SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
EL357ND(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL357ND (TB) -G -
RFQ
 ECAD 5872 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL357 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
4N29S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4n29s1 (ta) -v -
RFQ
 ECAD 6395 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907150014 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 5 мкс, 40 мкс (mmaks) 1V
IL216AT Vishay Semiconductor Opto Division IL216AT 1.0400
RFQ
 ECAD 8570 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL216 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1V 60 май 4000 дней 50% @ 1MA - 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL4502S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL4502S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 6587 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло EL4502 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 350NS, 300NS -
EL816(S)(C)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (s) (c) (td) -v -
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL816 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
LTV-0501 Lite-On Inc. LTV-0501 -
RFQ
 ECAD 5828 0,00000000 Lite-On Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 15 1,8 В (МАКС) 25 май 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (FJDK-TL, U, F. -
RFQ
 ECAD 8745 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (FJDK-Tluf Ear99 8541.49.8000 1 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
ILD1213T Vishay Semiconductor Opto Division ILD1213T -
RFQ
 ECAD 7657 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо - - - ILD1213 - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - - - - - - - -
5962-0822701HXA Broadcom Limited 5962-0822701HXA 105.3161
RFQ
 ECAD 2440 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 5962-0822701 ТОК 1 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 6 мкс -
EL814-V Everlight Electronics Co Ltd EL814-V -
RFQ
 ECAD 1456 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) EL814 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
SFH610A-4-LB Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-4-FUNT -
RFQ
 ECAD 1816 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH610A МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - DOSTISH 751-SFH610A-4-FUNT Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 15 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 25 мкс 400 м
FOD617A300W Fairchild Semiconductor FOD617A300W 0,0700
RFQ
 ECAD 5124 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 3300 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 400 м
CNY117F-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-4X017T 0,3937
RFQ
 ECAD 8865 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
EL3H7(E )(EA)(ICM-1)-VG Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (e) (ea) (icm -1) -vg 0,1752
RFQ
 ECAD 2134 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL3H7-G Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Ssop - 1080-EL3H7 (E) (EA) (ICM-1) -VGTR Ear99 8541.41.0000 5000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 м
PS2561L2-1-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2561L2-1-V-F3-A 0,2642
RFQ
 ECAD 3329 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2561 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1381-2 Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
HCPL-6731 Broadcom Limited HCPL-6731 129.5130
RFQ
 ECAD 5386 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 20-CLCC HCPL-6731 ТОК 2 Дэйрлингтон 20-LCCC (8,89x8,89) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A001A2C 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
TLP131(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (F) -
RFQ
 ECAD 6869 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP131 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP131F Ear99 8541.49.8000 150 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
VO617A-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-2X017T 0,4400
RFQ
 ECAD 3933 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
EL817(S1)(A)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (s1) (a) (td) -v -
RFQ
 ECAD 3789 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TCET1103G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1103G 0,5400
RFQ
 ECAD 5358 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCET1103 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
H11B3 Everlight Electronics Co Ltd H11B3 -
RFQ
 ECAD 5161 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 1MA - 25 мкс, 18 мкс 1V
ACFL-5211U-000E Broadcom Limited ACFL-5211U-000E 2.6378
RFQ
 ECAD 4861 0,00000000 Broadcom Limited R²Coupler ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 12-BSOP (0,295 ", Ирина 7,50 мм) ACFL-5211 ТОК 2 Траншистор 12 Такого СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 516-3351 Ear99 8541.49.8000 80 8 май - 20 1,55 20 май 5000 дней 32% @ 10ma 100% @ 10ma 150NS, 500NS -
HCPL-5731#300 Broadcom Limited HCPL-5731#300 121.5225
RFQ
 ECAD 9681 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-csmd, krыlo чaйki HCPL-5731 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A001A2C 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
SFH690AT Vishay Semiconductor Opto Division SFH690AT 0,8000
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
CNY17F-4S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F -4S (TA) -V -
RFQ
 ECAD 4341 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171792 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
IL66-1 Vishay Semiconductor Opto Division IL66-1 -
RFQ
 ECAD 2735 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL66 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - 200 мкс, 200 мкс (MMAKS) 60 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 2MA - - 1V
4N46#560 Broadcom Limited 4n46#560 -
RFQ
 ECAD 1255 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n46 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 60 май - 20 1,4 В. 20 май 3750vrms 200% @ 10ma 1000% @ 10ma 5 мкс, 150 мкс -
HCPL-4701#320 Broadcom Limited HCPL-4701#320 -
RFQ
 ECAD 2918 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 60 май - 18В 1,25 10 май 5000 дней 600% @ 500 мк 8000% @ 500 мк 3 мкс, 34 мкс -
H11D2SR2M Fairchild Semiconductor H11D2SR2M -
RFQ
 ECAD 7679 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 435 100 май - 300 1,15 В. 80 май 7500VPK 20% @ 10ma - 5 мкс, 5 мкс 400 м
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (F) -
RFQ
 ECAD 5111 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP551 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip - ROHS COMPRINT Neprigodnnый Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 15 1,65 В. 25 май 2500vrms 10% @ 16ma - 300NS, 1 мкс -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть