SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
IS42S83200B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С83200Б-7Т -
запросить цену
ECAD 8939 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Снято с производства в НИЦ 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 108 143 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 32М х 8 Параллельно -
AT93C66A-10TU-2.7 Microchip Technology АТ93С66А-10ТУ-2,7 -
запросить цену
ECAD 8073 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) 93С66А ЭСППЗУ 2,7 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 2 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8, 256 х 16 3-проводной последовательный порт 10 мс
MT29C1G12MAADYAML-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADYAML-5 ИТ -
запросить цену
ECAD 9525 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 153-ВФБГА MT29C1G12 ФЛЕШ-NAND, мобильная LPDRAM 1,7 В ~ 1,95 В 153-ВФБГА скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 200 МГц Энергонезависимый, Летучий 1 Гбит (NAND), 512 Мбит (LPDRAM) ФЛЕШ, ОЗУ 128 М x 8 (NAND), 16 М x 32 (LPDRAM) Параллельно -
IS45S16100C1-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС45С16100К1-7ТЛА1 -
запросить цену
ECAD 2089 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС45С16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 50-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 117 143 МГц Неустойчивый 16Мбит 5,5 нс ДРАМ 1М х 16 Параллельно -
AT45DB321E-MWHF-T Adesto Technologies AT45DB321E-MWHF-T 4.4500
запросить цену
ECAD 3248 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка АТ45ДБ321 ВСПЫШКА 2,3 В ~ 3,6 В 8-ВДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2000 г. 85 МГц Энергонезависимый 32Мбит ВСПЫШКА 528 байт x 8192 страницы СПИ 8 мкс, 4 мс
MT44K32M36RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-107E IT:A TR -
запросить цену
ECAD 7246 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 168-ТБГА МТ44К32М36 РЛДРАМ 3 1,28 В ~ 1,42 В 168-БГА (13,5х13,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 933 МГц Неустойчивый 1125 Гбит 8 нс ДРАМ 32М х 36 Параллельно -
CY62128ELL-45ZXIT Infineon Technologies CY62128ELL-45ZXIT 3.7000
запросить цену
ECAD 655 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) CY62128 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 32-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 1500 Неустойчивый 1 Мбит 45 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 45нс
AT24C01C-MAPD-E Microchip Technology AT24C01C-MAPD-E -
запросить цену
ECAD 2150 0,00000000 Микрочиповая технология Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка АТ24С01 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-УДФН (2х3) скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 15 000 1 МГц Энергонезависимый 1Кбит 900 нс ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
IS43R86400D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43Р86400Д-5БЛИ-ТР 8,9850
запросить цену
ECAD 9622 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА ИС43Р86400 SDRAM-DDR 2,5 В ~ 2,7 В 60-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 2500 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 64М х 8 Параллельно 15нс
M93C56-WMN6T STMicroelectronics M93C56-WMN6T -
запросить цену
ECAD 4055 0,00000000 СТМикроэлектроника - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) М93С56 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 2 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8, 128 х 16 Микропровод 5 мс
71V67803S133BQG8 Renesas Electronics America Inc 71V67803S133BQG8 28.7073
запросить цену
ECAD 7571 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА 71В67803 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 165-КАБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. 133 МГц Неустойчивый 9Мбит 4,2 нс СРАМ 512К х 18 Параллельно -
11LC040T-I/TT Microchip Technology 11LC040T-I/TT 0,3200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 11LC040 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 100 кГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8 Одиночный провод 5 мс
BR24T16F-WE2 Rohm Semiconductor БР24Т16Ф-МЕ2 0,4000
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) БР24Т16 ЭСППЗУ 1,6 В ~ 5,5 В 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 400 кГц Энергонезависимый 16Кбит ЭСППЗУ 2К х 8 I²C 5 мс
70914S15J8 Renesas Electronics America Inc 70914S15J8 -
запросить цену
ECAD 3162 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 70914С SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 250 Неустойчивый 36Кбит 15 нс СРАМ 4К х 9 Параллельно -
IS61VF204836B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF204836B-7.5TQLI 123,9810
запросить цену
ECAD 8445 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИС61ВФ204836 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 100-LQFP (14x20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 МГц Неустойчивый 72 Мбит 7,5 нс СРАМ 2М х 36 Параллельно -
