Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT41K256M16TW-107 ИТ:П ТР | 5.7000 | ![]() | 2247 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К256М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | МТ41К256М16TW-107IT:ПТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | S26KS512SDGBHV030 | 12.5200 | ![]() | 340 | 0,00000000 | Расширение | ГиперФлэш™ КС | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КС512 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 24 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
![]() | CY7C1444AV33-167AXCT | - | ![]() | 6957 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1444 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | 3,4 нс | СРАМ | 1М х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | FM24W256-Г | 6.4400 | ![]() | 9231 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | F-RAM™ | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | FM24W256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 97 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | |||
| W25N01GWTCIG ТР | 3.3026 | ![]() | 2019 год | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25N01 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25N01GWTCIGTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | |||
| W25Q80JVZPIQ ТР | - | ![]() | 5991 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q80 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 5000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | ВСПЫШКА | 1М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||
| 70Т631С10BCI8 | 268,9869 | ![]() | 7262 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 256-ЛБГА | 70Т631 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 2,4 В ~ 2,6 В | 256-КАБГА (17х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | 10 нс | |||||
![]() | CY14B108L-BA45XIT | 51.5025 | ![]() | 8818 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY14B108 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (6х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Энергонезависимый | 8Мбит | 45 нс | НВСРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 45нс | ||||
![]() | MT44K32M18RB-093E ИТ:А | - | ![]() | 4743 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ТБГА | МТ44К32М18 | ДРАМ | 1,28 В ~ 1,42 В | 168-БГА (13,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 1066 ГГц | Неустойчивый | 576Мбит | 8 нс | ДРАМ | 32М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | IS21TF16G-JCLI | 33.7200 | ![]() | 107 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | ИС21ТФ16Г | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 153-ВФБГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС21ТФ16Г-ДЖКЛИ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 152 | 200 МГц | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | ММК | - | |||
| R1LP5256ESA-5SI#B1 | 3.4700 | ![]() | 935 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | Р1ЛП5256 | СРАМ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | -1161-R1LP5256ESA-5SI#B1 | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Неустойчивый | 256Кбит | 55 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | S26HS01GTFPBHM033 | 27.2300 | ![]() | 8101 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Семпер™ | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 2 В | 24-ФБГА (8х8) | скачать | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 166 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 5,45 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Гипербус | 1,7 мс | ||||||
![]() | W25Q32JWSNIQ | - | ![]() | 5989 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q32JWSNIQ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 100 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мс | ||
![]() | ИС49НЛК18320-25БИ | - | ![]() | 3776 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | IS49NLC18320 | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-FCBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 МГц | Неустойчивый | 576Мбит | 20 нс | ДРАМ | 32М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | N01L83W2AN25IT | - | ![]() | 3567 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LFSOP (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | N01L83 | SRAM — асинхронный | 2,3 В ~ 3,6 В | 32-сЦОП I | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 1 Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 55нс | |||||
![]() | 70В3389С5ПРФ8 | - | ![]() | 6766 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 128-LQFP | 70В3389 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3,15 В ~ 3,45 В | 128-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 5 нс | СРАМ | 64К х 18 | Параллельно | - | ||||
![]() | MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR | - | ![]() | 1870 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | МТ53Б384 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 12Гбит | ДРАМ | 384М х 32 | - | - | |||||
![]() | CY7C1061BV33-8ZXI | - | ![]() | 7508 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1061 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | Неустойчивый | 16Мбит | 8 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 8нс | ||||
![]() | CY7C11501KV18-400BZXI | 45.8800 | ![]() | 655 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C11501 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 400 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
| S25FL132K0XBHIS20 | 1.1000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ1-К | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL132 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-S25FL132K0XBHIS20 | 455 | 108 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | Не проверено | |||||||
![]() | AT49LV002N-12PC | - | ![]() | 8654 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | АТ49LV002 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 32-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | AT49LV002N12PC | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | Энергонезависимый | 2Мбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||
![]() | P06037-B21-C | 1,0000 | ![]() | 6551 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-P06037-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 93C76CT-E/СН15КВАО | - | ![]() | 9154 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93C76 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 3 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8, 512 х 16 | Микропровод | 2 мс | |||||
![]() | ИС43ЛР32640Б-5БЛИ-ТР | 9.3233 | ![]() | 5957 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС43ЛР32640Б-5БЛИ-ТР | 2500 | 208 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 5 нс | ДРАМ | 64М х 32 | Параллельно | 15нс | ||||||
![]() | ИС61НЛФ25672-7.5Б1И | - | ![]() | 8925 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 209-БГА | IS61NLF25672 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 209-ЛФБГА (14х22) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 256К х 72 | Параллельно | - | |||
![]() | 7140LA20JG | 18.7040 | ![]() | 4397 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 52-LCC (J-вывод) | 7140ЛА | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 52-ПЛКЦ (19,13х19,13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Неустойчивый | 8Кбит | 20 нс | СРАМ | 1К х 8 | Параллельно | 20нс | ||||
![]() | CY7C1515JV18-300BZC | 180,7100 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1515 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
![]() | S25FS256SDSMFI000 | - | ![]() | 9886 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФС-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | С25ФС256 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 16-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 1 | 80 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | Не проверено | ||||||
![]() | 70В07Л25ПФ8 | - | ![]() | 9641 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | 70В07Л | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 80-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 256Кбит | 25 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
| CAT25010VP2I-GT3 | - | ![]() | 7934 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | КАТ25010 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8 | СПИ | 5 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)