- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V3577SYZC3G | - |  | 4316 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | - | - | 71В3577 | SRAM – стандартный | 3135 В ~ 3465 В | - | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||||
 | 315-0649-000ААА | - | | 9938 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MX78U64A00FXDJ02 | 2,0760 | | 4280 | 0,00000000 | Макроникс | - | Поднос | Активный | - | 3 (168 часов) | 1092-MX78U64A00FXDJ02 | 480 | ||||||||||||||||||||
 | IM4G16D3FDBG-093I | 8.5000 | | 418 | 0,00000000 | Интеллектуальная Память, ООО | - | Коробка | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | ИМ4Г16Д3Ф | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 4003-IM4G16D3FDBG-093I | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 | 2133 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | |
| IS61WV204816ALL-12TLI-TR | 17.8353 | | 9975 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS61WV204816ALL-12TLI-TR | 1500 | Неустойчивый | 32 Мбит | 12 нс | СРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 12нс | ||||||
 | AT25QF641B-MHB-T | 1.4000 | | 35 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УДФН Открытая площадка | AT25QF641 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-УДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 6000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 4 мс | |||
 | IS25LP256D-RHLE | 5.0200 | | 8 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ИС25ЛП256 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 480 | 133 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | |||
 | 25LC160T/СН | 1.1100 | | 9077 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 25LC160 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 25LC160T/СН-НДР | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 2 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | СПИ | 5 мс | ||
 | ИС46ДР81280Б-25ДБЛА2-ТР | - | | 3396 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС46ДР81280 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2000 г. | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 400 пс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
 | CY62147G30-45BVXAT | 7.5075 | | 6624 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62147 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 4 Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 45нс | |||
 | MT58L1MY18PT-10 | 21.2200 | | 4683 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | СИНКБЕРСТ™ | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | MT58L1MY18 | СРАМ | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х20,1) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 5 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||
 | 71Т75602С150БГИ | 43.1361 | | 3068 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71Т75602 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 2375 В ~ 2625 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 150 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,8 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
| CY7C09369V-9AC | 22.5600 | | 311 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C09369 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 67 МГц | Неустойчивый | 288Кбит | 9 нс | СРАМ | 16К х 18 | Параллельно | - | ||
| W634GU6QB-09 ТР | 5.1600 | | 3889 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W634GU6 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W634GU6QB-09TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 3000 | 1,06 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | |
 | CY7C1520V18-167BZXC | - | | 6983 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1520 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | |||
 | IS61LF51218A-7.5TQLI | 15.4275 | | 9237 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IS61LF51218 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 512К х 18 | Параллельно | - | ||
| MT29F4T08EULCEM4-R:C | - | | 6844 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | - | - | MT29F4T08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | - | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-R:C | УСТАРЕВШИЙ | 8542.32.0071 | 1120 | Энергонезависимый | 4 Тбит | ВСПЫШКА | 512Г х 8 | Параллельно | - | ||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C | 67,8450 | | 5012 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | -25°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 556-ТФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4 | - | 556-ВФБГА (12,4х12,4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT:C | 1 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 96Гбит | ДРАМ | 1,5 м х 64 | - | - | ||||||||
| SST26WF064CT-104I/SO | - | | 5312 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SST26 SQI® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | SST26WF064 | ВСПЫШКА | 1,65 В ~ 1,95 В | 16-СОИК | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-SST26WF064CT-104I/СОТР | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | |||
 | CY7C107B-25VC | 10.7300 | | 3 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C107 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 25 нс | СРАМ | 1М х 1 | Параллельно | 25нс | |||
 | CY7C1021BN-15VXET | - | | 6205 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1021 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 1 Мбит | 15 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 15нс | |||
 | JS28F256M29EWHD | - | | 5766 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ДЖС28Ф256М29 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 256Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8, 16М х 16 | Параллельно | 110 нс | |||
 | W25Q128JVEAQ | - | | 9945 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8x6) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q128JVEAQ | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||
 | 7024L15J | - | | 3687 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | 7024L15 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Неустойчивый | 64Кбит | 15 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 15нс | |||
| MT53E768M64D4HJ-046 AAT:B TR | 47,8950 | | 6241 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 556-ТФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В | 556-ВФБГА (12,4х12,4) | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT:БТР | 2000 г. | 2133 ГГц | Неустойчивый | 48Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 768 м х 64 | Параллельно | 18нс | |||||||
 | S29GL256P11FFIV10 | 11.1800 | | 79 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-П | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 180 | Энергонезависимый | 256Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | 110 нс | |||
 | IDT71V416YL12Y8 | - | | 3924 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИДТ71В416 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В416ИЛ12И8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 12нс | ||
 | 93LC86AT-E/МС | - | | 5825 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) | 93LC86 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 3 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | Микропровод | 5 мс | |||
| EDW4032BABG-70-FD | - | | 9684 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 170-ТФБГА | ЭДВ4032 | СГРАММ — GDDR5 | 1,31 В ~ 1,65 В | 170-ФБГА (12х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1440 | 1,75 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | БАРАН | 128М х 32 | Параллельно | - | |||
| MTFC32GLUDM-WT | - | | 5751 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | e•MMC™ | Масса | Устаревший | -25°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | - | МТФК32Г | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | ММК | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)