Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C024-15AC | - | ![]() | 4844 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C024 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 180 | Неустойчивый | 64Кбит | 15 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | MT29F2G16ABBFAH4:F | - | ![]() | 9796 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | МТ29Ф2Г16 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-ВФБГА (9х11) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1260 | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 128М х 16 | Параллельно | - | |||||
![]() | CG8090AAT | - | ![]() | 6905 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | |||||||||||||||||
![]() | M29F032D70N6T ТР | - | ![]() | 5072 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 40-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | M29F032 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 40-ЦОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1500 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8 | Параллельно | 70нс | |||
![]() | 71В67703С75ПФГИ8 | 29.6592 | ![]() | 5463 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В67703 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 117 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
| CAT25640VP2I-GT3 | - | ![]() | 8272 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | КАТ25640 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ЭСППЗУ | 8К х 8 | СПИ | 5 мс | |||||
![]() | CY7C1424KV18-250BZC | - | ![]() | 3600 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1424 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 1М х 36 | Параллельно | - | |||
| CAT93C56VI-1.8 | - | ![]() | 2386 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ93C56 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8, 128 х 16 | Микропровод | - | ||||
![]() | MTFC128GAPALPH-AAT | 114,6700 | ![]() | 356 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Последняя покупка | -40°С ~ 105°С (ТА) | МТФЦ128 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 557-MTFC128ГАПАЛФ-ААТ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 980 | Энергонезависимый | 1Тбит | ВСПЫШКА | 128Г х 8 | ММК | - | ||||||
![]() | 40Y8404-С | 17.5000 | ![]() | 7916 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-40Y8404-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL512S11DHV020 | 9.6600 | ![]() | 5002 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1300 | Энергонезависимый | 512 Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 32М х 16 | Параллельно | 60нс | |||
![]() | CY7C199CNL-15VXC | - | ![]() | 5803 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | CY7C199 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1350 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | МТ41К256М16ХА-125:Э ТР | - | ![]() | 7256 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К256М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 13,75 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | - | ||
![]() | 5962-3829417МЗА | 30,5777 | ![]() | 2039 год | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Последняя покупка | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 5962-3829417 | SRAM – синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 800-5962-3829417МЗА | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | Неустойчивый | 64Кбит | 19 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 20нс | ||
![]() | 70В261С35ПФ8 | - | ![]() | 7609 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 70В261 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 256Кбит | 35 нс | СРАМ | 16К х 16 | Параллельно | 35 нс | |||
![]() | M30042040108X0PWAY | 14.5624 | ![]() | 6896 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | М30042040108 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 800-M30042040108X0PWAY | EAR99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | БАРАН | 1М х 4 | - | - | |||
![]() | MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR | 73.1400 | ![]() | 9192 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | МТ53Е768 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | MT53E768M64D4SQ-046WT: ATR | 0000.00.0000 | 2000 г. | 2133 ГГц | Неустойчивый | 48Гбит | ДРАМ | 768 м х 64 | - | - | ||||||
![]() | CY62157EV30LL-45ZSXIT | 13.2100 | ![]() | 3865 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62157 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 8Мбит | 45 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 45нс | |||
![]() | NAND256R3A2BZA6E | - | ![]() | 1702 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 55-ТФБГА | NAND256 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 55-ВФБГА (8х10) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1518 | Энергонезависимый | 256Мбит | 50 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | 50 нс | |||
![]() | S70GL02GS11FHV023 | 26.4600 | ![]() | 6137 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S70GL02 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1600 | Энергонезависимый | 2Гбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 128М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | CAT93C66XI-T2 | - | ![]() | 4484 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | КАТ93C66 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2000 г. | 2 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8, 256 х 16 | Микропровод | - | |||
![]() | CY7C1360B-166AJI | 8.5900 | ![]() | 359 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1360 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | QS70261A-25TF | 28.1200 | ![]() | 506 | 0,00000000 | Качественный полупроводник | * | Масса | Активный | QS70261A | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
| MX25R2035FM1IL0 | 0,3395 | ![]() | 4467 | 0,00000000 | Макроникс | MXSMIO™ | Трубка | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MX25R2035 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 33 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 256К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 100 мкс, 10 мс | ||||
| 70В3379С4ВС8 | 106.0450 | ![]() | 4323 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 256-ЛБГА | 70В3379 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3,15 В ~ 3,45 В | 256-КАБГА (17х17) | скачать | не соответствует RoHS | 4 (72 часа) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 576Кбит | 4,2 нс | СРАМ | 32К х 18 | Параллельно | - | ||||
![]() | 70В9199Л7ПФ8 | - | ![]() | 9135 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 70В9199 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 7 нс | СРАМ | 128 КБ х 9 | Параллельно | - | |||
![]() | 70В9159Л7ПФИ | - | ![]() | 6935 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 70В9159 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Неустойчивый | 72Кбит | 7,5 нс | СРАМ | 8К х 9 | Параллельно | - | |||
![]() | ИС42ВМ16160К-75БЛИ | 6.6300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42ВМ16160 | SDRAM – мобильная версия | 1,7 В ~ 1,95 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1313 | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 6 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | |
| DS1250AB-100 | - | ![]() | 1457 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Модуль 32-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | DS1250AB | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,75 В ~ 5,25 В | 32-ЭДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 100 нс | НВСРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 100 нс | ||||
![]() | S25FL116K0XMFIQ11 | - | ![]() | 9154 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ1-К | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FL116 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 91 | 108 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)