависимый 8Кбит 550 нс ЭСППЗУ 1К х 8 I²C 5 мс
IDT71V416YL15PHI Renesas Electronics America Inc IDT71V416YL15PHI -
запросить цену
 ECAD 4694 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИДТ71В416 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В416ИЛ15ФИ 3A991B2A 8542.32.0041 26 Неустойчивый 4 Мбит 15 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 15нс
IS62WV25616BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС62ВВ25616БЛЛ-55ТЛИ-ТР 4.4700
запросить цену
 ECAD 45 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС62ВВ25616 SRAM — асинхронный 2,5 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 4 Мбит 55 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 55нс
AT45DB161D-TU-2.5 Adesto Technologies АТ45ДБ161Д-ТУ-2,5 -
запросить цену
 ECAD 3732 0,00000000 Адесто Технологии - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) АТ45ДБ161 ВСПЫШКА 2,5 В ~ 3,6 В 28-ЦОП скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0071 234 50 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 528 байт х 4096 страниц СПИ 6 мс
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR Alliance Memory, Inc. MT48LC16M16A2TG-6A ИТ:ГТР -
запросить цену
 ECAD 4328 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МТ48LC16M16A2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 2000 г. 167 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 16М х 16 Параллельно 12нс
AT24C128N-10SQ-2.7 Atmel AT24C128N-10SQ-2,7 1,4700
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Атмел - Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) АТ24С128 ЭСППЗУ 2,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 1 400 кГц Энергонезависимый 128Кбит 900 нс ЭСППЗУ 16К х 8 I²C 5 мс
MT25TL512BAA1ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512BAA1ESF-0AAT -
запросить цену
 ECAD 9864 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) МТ25ТЛ512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1000 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 СПИ 8 мс, 2,8 мс
709269L12PF Renesas Electronics America Inc 709269Л12ПФ -
запросить цену
 ECAD 1448 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 709269Л SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 6 Неустойчивый 256Кбит 12 нс СРАМ 16К х 16 Параллельно -
IS42S32400E-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С32400Э-7БЛИ -
запросить цену
 ECAD 2186 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42С32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 240 143 МГц Неустойчивый 128Мбит 5,4 нс ДРАМ 4М х 32 Параллельно -
S25FL064LABBHV020 Cypress Semiconductor Corp S25FL064LABBHV020 2,8700
запросить цену
 ECAD 7993 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФЛ-Л Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL064 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (8х6) скачать не соответствует RoHS Непригодный Поставщик не определен 2832-S25FL064LABBHV020 3A991B1A 8542.32.0051 175 108 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI - Не проверено
MT53E768M32D2FW-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 МТА:С 20.7300
запросить цену
 ECAD 4641 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Активный - 557-MT53E768M32D2FW-046AIT:C 1
AS7C1025B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-12JCNTR 3.1324
запросить цену
 ECAD 7631 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS7C1025 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 32-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 500 Неустойчивый 1 Мбит 12 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 12нс
AT45DB321E-SHF-T Adesto Technologies AT45DB321E-SHF-T 3.3700
запросить цену
 ECAD 42 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) АТ45ДБ321 ВСПЫШКА 2,3 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 2000 г. 85 МГц Энергонезависимый 32Мбит ВСПЫШКА 528 байт x 8192 страницы СПИ 8 мкс, 4 мс
MT25QL256BBB8E12-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL256BBB8E12-CAUT 8.0700
запросить цену
 ECAD 2657 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-Т-ПБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается -791-MT25QL256BBB8E12-CAUT 1120 133 МГц Энергонезависимый 128Мбит 5 нс ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 1,8 мс
S28GL128S11FAA020 Infineon Technologies С28ГЛ128С11ФАА020 -
запросить цену
 ECAD 5938 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ С28ГЛ128 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1000
S29GL128S90FFA020 Infineon Technologies S29GL128S90FFA020 -
запросить цену
 ECAD 9519 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-S Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (13х11) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 180 Энергонезависимый 128Мбит 90 нс ВСПЫШКА 8М х 16 Параллельно 60нс
NLQ26PFS-8NAT Insignis Technology Corporation NLQ26PFS-8NAT 8,8663
запросить цену
 ECAD 7230 0,00000000 Инсигнис Технолоджик Корпорейшн Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В 200-ФБГА (10х14,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 1982-NLQ26PFS-8NAT 136 1,2 ГГц Неустойчивый 2Гбит 3,5 нс ДРАМ 128М х 16 ЛВСТЛ 18нс
S29GL01GT11FAIV10 Infineon Technologies S29GL01GT11FAIV10 13.5800
запросить цену
 ECAD 8334 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-Т Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL01 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (13х11) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1800 г. Энергонезависимый 1Гбит 110 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно 60нс
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E -
запросить цену
 ECAD 2632 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) МТ53Д1Г64 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В - 1 (без блокировки) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1190 2133 ГГц Неустойчивый 64Гбит ДРАМ 1Г х 64 - -
IS62WV25616EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BLI-TR 4.1409
запросить цену
 ECAD 1999 год 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА ИС62ВВ25616 SRAM — асинхронный 1,65 В ~ 2,2 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Неустойчивый 4 Мбит 55 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 55нс
IS61VPS51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ВПС51236А-200Б3И -
запросить цену
 ECAD 3299 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА IS61VPS51236 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3,1 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
S25FS256SAGBHV200 Infineon Technologies S25FS256SAGBHV200 5.0050
запросить цену
 ECAD 3347 0,00000000 Инфинеон Технологии ФС-С Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ С25ФС256 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0051 676 133 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
CY7C1370KV33-200AXCT Infineon Technologies CY7C1370KV33-200AXCT 31,9375
запросить цену
 ECAD 1484 0,00000000 Инфинеон Технологии НоБЛ™ Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1370 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.