- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7130SA55C | 83.1160 |  | 6643 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Последняя покупка | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 48-ДИП (0,600", 15,24 мм) | 7130SA | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-СТОРОННАЯ ПАЙКА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 8 | Неустойчивый | 8Кбит | 55 нс | СРАМ | 1К х 8 | Параллельно | 55нс | |||||
 | CY14B104L-ZS25XCT | - | | 1529 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY14B104 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 25 нс | НВСРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
 | MT62F1G32D2DS-026 WT:C | 22.8450 | | 5308 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | -25°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR5 | 1,05 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT:C | 1 | 3,2 ГГц | Неустойчивый | 32Гбит | ДРАМ | 1Г х 32 | Параллельно | - | ||||||||||
 | S27KL0641DABHI033 | - | | 8937 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГиперОЗУ™ КЛ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | S27KL0641 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 100 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 40 нс | ПСРАМ | 8М х 8 | Параллельно | - | ||||
 | 93LC66BX-E/SN | 0,4350 | | 3288 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93LC66 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 93LC66BX-E/СН-НДР | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 16 | Микропровод | 6 мс | ||||
 | S25FL164K0XBHIS30 | 0,8300 | | 1389 | 0,00000000 | Расширение | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FL1-K | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL164 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (6х8) | скачать | Непригодный | 3А991Б1А | 0000.00.0000 | 338 | 108 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||
 | 71В65803С150БГИ | 28.5570 | | 4135 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71В65803 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 150 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 3,8 нс | СРАМ | 512К х 18 | Параллельно | - | ||||
 | МТ46В32М4ТГ-75 :D | - | | 8843 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ46В32М4 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 750 пс | ДРАМ | 32М х 4 | Параллельно | 15нс | ||||
 | АТ49БВ040-15ВК | - | | 4601 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | AT49BV040 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-ВСОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | AT49BV04015VC | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 150 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 50 мкс | ||||
 | MR0A08BSO35 | - | | 7913 | 0,00000000 | Эверспин Технологии Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MR0A08 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 32-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 819-1027 | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 35 нс | БАРАН | 128 КБ х 8 | Параллельно | 35 нс | ||||
 | CY7C1514AV18-200BZXI | - | | 5864 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1514 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | |||||
 | CY7C15632KV18-450ZXC | 205.3200 | | 24 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C15632 | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 450 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | |||||
 | S29GL128S10DHIV10 | 5.5800 | | 1 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 260 | Энергонезависимый | 128Мбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 8М х 16 | Параллельно | 60нс | |||||
| MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR | - | | 9906 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | МТ53Д2048 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 1866 ГГц | Неустойчивый | 64Гбит | ДРАМ | 2Г х 32 | - | - | ||||||
 | ИС42С16160Д-7БИ | - | | 4213 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42С16160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-TW-BGA (8x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | ||||
 | AT24C256W-10SC-2,7 | - | | 6951 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT24C256 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | АТ24К256В-10СК2,7 | EAR99 | 8542.32.0051 | 94 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | I²C | 10 мс | |||
 | АТ34К04-МА5М-Т | 0,3400 | | 24 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -20°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | АТ34С04 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-УДФН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 1 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8 | I²C | 5 мс | |||||
 | MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E | 3,7059 | | 3848 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | MT29F2G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-ВФБГА (9х11) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1260 | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | - | ||||||
| HX-MR-1X322RV-AC | 245.0000 | | 2169 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-HX-MR-1X322RV-AC | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
| CY7C1355C-133BGXC | 10.8800 | | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | НоБЛ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1355 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 28 | 133 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
| БР24Х16Ф-5АСЕ2 | 0,7300 | | 2 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | 1 (без блокировки) | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | I²C | 3,5 мс | ||||||||||
| МТ51К256М32ХФ-70:А | - | | 4682 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 170-ТФБГА | МТ51К256 | СГРАММ — GDDR5 | - | 170-ФБГА (12х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1260 | 1,75 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | БАРАН | 256М х 32 | Параллельно | - | ||||||
 | CY14B256L-SP35XI | 12.6600 | | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-БССОП (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | CY14B256 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ССОП | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Энергонезависимый | 256Кбит | 35 нс | НВСРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 35 нс | Не проверено | ||||||
 | АТ24С01А-10СУ-1,8-Т | - | | 2958 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АТ24С01 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 4000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | ||||
 | MEM-DR480L-CL03-ER24-C | 87.5000 | | 6192 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-MEM-DR480L-CL03-ER24-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | А6996789-С | 37.0000 | | 5216 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А6996789-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AT25SF081-SSHD-T | - | | 2351 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АТ25SF081 | ВСПЫШКА – НО | 2,5 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 1М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 5 мс | |||||
 | DS28E02Q-W01+3T | - | | 5830 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -20°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 6-WDFN Открытая площадка | DS28E02 | ЭСППЗУ | 1,75 В ~ 3,65 В | 6-ТДФН (3х3) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 175-DS28E02Q-W01+3TTR | УСТАРЕВШИЙ | 2500 | Энергонезависимый | 1Кбит | 2 мкс | ЭСППЗУ | 256 х 4 | 1-Wire® | 25 мс | ||||||
 | MT29F64G08AEAAAC5-IT:A TR | - | | 1961 год | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 52-ВЛГА | MT29F64G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Не проверено | 2,7 В ~ 3,6 В | 52-ВЛГА (18х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 64Гбит | ВСПЫШКА | 8Г х 8 | Параллельно | - | ||||||
| 71В65703С75БГГ | 28.7073 | | 7315 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71В65703 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | Неустойчивый | 9Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)