SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
MT41K256M16TW-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 ИТ:П ТР 5.7000
запросить цену
ECAD 2247 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА МТ41К256М16 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (8х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается МТ41К256М16TW-107IT:ПТР EAR99 8542.32.0036 2000 г. 933 МГц Неустойчивый 4Гбит 20 нс ДРАМ 256М х 16 Параллельно 15нс
S26KS512SDGBHV030 Spansion S26KS512SDGBHV030 12.5200
запросить цену
ECAD 340 0,00000000 Расширение ГиперФлэш™ КС Масса Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА С26КС512 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 1,95 В 24-ФБГА (6х8) скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 24 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит 96 нс ВСПЫШКА 64М х 8 Параллельно - Не проверено
CY7C1444AV33-167AXCT Infineon Technologies CY7C1444AV33-167AXCT -
запросить цену
ECAD 6957 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1444 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 167 МГц Неустойчивый 36Мбит 3,4 нс СРАМ 1М х 36 Параллельно -
FM24W256-G Infineon Technologies FM24W256-Г 6.4400
запросить цену
ECAD 9231 0,00000000 Инфинеон Технологии F-RAM™ Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) FM24W256 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 2,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 97 1 МГц Энергонезависимый 256Кбит 550 нс ФРАМ 32К х 8 I²C -
W25N01GWTCIG TR Winbond Electronics W25N01GWTCIG ТР 3.3026
запросить цену
ECAD 2019 год 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ W25N01 ФЛЕШ-NAND (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В 24-ТФБГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25N01GWTCIGTR 3А991Б1А 8542.32.0071 2000 г. 104 МГц Энергонезависимый 1Гбит 8 нс ВСПЫШКА 128М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 700 мкс
W25Q80JVZPIQ TR Winbond Electronics W25Q80JVZPIQ ТР -
запросить цену
ECAD 5991 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q80 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (6х5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 5000 133 МГц Энергонезависимый 8Мбит ВСПЫШКА 1М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
70T631S10BCI8 Renesas Electronics America Inc 70Т631С10BCI8 268,9869
запросить цену
ECAD 7262 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 256-ЛБГА 70Т631 SRAM — двухпортовый, асинхронный 2,4 В ~ 2,6 В 256-КАБГА (17х17) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 4,5 Мбит 10 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно 10 нс
CY14B108L-BA45XIT Infineon Technologies CY14B108L-BA45XIT 51.5025
запросить цену
ECAD 8818 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY14B108 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (6х10) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. Энергонезависимый 8Мбит 45 нс НВСРАМ 1М х 8 Параллельно 45нс
MT44K32M18RB-093E IT:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E ИТ:А -
запросить цену
ECAD 4743 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 168-ТБГА МТ44К32М18 ДРАМ 1,28 В ~ 1,42 В 168-БГА (13,5х13,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1000 1066 ГГц Неустойчивый 576Мбит 8 нс ДРАМ 32М х 18 Параллельно -
IS21TF16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JCLI 33.7200
запросить цену
ECAD 107 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 153-ВФБГА ИС21ТФ16Г ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В 153-ВФБГА (11,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС21ТФ16Г-ДЖКЛИ 3А991Б1А 8542.32.0071 152 200 МГц Энергонезависимый 128Гбит ВСПЫШКА 16Г х 8 ММК -
R1LP5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc R1LP5256ESA-5SI#B1 3.4700
запросить цену
ECAD 935 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) Р1ЛП5256 СРАМ 4,5 В ~ 5,5 В 28-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается -1161-R1LP5256ESA-5SI#B1 EAR99 8542.32.0041 234 Неустойчивый 256Кбит 55 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 55нс
S26HS01GTFPBHM033 Infineon Technologies S26HS01GTFPBHM033 27.2300
запросить цену
ECAD 8101 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-ФБГА (8х8) скачать 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 166 МГц Энергонезависимый 1Гбит 5,45 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Гипербус 1,7 мс
W25Q32JWSNIQ Winbond Electronics W25Q32JWSNIQ -
запросить цену
ECAD 5989 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) W25Q32 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 1,95 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q32JWSNIQ 3А991Б1А 8542.32.0071 100 133 МГц Энергонезависимый 32 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мс
IS49NLC18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС49НЛК18320-25БИ -
запросить цену
ECAD 3776 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 144-ТФБГА IS49NLC18320 РЛДРАМ 2 1,7 В ~ 1,9 В 144-FCBGA (11х18,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 104 400 МГц Неустойчивый 576Мбит 20 нс ДРАМ 32М х 18 Параллельно -
N01L83W2AN25IT onsemi N01L83W2AN25IT -
