- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT45DB642D-CU | - |  | 1425 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 24-LBGA, CSPBGA | АТ45ДБ642 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-CBGA (6х8) | скачать | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 378 | 66 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 1056 байт x 8192 страницы | СПИ | 6 мс | |||||||
 | S27KL0642DPBHI020 | 5.2900 | | 313 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГиперОЗУ™ КЛ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | S27KL0642 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 338 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 36 нс | ПСРАМ | 8М х 8 | Гипербус | 36нс | ||||
 | ИС61ВФ51236А-6.5Б3И | - | | 6002 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИС61ВФ51236 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||||
 | IDT71V124SA20TY8 | - | | 9563 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | ИДТ71В124 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 32-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В124СА20ТИ8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 20 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 20 нс | ||||
 | ИС46ТР16256Б-107МБЛА1 | 8.8181 | | 9446 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Масса | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС46ТР16256Б-107МБЛА1 | 190 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | |||||||
| CG8217AAT | - | | 5973 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 210 | |||||||||||||||||||
| S99AL016J70TFI013 | - | | 3318 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 1 | |||||||||||||||||||||
 | IS49NLS93200-25WBLI | - | | 6753 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | IS49NLS93200 | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-TWBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 32М х 9 | Параллельно | - | ||||
 | GS864018GT-250I | 105.7100 | | 9391 | 0,00000000 | Компания GSI Technology Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | GS864018 | SRAM — синхронный, стандартный | 2,3 В ~ 2,7 В, 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (20х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2364-GS864018ГТ-250И | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | ||||
 | 7025С45ПФ | - | | 7618 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 7025S45 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Неустойчивый | 128Кбит | 45 нс | СРАМ | 8К х 16 | Параллельно | 45нс | |||||
 | W25Q32FVTBAQ | - | | 2598 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (8х6) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q32FVTBAQ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||
| МР28Ф010-90/Р | 167.0300 | | 2 | 0,00000000 | Рочестер Электроникс, ООО | * | Масса | Активный | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT29C040A-10TI | - | | 2344 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AT29C040 | ВСПЫШКА | Не проверено | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | AT29C040A10TI | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 10 мс | |||
 | S25FL064LABMFA003 | 2,3562 | | 2755 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FL-L | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL064 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1450 | 108 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||
| SM671PECLBFSS | 29.5300 | | 5991 | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | - | Масса | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 1984-SM671PECLBFSS | 1 | ||||||||||||||||||||||
| S29GL256S10DHA020 | 6.2580 | | 2927 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-S | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 260 | Энергонезависимый | 256Мбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | CFI | 60нс | |||||||||
 | CY7C1357A-133AC | 7.5600 | | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | НоБЛ™ | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1357 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 512К х 18 | Параллельно | - | ||||
 | МР2А16АТС35CR | - | | 6254 | 0,00000000 | NXP США Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МР2А16 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 35 нс | БАРАН | 256К х 16 | Параллельно | 35нс | |||||
 | ИС66ВВЭ2М16БЛЛ-70БЛИ-ТР | - | | 5976 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ИС66ВВЭ2М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 2500 | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||||
| MT62F768M64D4EK-023 МТА:Б ТР | 43.5300 | | 3305 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 95°С | Поверхностный монтаж | 441-ТФБГА | МТ62Ф768 | SDRAM — мобильный LPDDR5 | - | 441-ТФБГА (14х14) | - | 557-МТ62Ф768М64Д4ЭК-023АИТ:БТР | 1500 | 3,2 ГГц | Неустойчивый | 48Гбит | ДРАМ | 768 м х 64 | Параллельно | - | |||||||||
| МБМ29LV160BE-90PBT | 1,5500 | | 4 | 0,00000000 | Фуджицу | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ВСПЫШКА – НО | 3В | 48-ФБГА | - | 3277-MBM29LV160BE-90PBTTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Энергонезависимый | 16Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8, 1М х 16 | Параллельно | Не проверено | ||||||||||
 | ИС62ЛВ256-70У | - | | 6944 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-СОП | ИС62ЛВ256 | SRAM — асинхронный | 3135 В ~ 3465 В | 28-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Неустойчивый | 256Кбит | 70 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 70нс | |||||
 | КАТ28F020L12 | - | | 1189 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | CAT28F020 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 11 | Энергонезависимый | 2Мбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 120 нс | ||||||
 | NAND32GW3F4AN6E | - | | 9054 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | NAND32G | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | -NAND32GW3F4AN6E | 3А991Б1А | 8542.32.0051 | 96 | Энергонезависимый | 32Гбит | 50 нс | ВСПЫШКА | 4G х 8 | Параллельно | 50 нс | ||||
 | 7164L25YG | - | | 4677 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | 7164Л | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 25 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||||||
 | AT25DF081A-SSH-B | 1,5100 | | 23 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Трубка | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | AT25DF081 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 100 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 256 байт х 4096 страниц | СПИ | 7 мкс, 3 мс | |||||
 | CY7C1049CV33-12ZSXAKJ | - | | 6865 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1049 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 12нс | |||||
 | AS7C3256A-12TINTR | 2.1024 | | 2656 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | AS7C3256 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 12 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 12нс | |||||
| S70GL02GT11FHB010 | - | | 3340 | 0,00000000 | Аналоговые устройства Inc. | - | Масса | Активный | - | 2156-С70ГЛ02ГТ11ФХБ010 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | W632GG8MB09I | - | | 4738 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | W632GG8 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ВФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 1067 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15нс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)