SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
MT62F2G64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8CL-023 WT:B 74.4900
запросить цену
ECAD 4341 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Активный -25°С ~ 85°С - - SDRAM-DDR5 1,05 В - - 557-MT62F2G64D8CL-023WT:B 1 4266 ГГц Неустойчивый 128Гбит ДРАМ 2Г х 64 Параллельно -
N25Q064A13ESFD0G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFD0G -
запросить цену
ECAD 6884 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) N25Q064A13 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1225 108 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 16М х 4 СПИ 8 мс, 5 мс
GS82582DT20GE-500I GSI Technology Inc. GS82582DT20GE-500I 448,5000
запросить цену
ECAD 6369 0,00000000 Компания GSI Technology Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 100°С (ТДж) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА GS82582DT20 SRAM — четырехпортовый, синхронный 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФПБГА (15х17) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 2364-GS82582DT20GE-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500 МГц Неустойчивый 288 Мбит СРАМ 16М х 18 Параллельно -
IS42RM32400G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42РМ32400Г-75БЛИ-ТР -
запросить цену
ECAD 2249 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42РМ32400 SDRAM – мобильная версия 2,3 В ~ 3 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 2500 133 МГц Неустойчивый 128Мбит 6 нс ДРАМ 4М х 32 Параллельно -
CY7C1380F-167BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1380F-167BGC 34.8100
запросить цену
ECAD 555 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1380 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 9 167 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3,4 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно - Не проверено
S25FL064P0XNFI000 Nexperia USA Inc. S25FL064P0XNFI000 1,3300
запросить цену
ECAD 4288 0,00000000 Нексперия США Инк. - Масса Устаревший - 2156-С25ФЛ064П0СНФИ000 57
DS2433AX-S#T Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2433AX-S#T -
запросить цену
ECAD 5101 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-XBGA, FCBGA DS2433 ЭСППЗУ - 6-ФлипЧип (2,82x2,54) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 2500 Энергонезависимый 4Кбит 2 мкс ЭСППЗУ 256 х 16 1-Wire® -
M30082040108X0PWAR Renesas Electronics America Inc M30082040108X0PWAR 25.4842
запросить цену
ECAD 4069 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка М30082040108 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 800-M30082040108X0PWARTR EAR99 8542.32.0071 4000 108 МГц Энергонезависимый 8Мбит БАРАН 2М х 4 СПИ -
25LC128T-E/SN Microchip Technology 25LC128T-E/SN 1,3400
запросить цену
ECAD 9927 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 25LC128 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3300 10 МГц Энергонезависимый 128Кбит ЭСППЗУ 16К х 8 СПИ 5 мс
IDT71V2556S100BG Renesas Electronics America Inc IDT71V2556S100BG -
запросить цену
ECAD 3875 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА ИДТ71В2556 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 119-ПБГА (14х22) скачать 3 (168 часов) REACH не касается 71В2556С100БГ 3A991B2A 8542.32.0041 84 100 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 5 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
M24C16-DRDW8TP/K STMicroelectronics M24C16-DRDW8TP/К 0,3018
запросить цену
ECAD 3630 0,00000000 СТМикроэлектроника Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) М24С16 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 4000 1 МГц Энергонезависимый 16Кбит 450 нс ЭСППЗУ 2К х 8 I²C 4 мс
S29GL512S10SFI020 Infineon Technologies С29ГЛ512С10СФИ020 -
запросить цену
ECAD 7475 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (13х11) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 2832-С29ГЛ512С10СФИ020 3A991B1A 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 512 Мбит 100 нс ВСПЫШКА 32М х 16 Параллельно 60нс
24AA64-I/SN Microchip Technology 24АА64-И/СН 0,5400
запросить цену
ECAD 3104 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 24АА64 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 64Кбит 900 нс ЭСППЗУ 8К х 8 I²C 5 мс
CY62256VLL-70ZC Infineon Technologies CY62256VLL-70ZC -
запросить цену
ECAD 6671 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Сумка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) CY62256 SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 3,6 В 28-ЦОП I скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 234 Неустойчивый 256Кбит 70 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 70нс
CY7C037V-25AXC Infineon Technologies CY7C037V-25AXC -
запросить цену
ECAD 3018 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C037 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 90 Неустойчивый 576Кбит 25 нс СРАМ 32К х 18 Параллельно 25нс
93C66C-I/S15K Microchip Technology 93C66C-I/S15K -
запросить цену
ECAD 7506 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж Править 93C66C ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 3 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8, 256 х 16 Микропровод 2 мс
CY7C1413KV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1413KV18-250BZI 42,8800
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1413 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать 7 250 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 2М х 18 Параллельно - Не проверено
MX25U1635EZUI-10G Macronix MX25U1635EZUI-10G 1.0600
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Макроникс MX25xxx35/36 — MXSMIO™ Поднос Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка MX25U1635 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 2 В 8-УСОН (4х4) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 490 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 30 мкс, 3 мс
MTFC256GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC256ГАЗАОТД-АИТ ТР 90,5250
запросить цену
ECAD 9917 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный - 557-MTFC256ГАЗАОТД-AITTR 2000 г.
27LS03DM/B Rochester Electronics, LLC 27ЛС03ДМ/Б 97.0600
запросить цену
ECAD 912 0,00000000 Рочестер Электроникс, ООО - Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A001A2C 8542.32.0071 1
IS25LP128-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JKLE-TR 1,6825
запросить цену
ECAD 4236 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка ИС25ЛП128 ВСПЫШКА – НО 2,3 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (6х5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 4500 133 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 1 мс
IS61NLP51236-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250TQLI-TR -
запросить цену
ECAD 5723 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИС61НЛП51236 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-LQFP (14x20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 МГц Неустойчивый 18 Мбит 2,6 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
70V24S25PF Renesas Electronics America Inc 70В24С25ПФ -
запросить цену
ECAD 1501 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 70В24С SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 45 Неустойчивый 64Кбит 25 нс СРАМ 4К х 16 Параллельно 25нс
S29GL512T12DHN010Y Spansion S29GL512T12DHN010Y 7.0000
запросить цену
ECAD 132 0,00000000 Расширение ГЛ-Т Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B1A 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 512 Мбит 120 нс ВСПЫШКА 64М х 8 Параллельно 60нс
A0655411-C ProLabs А0655411-С 17.5000
запросить цену
ECAD 7778 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А0655411-С EAR99 8473.30.5100 1
70V639S10PRFG Renesas Electronics America Inc 70В639С10ПРФГ 206,9463
запросить цену
ECAD 1582 г. 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 128-LQFP 70В639 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3,15 В ~ 3,45 В 128-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 6 Неустойчивый 2,25 Мбит 10 нс СРАМ 128К х 18 Параллельно 10 нс
13L77AA-C ProLabs 13Л77АА-С 41.0000
запросить цену
ECAD 185 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-13L77AA-C EAR99 8473.30.5100 1
AT93C46A-10SI Microchip Technology AT93C46A-10SI -
запросить цену
ECAD 4255 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 93С46А ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 2 МГц Энергонезависимый 1Кбит ЭСППЗУ 128 х 8, 64 х 16 3-проводной последовательный порт 10 мс
93AA86C/W15K Microchip Technology 93AA86C/W15K -
запросить цену
ECAD 2537 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж Править 93АА86 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 3 МГц Энергонезависимый 16Кбит ЭСППЗУ 2К х 8, 1К х 16 Микропровод 5 мс
BV439AV-C ProLabs БВ439АВ-С 17.5000
запросить цену
ECAD 7444 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-BV439AV-C EAR99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе