SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
93AA46T/SN Microchip Technology 93АА46Т/СН 0,6750
запросить цену
ECAD 7050 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 93АА46 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 93AA46T/СН-НДР EAR99 8542.32.0051 3300 2 МГц Энергонезависимый 1Кбит ЭСППЗУ 128 х 8, 64 х 16 Микропровод 10 мс
CY62137CVSL-70BAXI Cypress Semiconductor Corp CY62137CVSL-70BAXI 1,2800
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY62137 SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 234 Неустойчивый 2Мбит 70 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 70нс Не проверено
70261L20PFG Renesas Electronics America Inc 70261L20PFG -
запросить цену
ECAD 3317 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 70261L20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) - 800-70261Л20ПФГ УСТАРЕВШИЙ 1 Неустойчивый 256Кбит 20 нс СРАМ 16К х 16 Параллельно 20 нс
CY7C1018DV33-10VXI Infineon Technologies CY7C1018DV33-10VXI 3.6300
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Инфинеон Технологии - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C1018 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 32-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 23 Неустойчивый 1 Мбит 10 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 10 нс
W631GU8NB11I Winbond Electronics W631GU8NB11I 4.8800
запросить цену
ECAD 242 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ВФБГА W631GU8 SDRAM-DDR3L 1283 В ~ 1,45 В, 1425 В ~ 1575 В 78-ВФБГА (8х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-В631ГУ8НБ11И EAR99 8542.32.0032 242 933 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 8 Параллельно 15нс
71V67803S166BQG8 Renesas Electronics America Inc 71V67803S166BQG8 32.2143
запросить цену
ECAD 3425 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА 71В67803 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 165-КАБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. 166 МГц Неустойчивый 9Мбит 3,5 нс СРАМ 512К х 18 Параллельно -
7142LA55J8 Renesas Electronics America Inc 7142LA55J8 -
запросить цену
ECAD 6306 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 52-LCC (J-вывод) 7142LA SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 52-ПЛСС (19,13х19,13) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 400 Неустойчивый 16Кбит 55 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 55нс
CY7C1024AV33-10ACT Cypress Semiconductor Corp CY7C1024AV33-10ACT 6.7500
запросить цену
ECAD 750 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1024 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 750 Неустойчивый 3Мбит 10 нс СРАМ 128К х 24 Параллельно 10 нс
S25FL132K0XMFI041 Cypress Semiconductor Corp S25FL132K0XMFI041 8.0700
запросить цену
ECAD 62 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФЛ1-К Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) S25FL132 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3А991Б1А 8542.32.0071 97 108 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
IS62WV5128EBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI-TR -
запросить цену
ECAD 2908 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 36-ТФБГА ИС62ВВ5128 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 36-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 1 Неустойчивый 4 Мбит 45 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 45нс
R1LV5256ESP-5SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV5256ESP-5SI#S0 -
запросить цену
ECAD 7417 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,330 дюйма, 8,40 мм) Р1ЛВ5256 СРАМ 2,7 В ~ 3,6 В 28-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 256Кбит 55 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 55нс
CY62137CV30LL-55BAI Cypress Semiconductor Corp CY62137CV30LL-55BAI 1.2000
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY62137 SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 3,3 В 48-ФБГА (7х7) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
W25X20AVSNIG Winbond Electronics W25X20AVСНИГ -
запросить цену
ECAD 6843 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) W25X20 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 100 100 МГц Энергонезависимый 2Мбит ВСПЫШКА 256К х 8 СПИ 3 мс
CY7C1021CV33-10ZSXA Infineon Technologies CY7C1021CV33-10ZSXA 6.3400
запросить цену
ECAD 535 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Последняя покупка -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1021 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 135 Неустойчивый 1 Мбит 10 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 10 нс
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B -
запросить цену
