Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25Q256FVCIP ТР | - | ![]() | 7031 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||
![]() | M29W128GL90N6E | - | ![]() | 1419 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | M29W128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 128Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 16м х 8, 8м х 16 | Параллельно | 90 нс | ||||
![]() | 71В65803С100ПФГ8 | 12.2745 | ![]() | 1032 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В65803 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 100 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 5 нс | СРАМ | 512К х 18 | Параллельно | - | ||
| R1LP0108ESA-7SR#B0 | - | ![]() | 6164 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | Р1ЛП0108 | СРАМ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 70 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | IS61WV10248BLL-10MLI-TR | 12.7500 | ![]() | 8985 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS61WV10248 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-миниBGA (9x11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 8 Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 10 нс | |||
![]() | ИС43Р16160Д-5ТЛ | 4,7138 | ![]() | 3797 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС43Р16160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | FM25C160UM8 | 0,5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | FM25C160 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2,1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | СПИ | 10 мс | |||
| МТ46Х4М32ЛФБ5-6 АТ:К | - | ![]() | 8218 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ВФБГА | МТ46Х4М32 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ВФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 166 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | 15нс | |||
| MT40A2G8NRE-083E:B | - | ![]() | 5313 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ40А2Г8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-ФБГА (8х12) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1140 | 1,2 ГГц | Неустойчивый | 16Гбит | ДРАМ | 2G х 8 | Параллельно | - | |||||
![]() | S25FL128SAGMFB010 | 4,2754 | ![]() | 3564 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||
![]() | С-24С16ДИ-И8Т1У5 | 0,2398 | ![]() | 1843 г. | 0,00000000 | АБЛИК Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | С-24С16 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | СНТ-8А | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 500 нс | ЭСППЗУ | 2К х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | EM6GD08EWAHH-10H | 2,9953 | ![]() | 6440 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6GD08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (7,5х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GD08EWAHH-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15нс | |
![]() | CY7C1565KV18-400BZC | - | ![]() | 7835 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1565 | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | ИС42С16100К1-5ТЛ | - | ![]() | 1225 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 200 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | ||
![]() | CY7C10612GN30-10ZSXIT | 146,9125 | ![]() | 1455 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C10612 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
| S26KL128SDABHB023 | 6,7725 | ![]() | 1829 г. | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KL | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КЛ128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | 100 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | АС7К164А-15ДЖИН | 3.0706 | ![]() | 5589 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | AS7C164 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Неустойчивый | 64Кбит | 15 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | БР25Г512Ф-3ГЭ2 | 1,5300 | ![]() | 8265 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | БР25Г512 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 2500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | ЭСППЗУ | 64К х 8 | СПИ | 5 мс | |||
![]() | 70В9359С12ПФ | - | ![]() | 6165 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 70В9359 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | - | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 144Кбит | 12 нс | СРАМ | 8К х 18 | Параллельно | - | ||||
![]() | ГД9ФУ1Г8Ф2ДМГИ | 2,3296 | ![]() | 1747 г. | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | ГД9Ф | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | 1970-ГД9ФУ1Г8Ф2ДМГИ | 960 | Энергонезависимый | 1Гбит | 9 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | ОНФИ | 12 нс, 600 мкс | ||||||||
![]() | 520966231136 | - | ![]() | 1460 г. | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | - | - | - | - | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | AT28C64X-20JI | - | ![]() | 9603 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | АТ28С64 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | AT28C64X20JI | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | Энергонезависимый | 64Кбит | 200 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | Параллельно | 1 мс | ||
![]() | CY7C1049G18-15ZSXIT | 6,3875 | ![]() | 9601 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1049 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4 Мбит | 15 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | 27С21АЖК | 12.7300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Рочестер Электроникс, ООО | - | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CY7C1315JV18-300BZC | - | ![]() | 8221 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1315 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | А3721504-С | 193,7500 | ![]() | 8354 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А3721504-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | ИС42С16400Д-7БЛ | - | ![]() | 8155 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС42С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 60-МиниBGA (6,4х10,1) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | - | ||
![]() | М24М02-ДРМН6ТП | 3.1800 | ![]() | 4629 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | М24М02 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | 450 нс | ЭСППЗУ | 256К х 8 | I²C | 10 мс | ||
![]() | R1RW0416DSB-2LR#D1 | 5.6070 | ![]() | 9941 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | R1RW0416 | СРАМ | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 12нс | |||
![]() | CAT25C08YGI-1.8-T3 | 0,1400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 14-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | КАТ25C08 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 14-ЦСОП | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | 2156-CAT25C08YGI-1.8-T3-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 1 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | 250 нс | ЭСППЗУ | 1К х 8 | СПИ | 10 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)