запросить цену
ECAD 3567 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LFSOP (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) N01L83 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 32-сЦОП I скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 2000 г. Неустойчивый 1 Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 55нс
70V3389S5PRF8 Renesas Electronics America Inc 70В3389С5ПРФ8 -
запросить цену
ECAD 6766 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 128-LQFP 70В3389 SRAM — двухпортовый, синхронный 3,15 В ~ 3,45 В 128-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 1,125 Мбит 5 нс СРАМ 64К х 18 Параллельно -
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR -
запросить цену
ECAD 1870 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -30°C ~ 85°C (TC) - - МТ53Б384 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В - - 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 1,6 ГГц Неустойчивый 12Гбит ДРАМ 384М х 32 - -
CY7C1061BV33-8ZXI Infineon Technologies CY7C1061BV33-8ZXI -
запросить цену
ECAD 7508 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1061 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 108 Неустойчивый 16Мбит 8 нс СРАМ 1М х 16 Параллельно 8нс
CY7C11501KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp CY7C11501KV18-400BZXI 45.8800
запросить цену
ECAD 655 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C11501 SRAM — синхронный, DDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 7 400 МГц Неустойчивый 18 Мбит СРАМ 512К х 36 Параллельно - Не проверено
S25FL132K0XBHIS20 Cypress Semiconductor Corp S25FL132K0XBHIS20 1.1000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФЛ1-К Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL132 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 2832-S25FL132K0XBHIS20 455 108 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс Не проверено
AT49LV002N-12PC Microchip Technology AT49LV002N-12PC -
запросить цену
ECAD 8654 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Сквозное отверстие 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) АТ49LV002 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 32-ПДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается AT49LV002N12PC EAR99 8542.32.0071 12 Энергонезависимый 2Мбит 120 нс ВСПЫШКА 256К х 8 Параллельно 50 мкс
P06037-B21-C ProLabs P06037-B21-C 1,0000
запросить цену
ECAD 6551 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-P06037-B21-C EAR99 8473.30.5100 1
93C76CT-E/SN15KVAO Microchip Technology 93C76CT-E/СН15КВАО -
запросить цену
ECAD 9154 0,00000000 Микрочиповая технология Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 93C76 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3300 3 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8, 512 х 16 Микропровод 2 мс
IS43LR32640B-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ЛР32640Б-5БЛИ-ТР 9.3233
запросить цену
ECAD 5957 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-ИС43ЛР32640Б-5БЛИ-ТР 2500 208 МГц Неустойчивый 2Гбит 5 нс ДРАМ 64М х 32 Параллельно 15нс
IS61NLF25672-7.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61НЛФ25672-7.5Б1И -
запросить цену
ECAD 8925 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 209-БГА IS61NLF25672 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 209-ЛФБГА (14х22) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 МГц Неустойчивый 18 Мбит 7,5 нс СРАМ 256К х 72 Параллельно -
7140LA20JG Renesas Electronics America Inc 7140LA20JG 18.7040
запросить цену
ECAD 4397 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 52-LCC (J-вывод) 7140ЛА SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 52-ПЛКЦ (19,13х19,13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 24 Неустойчивый 8Кбит 20 нс СРАМ 1К х 8 Параллельно 20нс
CY7C1515JV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1515JV18-300BZC 180,7100
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1515 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно - Не проверено
S25FS256SDSMFI000 Cypress Semiconductor Corp S25FS256SDSMFI000 -
запросить цену
ECAD 9886 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФС-С Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) С25ФС256 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 16-СОИК скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 1 80 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI - Не проверено
70V07L25PF8 Renesas Electronics America Inc 70В07Л25ПФ8 -
запросить цену
ECAD 9641 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 80-LQFP 70В07Л SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 80-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 750 Неустойчивый 256Кбит 25 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
CAT25010VP2I-GT3 onsemi CAT25010VP2I-GT3 -
запросить цену
ECAD 7934 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WFDFN Открытая площадка КАТ25010 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ТДФН (2х3) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 Энергонезависимый 1Кбит ЭСППЗУ 128 х 8 СПИ 5 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе