- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MX25L2006EZUI-12G | 0,5500 |  | 10 | 0,00000000 | Макроникс | MX25xxx05/06/08 | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | MX25L2006 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-УСОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 000 | 86 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 256К х 8 | СПИ | 50 мкс, 3 мс | ||||
 | КАТ28LV256G-25 | 4.0400 | | 789 | 0,00000000 | онсеми | * | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | КАТ28LV256 | ЭСППЗУ | 3 В ~ 3,6 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | - | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-CAT28LV256G-25-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 256Кбит | 250 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | 10 мс | |||||
| CG8853ATT | - | | 9975 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 1 | ||||||||||||||||||||
| MTFC64GAPALNA-AAT ES | - | | 2147 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Устаревший | МТФЦ64 | - | 1 (без блокировки) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 980 | |||||||||||||||||||
 | 71V65603S133BQGI | 28.5570 | | 5978 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | 71В65603 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 133 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | |||
 | S29GL064N90FFIS20 | 12.9100 | | 718 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ГЛ-Н | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL064 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | 39 | Энергонезависимый | 64 Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 8м х 8, 4м х 16 | Параллельно | 90 нс | Не проверено | ||||||||
 | CY62148EV30LL-55ZSXE | 6.6500 | | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) | CY62148 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 32-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 46 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 55нс | Не проверено | |||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:E | 52,9800 | | 8773 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:E | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА100БКИ8 | 8.5003 | | 5754 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | 71В3556 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||
 | SM662PXE ЛУЧШИЙ | 90,6400 | | 5 | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | Ферри-eMMC® | Поднос | Активный | - | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | - | 100-БГА (14х18) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1984-SM662PXEBEST | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1520 г. | Энергонезависимый | - | ВСПЫШКА | eMMC | - | ||||||
 | 6116SA20SOI | 2,9400 | | 326 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | 6116SA | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 24-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 16Кбит | 20 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 20 нс | ||||
| СМ662ГБД БФСС | 49.3700 | | 5 | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | Ферри-eMMC® | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | СМ662 | ФЛЕШ-NAND (SLC), ФЛЕШ-NAND (TLC) | - | 100-БГА (14х18) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1984-SM662GBDBFSS | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 980 | Энергонезависимый | 320Гбит | ВСПЫШКА | 40 г х 8 | eMMC | - | |||||
 | CY7C1462KV25-250BZXC | - | | 5418 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1462 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2832-CY7C1462KV25-250BZXC | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | 2,5 нс | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | ||
 | CY7C1061GE18-15BV1XIT | 38.5000 | | 5661 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY7C1061 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 16Мбит | 15 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 15нс | ||||
| MT53E384M32D2FW-046 МТА:Е | 10.7700 | | 2007 год | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | скачать | 557-MT53E384M32D2FW-046AIT:E | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D | - | | 2212 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | MT29F4G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-ВФБГА (9х11) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1260 | Энергонезависимый | 4Гбит | ВСПЫШКА | 512М х 8 | Параллельно | - | |||||
 | АТ49БВ160Д-70ТУ | - | | 5174 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | АТ49БВ160 | ВСПЫШКА | 2,65 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 16Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 1М х 16 | Параллельно | 120 мкс | ||||
 | 25AA02UIDT-I/СН | 0,5400 | | 8399 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 25АА02 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 10 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
 | S25FL129P0XNFI010 | - | | 8925 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-П | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УДФН Открытая площадка | S25FL129 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-УСОН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 338 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 3 мс | ||||
| SNP61H6HC/4G-C | 25.0000 | | 1801 г. | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-SNP61H6HC/4G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| CG8002AA | - | | 4397 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 1 | ||||||||||||||||||||
 | А7187318-С | 48.5000 | | 3041 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А7187318-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STK12C68-WF45 | - | | 2743 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | СТК12C68 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 13 | Энергонезависимый | 64Кбит | 45 нс | НВСРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 45нс | ||||
| IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR | 11.3050 | | 8234 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR | 1000 | Неустойчивый | 8 Мбит | 10 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 10 нс | |||||||
 | ИС49НЛК18160-33Б | - | | 1608 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | IS49NLC18160 | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-FCBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 16М х 18 | Параллельно | - | |||
 | AT24C256-10UI-2.7 | - | | 7440 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВФБГА | AT24C256 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8 дБГА (3,81x2,34) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | I²C | 10 мс | |||
| CY62157G30-45BVXAT | 20.0200 | | 5007 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 2000 г. | Неустойчивый | 8 Мбит | 45 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 45нс | |||||||
 | MTFC16GAKAEEF-AIT TR | - | | 6841 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | e•MMC™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 169-ТФБГА | МТФК16 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,9 В | 169-ТФБГА (14х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | ММК | - | |||||
| GD25LQ32EQIGR | 0,7020 | | 7196 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-XDFN Открытая площадка | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,65 В ~ 2 В | 8-УСОН (4х4) | скачать | 1970-GD25LQ32EQIGRTR | 3000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 60 мкс, 2,4 мс | ||||||||
| CG7099AM | - | | 6200 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 1 |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)