AT29C020-12JC Microchip Technology AT29C020-12JC -
запросить цену
ECAD 3820 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) AT29C020 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (13,97х11,43) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается Q1120753 EAR99 8542.32.0071 32 Энергонезависимый 2Мбит 120 нс ВСПЫШКА 256К х 8 Параллельно 10 мс
MTFC8GLVEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-1M WT -
запросить цену
ECAD 1614 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. e•MMC™ Поднос Устаревший -25°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 153-ВФБГА МТФК8 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 153-ВФБГА (11,5х13) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8523.51.0000 1000 Энергонезависимый 64Гбит ВСПЫШКА 8Г х 8 ММК -
CY7C1423KV18-300BZXC Infineon Technologies CY7C1423KV18-300BZXC 56.3150
запросить цену
ECAD 8867 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1423 SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1360 300 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 2М х 18 Параллельно -
70P245L90BYGI8 Renesas Electronics America Inc 70П245Л90БИГИ8 -
запросить цену
ECAD 3538 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-TFBGA 70П245Л SRAM — двухпортовый, асинхронный 1,7 В ~ 1,9 В 100-КАБГА (6х6) скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0041 3000 Неустойчивый 64Кбит 90 нс СРАМ 4К х 16 Параллельно 90 нс
MX25L6406EXCI-12G Macronix MX25L6406EXCI-12G 1,1567
запросить цену
ECAD 1064 0,00000000 Макроникс MX25xxx05/06/08 Поднос Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ТБГА, ЦСПБГА MX25L6406 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-ЦСПБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 480 86 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 СПИ 300 мкс, 5 мс
24AA02SC-I/W16K Microchip Technology 24AA02SC-I/W16K -
запросить цену
ECAD 1875 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж Править 24АА02 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
R1LV0216BSB-7SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV0216BSB-7SI#S0 -
запросить цену
ECAD 8487 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) Р1LV0216 СРАМ 2,7 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 2Мбит 70 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 70нс
CY7C1020DV33-10ZSXIT Infineon Technologies CY7C1020DV33-10ZSXIT 7.0300
запросить цену
ECAD 1115 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1020 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 512Кбит 10 нс СРАМ 32К х 16 Параллельно 10 нс
MX25L25673GMI-08G Macronix MX25L25673GMI-08G 2,6988
запросить цену
ECAD 6985 0,00000000 Макроникс MXSMIO™ Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) MX25L25673 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 44 120 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 СПИ 30 мкс, 750 мкс
IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 2,2324
запросить цену
ECAD 6620 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) SRAM — асинхронный 2,4 В ~ 3,6 В 44-СОЮ - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 800 Неустойчивый 1 Мбит 10 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 10 нс
CY7C2263KV18-550BZXC Infineon Technologies CY7C2263KV18-550BZXC 36,8200
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C2263 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается -CY7C2263KV18-550BZXC 3A991B2A 8542.32.0041 272 550 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 2М х 18 Параллельно -
FM25640B-G2 Infineon Technologies FM25640B-G2 -
запросить цену
ECAD 7514 0,00000000 Инфинеон Технологии F-RAM™ Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) FM25640 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 194 20 МГц Энергонезависимый 64Кбит ФРАМ 8К х 8 СПИ -
70T3519S133BF Renesas Electronics America Inc 70Т3519С133БФ 302.7543
запросить цену
ECAD 4479 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 208-ЛФБГА 70Т3519 SRAM — двухпортовый, синхронный 2,4 В ~ 2,6 В 208-КАБГА (15х15) скачать не соответствует RoHS 4 (72 часа) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 7 133 МГц Неустойчивый 9Мбит 4,2 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
S25FS256SDSBHI203 Infineon Technologies S25FS256SDSBHI203 4,5850
запросить цену
ECAD 1993 год 0,00000000 Инфинеон Технологии ФС-С Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ С25ФС256 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 80 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
IS61VPS51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ВПС51236Б-200Б3ЛИ-ТР 15,6750
запросить цену
ECAD 6367 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА IS61VPS51236 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе