- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 43Р1756-С | 17.5000 |  | 7855 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-43Р1756-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71В416Л10ИГ8 | - | | 5430 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 71В416Л | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||
 | RMLV0414EGSB-4S2#HA0 | - | | 7065 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | RMLV0414 | СРАМ | 2,7 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4 Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 45нс | ||||
 | С29ГЛ128Н90ТФАР20 | - | | 7879 | 0,00000000 | Расширение | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-N | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 128Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 16м х 8, 8м х 16 | Параллельно | 90 нс | ||||
 | МТ41К256М16ХА-125 М АИТ:Е | - | | 4803 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К256М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 13,75 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | - | |||
 | CY7C131-55JXCT | - | | 4482 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 52-LCC (J-вывод) | CY7C131 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 52-ПЛСС (19,13х19,13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 350 | Неустойчивый | 8Кбит | 55 нс | СРАМ | 1К х 8 | Параллельно | 55нс | ||||
 | CY7C027V-20AC | - | | 3731 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C027 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 512Кбит | 20 нс | СРАМ | 32К х 16 | Параллельно | 20нс | ||||
| МТ61К512М32КПА-24:У ТР | 33,4650 | | 8915 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 180-ТФБГА | СГРАММ-GDDR6 | 1,3095 В ~ 1,3905 В | 180-ФБГА (12х14) | - | 557-МТ61К512М32КПА-24:УТР | 2000 г. | 12 ГГц | Неустойчивый | 16Гбит | ДРАМ | 512М х 32 | ПОД_135 | - | |||||||||
 | S25FL128SAGBHIA00 | 3.5000 | | 440 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ-С | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 8542.32.0051 | 86 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | Не проверено | ||||
 | AT45DB081D-СУ | - | | 1433 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Трубка | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT45DB081 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 66 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 4096 страниц | СПИ | 4 мс | ||||||
 | EM6HE08EW9G-10H | 7.1250 | | 6136 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6HE08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (7,5х10,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15нс | |||
 | FT24C128A-UDR-B | - | | 2542 | 0,00000000 | Фремонт Микро Девайс Лтд. | - | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | FT24C128 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ДИП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 16К х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | ИС64ВВ102416БЛЛ-10МЛА3 | 26.2419 | | 2657 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS64WV102416 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-миниBGA (9x11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||
 | CY62146CV30LL-55BAI | 2.3000 | | 216 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ2™ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY62146 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,3 В | 48-ФБГА (7х8,5) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
 | TC58NVG1S3HBAI4 | - | | 7572 | 0,00000000 | Киоксиа Америка, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | TC58NVG1 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-ТФБГА (9х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | TC58NVG1S3HBAI4JDH | 3А991А2 | 8542.32.0071 | 210 | Энергонезависимый | 2Гбит | 25 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | 25нс | |||
 | W29GL128CH9T | - | | 6991 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | W29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 128Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 16м х 8, 8м х 16 | Параллельно | 90 нс | ||||
| S70KL1282GABHI020 | 7.2450 | | 2299 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГиперОЗУ™ КЛ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3380 | 200 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 35 нс | ПСРАМ | 16М х 8 | Гипербус | 35 нс | |||||
 | S25FL128LAGNFB013 | 4,2875 | | 8129 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FL-L | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | S25FL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D ТР | - | | 7975 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -25°С ~ 85°С (ТА) | - | - | MT29RZ4C8 | ФЛЭШ-NAND, DRAM- LPDDR2 | 1,8 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 533 МГц | Энергонезависимый, Летучий | 4 Гбит (NAND), 4 Гбит (LPDDR2) | ФЛЕШ, ОЗУ | 256 М x 16 (NAND), 128 М x 32 (LPDDR2) | Параллельно | - | ||||
 | D5116AN9CXGRK-U | 4.3300 | | 183 | 0,00000000 | Кингстон | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 95°С | Поверхностный монтаж | 96-ФБГА | Д5116 | SDRAM-DDR4 | 1,2 В | 96-ФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3217-Д5116АН9СХГРК-У | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 8Гбит | ДРАМ | 512М х 16 | |||||||
 | ГВТ71256Г18Т-5 | 1,7100 | | 7 | 0,00000000 | Гальвантек | GTV71256G | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С | Поверхностный монтаж | 100-TQFP | ГВТ71256Г | СРАМ | 3,3 В | - | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4 нс | СРАМ | 256К х 18 | - | ||||||
 | CAT24C04WI-G | 0,1800 | | 121 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ24C04 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 512 х 8 | I²C | 5 мс | |||
| K6X0808C1D-BF55 | 6.0000 | | 806 | 0,00000000 | Самсунг Полупроводник, Инк. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОП | - | 3277-K6X0808C1D-BF55 | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Неустойчивый | 256Кбит | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 55нс | Не проверено | ||||||||
 | CAT24C512YE-GT3 | - | | 8481 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | КАТ24C512 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | ||||||
 | М95160-МН6П | - | | 9009 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | М95160 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
 | ГС8256418ГД-250И | 448,5000 | | 9070 | 0,00000000 | Компания GSI Technology Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 100°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | GS8256418 | SRAM — синхронный, стандартный | 2,3 В ~ 2,7 В, 3 В ~ 3,6 В | 165-ФПБГА (15х13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2364-ГС8256418ГД-250И | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | СРАМ | 16М х 18 | Параллельно | - | |||
 | FM21LD16-60-БГ | - | | 6044 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | F-RAM™ | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | FM21LD16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Энергонезависимый | 2Мбит | 110 нс | ФРАМ | 128 КБ х 16 | Параллельно | 110 нс | Не проверено | |||||
 | FM1808B-СГ | 12.8300 | | 1 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | F-RAM™ | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | FM1808 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 540 | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 130 нс | |||||
 | 71В321С55ПФ8 | - | | 7675 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 71В321С | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 16Кбит | 55 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 55нс | ||||
| EDB4432BBBJ-1DAAT-FD | - | | 8621 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | ЭДБ4432 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ФБГА (10х11,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2100 | 533 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | ДРАМ | 128М х 32 | Параллельно | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)