SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Программируемый НИЦ Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Программируемый тип Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
CY7C1320KV18-250BZCT Infineon Technologies CY7C1320KV18-250BZCT -
запросить цену
ECAD 1417 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1320 SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 250 МГц Неустойчивый 18 Мбит СРАМ 512К х 36 Параллельно -
AS7C4098A-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-12ДЖИН 6.2900
запросить цену
ECAD 171 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS7C4098 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 44-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 16 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 12нс
IS65WV25616EBLL-55CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616EBLL-55CTLA3 -
запросить цену
ECAD 1996 год 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС65ВВ25616 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4 Мбит 55 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 55нс
CG8098AAT Infineon Technologies CG8098AAT -
запросить цену
ECAD 4792 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 750
A5816813-C ProLabs А5816813-С 27.5000
запросить цену
ECAD 1078 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А5816813-С EAR99 8473.30.5100 1
AT17F32-30BJC Microchip Technology АТ17Ф32-30БЖК -
запросить цену
ECAD 3205 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 44-LCC (J-вывод) АТ17Ф32 Не проверено 2,97 В ~ 3,63 В 44-ПЛСС (16,6х16,6) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается 3A991B1B1 8542.32.0051 25 ВСПЫШКА 32Мб
IS42S16160J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16160ДЖ-6ТЛИ 3.2512
запросить цену
ECAD 9372 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 108 166 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 16М х 16 Параллельно -
25AA080C-E/MNY16KVAO Microchip Technology 25AA080C-E/MNY16KVAO -
запросить цену
ECAD 2679 0,00000000 Микрочиповая технология Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Трубка Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WFDFN Открытая площадка 25АА080 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ТДФН (2х3) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 1 10 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8 СПИ 5 мс
AS4C64M16MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD2-25BCNTR -
запросить цену
ECAD 8889 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 134-ВФБГА AS4C64 SDRAM — мобильный LPDDR2 1,14 В ~ 1,95 В 134-ФБГА (10х11,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 1000 400 МГц Неустойчивый 1Гбит ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15нс
AT93C66A-10TU-1.8 Microchip Technology АТ93С66А-10ТУ-1,8 -
запросить цену
ECAD 8374 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) 93С66А ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 2 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8, 256 х 16 3-проводной последовательный порт 10 мс
CY7C024-15AC Infineon Technologies CY7C024-15AC -
запросить цену
ECAD 4844 0,00000000 Инфинеон Технологии - Сумка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C024 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 180 Неустойчивый 64Кбит 15 нс СРАМ 4К х 16 Параллельно 15нс
MT29F2G16ABBFAH4:F Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBFAH4:F -
запросить цену
ECAD 9796 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА МТ29Ф2Г16 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 1,7 В ~ 1,95 В 63-ВФБГА (9х11) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1260 Энергонезависимый 2Гбит ВСПЫШКА 128М х 16 Параллельно -
CG8090AAT Infineon Technologies CG8090AAT -
запросить цену
ECAD 6905 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1000
M29F032D70N6T TR Micron Technology Inc. M29F032D70N6T ТР -
запросить цену
ECAD 5072 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 40-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) M29F032 ВСПЫШКА – НО 4,5 В ~ 5,5 В 40-ЦОП - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 32 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 4М х 8 Параллельно 70нс
71V67703S75PFGI8 Renesas Electronics America Inc 71В67703С75ПФГИ8 29.6592
запросить цену
ECAD 5463 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 71В67703 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 117 МГц Неустойчивый 9Мбит 7,5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
CAT25640VP2I-GT3 onsemi CAT25640VP2I-GT3 -
запросить цену
ECAD 8272 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WFDFN Открытая площадка КАТ25640 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ТДФН (2х3) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 10 МГц Энергонезависимый 64Кбит ЭСППЗУ 8К х 8 СПИ 5 мс
CY7C1424KV18-250BZC Infineon Technologies CY7C1424KV18-250BZC -
запросить цену
ECAD 3600 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1424 SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 136 250 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 1М х 36 Параллельно -
CAT93C56VI-1.8 Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C56VI-1.8 -
запросить цену
ECAD 2386 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ93C56 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 1 2 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8, 128 х 16 Микропровод -
MTFC128GAPALPH-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAPALPH-AAT 114,6700
запросить цену
ECAD 356 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Масса Последняя покупка -40°С ~ 105°С (ТА) МТФЦ128 ФЛЕШ-НЕ-НЕ - - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 557-MTFC128ГАПАЛФ-ААТ 3А991Б1А 8542.32.0071 980 Энергонезависимый 1Тбит ВСПЫШКА 128Г х 8 ММК -
40Y8404-C ProLabs 40Y8404-С 17.5000
запросить цену
ECAD 7916 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-40Y8404-С EAR99 8473.30.5100 1
S29GL512S11DHV020 Infineon Technologies S29GL512S11DHV020 9.6600
запросить цену
ECAD 5002 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1300 Энергонезависимый 512 Мбит 110 нс ВСПЫШКА 32М х 16 Параллельно 60нс
CY7C199CNL-15VXC Infineon Technologies CY7C199CNL-15VXC -
запросить цену
ECAD 5803 0,00000000 Инфинеон Технологии - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C199 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1350 Неустойчивый 256Кбит 15 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 15нс
MT41K256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. МТ41К256М16ХА-125:Э ТР -
запросить цену
ECAD 7256 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА МТ41К256М16 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (9х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 800 МГц Неустойчивый 4Гбит 13,75 нс ДРАМ 256М х 16 Параллельно -
5962-3829417MZA Renesas Electronics America Inc 5962-3829417МЗА 30,5777
запросить цену
ECAD 2039 год 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Последняя покупка -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) 5962-3829417 SRAM – синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-CDIP скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 800-5962-3829417МЗА 3A001A2C 8542.32.0041 13 Неустойчивый 64Кбит 19 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 20нс
70V261S35PF8 Renesas Electronics America Inc 70В261С35ПФ8 -
запросить цену
ECAD 7609 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 70В261 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 750 Неустойчивый 256Кбит 35 нс СРАМ 16К х 16 Параллельно 35 нс
M30042040108X0PWAY Renesas Electronics America Inc M30042040108X0PWAY 14.5624
запросить цену
ECAD 6896 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка М30042040108 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 800-M30042040108X0PWAY EAR99 8542.32.0071 225 108 МГц Энергонезависимый 4 Мбит БАРАН 1М х 4 - -
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR 73.1400
запросить цену
ECAD 9192 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -30°C ~ 85°C (TC) МТ53Е768 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается MT53E768M64D4SQ-046WT: ATR 0000.00.0000 2000 г. 2133 ГГц Неустойчивый 48Гбит ДРАМ 768 м х 64 - -
CY62157EV30LL-45ZSXIT Infineon Technologies CY62157EV30LL-45ZSXIT 13.2100
запросить цену
ECAD 3865 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62157 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 8Мбит 45 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 45нс
AT25M01-SSHM-T Microchip Technology АТ25М01-СШМ-Т 2.1000
запросить цену
ECAD 6880 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) АТ25М01 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 4000 20 МГц Энергонезависимый 1 Мбит ЭСППЗУ 128 КБ х 8 СПИ 5 мс
NAND256R3A2BZA6E Micron Technology Inc. NAND256R3A2BZA6E -
запросить цену
ECAD 1702 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 55-ТФБГА NAND256 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 1,7 В ~ 1,95 В 55-ВФБГА (8х10) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1518 Энергонезависимый 256Мбит 50 нс ВСПЫШКА 32М х 8 Параллельно 50 нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе