 
       Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | ИС42С83200Б-7Т | - |  | 8939 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С83200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 8 | Параллельно | - | ||
| АТ93С66А-10ТУ-2,7 | - |  | 8073 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 93С66А | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8, 256 х 16 | 3-проводной последовательный порт | 10 мс | ||||
|  | MT29C1G12MAADYAML-5 ИТ | - |  | 9525 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | MT29C1G12 | ФЛЕШ-NAND, мобильная LPDRAM | 1,7 В ~ 1,95 В | 153-ВФБГА | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 200 МГц | Энергонезависимый, Летучий | 1 Гбит (NAND), 512 Мбит (LPDRAM) | ФЛЕШ, ОЗУ | 128 М x 8 (NAND), 16 М x 32 (LPDRAM) | Параллельно | - | ||||
|  | ИС45С16100К1-7ТЛА1 | - |  | 2089 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС45С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | ||
|  | AT45DB321E-MWHF-T | 4.4500 |  | 3248 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | АТ45ДБ321 | ВСПЫШКА | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ВДФН (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 85 МГц | Энергонезависимый | 32Мбит | ВСПЫШКА | 528 байт x 8192 страницы | СПИ | 8 мкс, 4 мс | |||
|  | MT44K32M36RB-107E IT:A TR | - |  | 7246 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ТБГА | МТ44К32М36 | РЛДРАМ 3 | 1,28 В ~ 1,42 В | 168-БГА (13,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 933 МГц | Неустойчивый | 1125 Гбит | 8 нс | ДРАМ | 32М х 36 | Параллельно | - | ||
|  | CY62128ELL-45ZXIT | 3.7000 |  | 655 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | CY62128 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 1 Мбит | 45 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 45нс | |||
|  | AT24C01C-MAPD-E | - |  | 2150 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | АТ24С01 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-УДФН (2х3) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 15 000 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
|  | ИС43Р86400Д-5БЛИ-ТР | 8,9850 |  | 9622 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС43Р86400 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
|  | M93C56-WMN6T | - |  | 4055 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | М93С56 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 2 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8, 128 х 16 | Микропровод | 5 мс | |||
|  | 71V67803S133BQG8 | 28.7073 |  | 7571 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | 71В67803 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 133 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 512К х 18 | Параллельно | - | ||
|  | 11LC040T-I/TT | 0,3200 |  | 2 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 11LC040 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | СОТ-23-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 100 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8 | Одиночный провод | 5 мс | |||
|  | БР24Т16Ф-МЕ2 | 0,4000 |  | 1 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | БР24Т16 | ЭСППЗУ | 1,6 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | I²C | 5 мс | |||
|  | 70914S15J8 | - |  | 3162 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 70914С | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 36Кбит | 15 нс | СРАМ | 4К х 9 | Параллельно | - | |||
|  | IS61VF204836B-7.5TQLI | 123,9810 |  | 8445 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИС61ВФ204836 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | ||
| AT29C020-12JC | - |  | 3820 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | AT29C020 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | Q1120753 | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Энергонезависимый | 2Мбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 10 мс | |||
|  | MTFC8GLVEA-1M WT | - |  | 1614 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | e•MMC™ | Поднос | Устаревший | -25°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | МТФК8 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 153-ВФБГА (11,5х13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8523.51.0000 | 1000 | Энергонезависимый | 64Гбит | ВСПЫШКА | 8Г х 8 | ММК | - | |||||
|  | CY7C1423KV18-300BZXC | 56.3150 |  | 8867 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1423 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1360 | 300 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | |||
|  | 70П245Л90БИГИ8 | - |  | 3538 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-TFBGA | 70П245Л | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 1,7 В ~ 1,9 В | 100-КАБГА (6х6) | скачать | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 3000 | Неустойчивый | 64Кбит | 90 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 90 нс | |||||
|  | MX25L6406EXCI-12G | 1,1567 |  | 1064 | 0,00000000 | Макроникс | MX25xxx05/06/08 | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ТБГА, ЦСПБГА | MX25L6406 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ЦСПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 480 | 86 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | СПИ | 300 мкс, 5 мс | |||
|  | 24AA02SC-I/W16K | - |  | 1875 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Править | 24АА02 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | ||
|  | R1LV0216BSB-7SI#S0 | - |  | 8487 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | Р1LV0216 | СРАМ | 2,7 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 2Мбит | 70 нс | СРАМ | 128 КБ х 16 | Параллельно | 70нс | |||
|  | CY7C1020DV33-10ZSXIT | 7.0300 |  | 1115 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1020 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 512Кбит | 10 нс | СРАМ | 32К х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
|  | MX25L25673GMI-08G | 2,6988 |  | 6985 | 0,00000000 | Макроникс | MXSMIO™ | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MX25L25673 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 44 | 120 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | СПИ | 30 мкс, 750 мкс | |||
|  | IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 2,2324 |  | 6620 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 800 | Неустойчивый | 1 Мбит | 10 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||||
|  | CY7C2263KV18-550BZXC | 36,8200 |  | 500 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C2263 | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | -CY7C2263KV18-550BZXC | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | 550 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | ||
|  | FM25640B-G2 | - |  | 7514 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | F-RAM™ | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | FM25640 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 194 | 20 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||
| 70Т3519С133БФ | 302.7543 |  | 4479 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 208-ЛФБГА | 70Т3519 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 2,4 В ~ 2,6 В | 208-КАБГА (15х15) | скачать | не соответствует RoHS | 4 (72 часа) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | |||
| S25FS256SDSBHI203 | 4,5850 |  | 1993 год | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | С25ФС256 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 80 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||||
|  | ИС61ВПС51236Б-200Б3ЛИ-ТР | 15,6750 |  | 6367 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61VPS51236 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | 

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
 Список желаний (0 шт.)
Список желаний (0 шт.)