- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | М24М01-РМН6П | 1,7900 |  | 3 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | М24М01 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | 500 нс | ЭСППЗУ | 128 КБ х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | AS4C256M16D3LC-12BCNTR | 11.3300 | | 2 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | AS4C256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | |||
 | МТ42Л16М32Д1АС-25 ААТ:А ТР | - | | 6641 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | МТ42Л16М32 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | ||||
 | 25ЛК256-Э/СТ16КВАО | - | | 1460 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 25LC256 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 5 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ЭСППЗУ | 32К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
 | ИС61НЛФ51236-6.5Б3 | - | | 6126 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61NLF51236 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
 | CY62128BLL-70ZAXE | 2.1400 | | 4 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY62128 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 70 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 70нс | ||||
 | S29GL032N90FFIS23 | - | | 1374 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-Н | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL032 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1600 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8, 2М х 16 | Параллельно | 90 нс | ||||
 | АС7К34098Б-10БАН | 5.2554 | | 2315 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ЛФБГА | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-AS7C34098B-10БАН | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||
 | ИС42С32400Б-7ТЛ | - | | 9697 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | |||
 | CY62147DV30L-55BVXE | - | | 1422 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62147 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
 | NDQ86PFI-7NET | 10.6400 | | 3602 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | NDQ86P | Поднос | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 96-ФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1982-NDQ86PFI-7NET | 198 | 1333 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | 18 нс | ДРАМ | 512М х 16 | ПОД | 15нс | ||||||
 | 71В424Л10ИГ | 4.5600 | | 1049 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 71В424 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 36-СОЮ | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 46 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 10 нс | |||||||
 | CYD09S72V18-167BGXC | 151,4800 | | 32 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 484-БГА | CYD09S72 | SRAM — двухпортовый, стандартный | 1,7 В ~ 1,9 В, 2,4 В ~ 2,6 В, 2,7 В ~ 3,3 В | 484-ПБГА (23х23) | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 3,3 нс | СРАМ | 128К х 72 | Параллельно | - | ||||||
 | 24АА01Т-И/СН16КВАО | - | | 8875 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 24АА01 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 3,5 мкс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | ||||
| 309977-128 01 | - | | 6676 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | - | Поставщик не определен | REACH не касается | 309977-12801 | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | ИС34МВ02Г084-ТЛИ | 6.8500 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ИС34МВ02 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1637 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 2Гбит | 45 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | 45нс | |||
 | ИДТ70Т3319С133ДД | - | | 2816 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-LQFP Открытая колодка | ИДТ70Т3319 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 2,4 В ~ 2,6 В | 144-ТКФП (20х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 70Т3319С133ДД | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | ||
| S29CD016J0MFAM010 | - | | 1326 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Масса | Активный | - | 2156-С29CD016J0MFAM010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CY7C1413BV18-250BZC | 49.1400 | | 474 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1413 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
 | S29CL016J0PFFM033 | - | | 9030 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | CL-J | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-ЛБГА | S29CL016 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 3,6 В | 80-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1600 | 66 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 54 нс | ВСПЫШКА | 512К х 32 | Параллельно | 60нс | |||
| IS46LQ32640AL-062BLA1-TR | - | | 9194 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС46ЛК32640АЛ-062БЛА1-ТР | 2500 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 64М х 32 | ЛВСТЛ | 18нс | ||||||
| MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 | 5.4170 | | 6446 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||
| 811600-71480870 | - | | 8872 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
| W957A8MFYA5I ТР | 2,7171 | | 8567 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ГиперОЗУ | 3 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 256-В957А8МФЯ5ИТР | 2000 г. | 200 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 36 нс | ДРАМ | 16М х 8 | Гипербус | 35 нс | ||||||
 | CY7C1315BV18-200BZXC | - | | 9957 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1315 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||||
 | N25Q128A11EF740F ТР | - | | 6864 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | N25Q128A11 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 8-ВДФН (6х5) (МЛП8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 108 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 4 | СПИ | 8 мс, 5 мс | ||||
| 687462-001-С | 36.2500 | | 4022 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-687462-001-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT49H16M18SJ-25 ИТ:Б ТР | - | | 7500 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | МТ49Н16М18 | ДРАМ | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-ФБГА (18,5х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 16М х 18 | Параллельно | - | |||
| MTFC32GAPALGT-S1 ИТ | 25.8300 | | 6204 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | e•MMC™ | Коробка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 153-ТФБГА | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 153-ТФБГА (11,5х13) | - | 557-MTFC32GAPALGT-S1IT | 1 | 200 МГц | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | eMMC_5.1 | - | |||||||||
| IS43LQ32640AL-062BLI | - | | 9199 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС43ЛК32640АЛ-062БЛИ | 136 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 64М х 32 | ЛВСТЛ | 18нс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)