ECAD 9147 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) - - МТ53Б768 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В - - 1 (без блокировки) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1680 г. 1,6 ГГц Неустойчивый 24Гбит ДРАМ 768М х 32 - -
7005L20PFGI8 Renesas Electronics America Inc 7005L20PFGI8 42,4681
запросить цену
ECAD 2486 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP 7005L20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 64-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 750 Неустойчивый 64Кбит 20 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 20 нс
BR24C16-RMN6TP Rohm Semiconductor BR24C16-RMN6TP 0,6900
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) BR24C16 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 100 кГц Энергонезависимый 16Кбит ЭСППЗУ 2К х 8 I²C 10 мс
IS49NLC96400-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС49НЛК96400-25БЛ -
запросить цену
ECAD 4659 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 144-ТФБГА IS49NLC96400 РЛДРАМ 2 1,7 В ~ 1,9 В 144-FCBGA (11х18,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 104 400 МГц Неустойчивый 576Мбит 20 нс ДРАМ 64М х 9 Параллельно -
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAAT-FR ТР -
запросить цену
ECAD 7708 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 134-ВФБГА ЭДБ4432 SDRAM — мобильный LPDDR2 1,14 В ~ 1,95 В 134-ФБГА (10х11,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 533 МГц Неустойчивый 4Гбит ДРАМ 128М х 32 Параллельно -
AT27C512R-55JC Microchip Technology AT27C512R-55JC -
запросить цену
ECAD 2434 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) AT27C512 СППЗУ-ОТП 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (13,97х11,43) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается AT27C512R55JC 3A991B1B2 8542.32.0061 32 Энергонезависимый 512Кбит 55 нс СППЗУ 64К х 8 Параллельно -
R1LV1616RSD-5SI#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV1616RSD-5SI#B0 -
запросить цену
ECAD 2486 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 52-ТФСОП (ширина 0,350 дюйма, 8,89 мм) Р1ЛВ1616Р СРАМ 2,7 В ~ 3,6 В 52-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 16Мбит 55 нс СРАМ 2М х 8, 1М х 16 Параллельно 55нс
IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16512Б-125КБЛИ 26.1600
запросить цену
ECAD 658 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS43TR16512 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-TWBGA (10x14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-1657 EAR99 8542.32.0036 136 800 МГц Неустойчивый 8Гбит 20 нс ДРАМ 512М х 16 Параллельно -
AT25SF041-SSHDHR-T Renesas Design Germany GmbH AT25SF041-SSHDHR-T -
запросить цену
ECAD 5192 0,00000000 Ренесас Дизайн Германия ГмбХ - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 125°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) АТ25SF041 ВСПЫШКА – НО 2,5 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 104 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 2,5 мс Не проверено
A1837307-C ProLabs А1837307-С 17.5000
запросить цену
ECAD 6908 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А1837307-С EAR99 8473.30.5100 1
71V546S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71В546С133ПФ 1,6600
запросить цену
ECAD 986 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 71В546 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 4,2 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
2035-200 Infineon Technologies 2035-200 -
запросить цену
ECAD 3424 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 1
MT29F8G16ABACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAWP:C ТР -
запросить цену
ECAD 4581 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) МТ29Ф8Г16 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП I - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 8Гбит ВСПЫШКА 512М х 16 Параллельно -
SMJ4161-15JDS Texas Instruments SMJ4161-15JDS 14.6700
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Техасские инструменты * Масса Активный скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0071 1
46W0711-C ProLabs 46W0711-С 72,5000
запросить цену
ECAD 5604 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-46W0711-С EAR99 8473.30.5100 1
W97BH2MBVA2E TR Winbond Electronics W97BH2MBVA2E ТР 5.6100
запросить цену
ECAD 2309 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Активный -25°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 134-ВФБГА W97BH2 SDRAM — мобильный LPDDR2-S4B 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В 134-ВФБГА (10х11,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W97BH2MBVA2ETR EAR99 8542.32.0036 3500 400 МГц Неустойчивый 2Гбит ДРАМ 64М х 32 ХСУЛ_12 15нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе