SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
TLP734F(D4-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-LF4, M, F. -
RFQ
 ECAD 1623 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP734 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP734F (D4-LF4MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP513(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513 (F) -
RFQ
 ECAD 5066 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP513 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP513 (F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(D4YH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4YH-F6, ф -
RFQ
 ECAD 8254 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785 (D4YH-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLX9291(TOJ2TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (toj2tl, f (o -
RFQ
 ECAD 1059 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLX9291 (TOJ2TLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP781F(D4ADGBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4ADGBT7, f -
RFQ
 ECAD 4496 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4ADGBT7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL817S1(D)(TU)-F Everlight Electronics Co Ltd El817s1 (d) (tu) -f 0,1337
RFQ
 ECAD 2003 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL817 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD - 1080 -EL817S1 (D) (TU) -ftr Ear99 8541.41.0000 1500 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GR-FD, ф -
RFQ
 ECAD 6200 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4-GR-FDF Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP781F(D4GRT7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRT7TC, ф -
RFQ
 ECAD 1622 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4GRT7TCFTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP532(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (YG, F) -
RFQ
 ECAD 7001 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP532 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP532 (YGF) Ear99 8541.49.8000 50
CNY17F-4S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F -4S (TA) -V -
RFQ
 ECAD 4341 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171792 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
EL816(S)(C)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (s) (c) (td) -v -
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL816 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (FJDK-TL, U, F. -
RFQ
 ECAD 8745 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (FJDK-Tluf Ear99 8541.49.8000 1 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
IL216AT Vishay Semiconductor Opto Division IL216AT 1.0400
RFQ
 ECAD 8570 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL216 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1V 60 май 4000 дней 50% @ 1MA - 3 мкс, 3 мкс 400 м
LTV-0501 Lite-On Inc. LTV-0501 -
RFQ
 ECAD 5828 0,00000000 Lite-On Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 15 1,8 В (МАКС) 25 май 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
HCPL-4701#320 Broadcom Limited HCPL-4701#320 -
RFQ
 ECAD 2918 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 60 май - 18В 1,25 10 май 5000 дней 600% @ 500 мк 8000% @ 500 мк 3 мкс, 34 мкс -
SFH690AT Vishay Semiconductor Opto Division SFH690AT 0,8000
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
4N46#560 Broadcom Limited 4n46#560 -
RFQ
 ECAD 1255 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n46 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 60 май - 20 1,4 В. 20 май 3750vrms 200% @ 10ma 1000% @ 10ma 5 мкс, 150 мкс -
EL814-V Everlight Electronics Co Ltd EL814-V -
RFQ
 ECAD 1456 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) EL814 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
EL357ND(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL357ND (TB) -G -
RFQ
 ECAD 5872 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL357 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
5962-0822701HXA Broadcom Limited 5962-0822701HXA 105.3161
RFQ
 ECAD 2440 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 5962-0822701 ТОК 1 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 6 мкс -
4N29S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4n29s1 (ta) -v -
RFQ
 ECAD 6395 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907150014 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 5 мкс, 40 мкс (mmaks) 1V
H11D2SR2M Fairchild Semiconductor H11D2SR2M -
RFQ
 ECAD 7679 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 435 100 май - 300 1,15 В. 80 май 7500VPK 20% @ 10ma - 5 мкс, 5 мкс 400 м
ILD1213T Vishay Semiconductor Opto Division ILD1213T -
RFQ
 ECAD 7657 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо - - - ILD1213 - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - - - - - - - -
CNY17F4VM onsemi CNY17F4VM 0,3648
RFQ
 ECAD 4484 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17F4 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
PS2501-4X Isocom Components 2004 LTD PS2501-4X 1.7300
RFQ
 ECAD 495 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PS2501 ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 25 - 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5300vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300 м
4N28W onsemi 4n28w -
RFQ
 ECAD 7054 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 4n28 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4n28w-ndr Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
EL815(S)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL815 (S) (TD) -
RFQ
 ECAD 4083 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL815 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 80 май 60 мкс, 53 мкл 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
CNY65B Vishay Semiconductor Opto Division CNY65B 2.6200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 мм) CNY65 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 30 50 май 2,4 мкс, 2,7 мкс 32V 1,25 75 май 8200vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 5 мкс, 3 мкс 300 м
MCT5211TVM onsemi MCT5211TVM 0,6163
RFQ
 ECAD 2966 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MCT5211 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 30 1,25 50 май 4170vrms 150% @ 1,6 мая - 14 мкс, 2,5 мкс 400 м
6N135-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 6n135-x007 1.5800
RFQ
 ECAD 4101 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n135 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 7% @ 16ma - 300NS, 300NS -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть