SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
H11AA3SR2VM onsemi H11AA3SR2VM -
RFQ
ECAD 6462 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,17 60 май 7500VPK 50% @ 10ma - - 400 м
SFH618A-4X Isocom Components 2004 LTD SFH618A-4X 0,5100
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 55 1,5 - 50 май 5300vrms 160% @ 1MA 320% @ 1MA - 400 м
EL817(S)(C)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (c) (tb) -v -
RFQ
ECAD 6465 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
JANTX4N23 TT Electronics/Optek Technology Jantx4n23 -
RFQ
ECAD 2105 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 128-6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH 365-1952 Ear99 8541.49.8000 1 50 май 20 мкс, 20 мкс (MMAKS) 40 1,5 - 40 май 1000 В 60% @ 10ma - - 300 м
6N138(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 6N138 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 1363 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n138 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 60 май - 18В 1,65 В. 20 май 2500vrms 300% @ 1,6 мая - 1 мкс, 4 мкс -
MCT2S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd MCT2S (TB) -v -
RFQ
ECAD 2438 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 390717T213 Ear99 8541.49.8000 1000 - 3 мкс, 3 мкс 80 1,23 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
4N33 Everlight Electronics Co Ltd 4n33 0,3755
RFQ
ECAD 5457 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1V
EL817(S1)(TU)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (TU) -VG -
RFQ
ECAD 4306 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS8501L2-E3-AX CEL PS8501L2-E3-AX -
RFQ
ECAD 5138 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 35 1,7 25 май 5000 дней 15% @ 16ma - 220ns, 350ns -
TLP127(V4-TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (V4-TPR, U, F) -
RFQ
ECAD 1254 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (V4-TPRUF) Tr Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
EL1117(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL1117 (TA) -G -
RFQ
ECAD 1692 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников EL1117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 5-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,5 - 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA 4 мкс, 3 мкс 400 м
MOCD217M onsemi MOCD217M 1.1400
RFQ
ECAD 534 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MOCD217 ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,05 60 май 2500vrms 100% @ 1MA - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
TCMT1119 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1119 0,7900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT1119 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
OPIA414BTUA TT Electronics/Optek Technology Opia414btua -
RFQ
ECAD 5476 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Трубка Управо -30 ° C ~ 115 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 10 май 3750vrms 100% @ 1MA 600% @ 1MA - 200 м
PS2535-1-V-A Renesas Electronics America Inc PS2535-1-VA 1,8000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PS2535 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-PS2535-1-VA Ear99 8541.49.8000 100 120 май 18 мкс, 5 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней 400% @ 1MA 5500% @ 1MA - 1V
HCPL-2531-360E Broadcom Limited HCPL-2531-360E 1.4268
RFQ
ECAD 7608 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-2531 ТОК 2 Траншистор СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
TPC817MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MD C9G -
RFQ
ECAD 6686 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
CNY17-1-560E Broadcom Limited CNY17-1-560E 0,2269
RFQ
ECAD 6851 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,4 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 300 м
SFH6136-X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X016 1,7000
RFQ
ECAD 1881 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH6136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 25 В 1,6 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
HCPL-073L-500E Broadcom Limited HCPL-073L-500E 5.6700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-073 ТОК 2 Дэйрлингтон 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 60 май - 1,5 В. 20 май 3750vrms 300% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 25 мкс, 50 ​​мкс -
TLP550(TCCJ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (TCCJ, F) -
RFQ
ECAD 3899 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP550 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP550 (TCCJF) Ear99 8541.49.8000 50
MOC8105 Fairchild Semiconductor MOC8105 0,0900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 65% @ 10ma 133% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
PC824A Sharp Microelectronics PC824A -
RFQ
ECAD 8010 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) 425-1478-5 Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
4N28M Fairchild Semiconductor 4n28m 0,1800
RFQ
ECAD 9622 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 500 м
TLX9185(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (tojgbtlf (o -
RFQ
ECAD 9576 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop - 264-TLX9185 (TOJGBTLF (o Ear99 8541.49.8000 1 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,27 30 май 3750vrms 20% @ 5MA 600% @ 5MA 5 мкс, 5 мкс 400 м
H11AV2FR2VM onsemi H11AV2FR2VM -
RFQ
ECAD 5744 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11AV2FR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 70В 1,18 60 май 7500VPK 50% @ 10ma - 15 мкс, 15 мкс 400 м
ACPL-217-50DE Broadcom Limited ACPL-217-50DE 0,7000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ACPL-217 ТОК 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
MOC8101-X009 Vishay Semiconductor Opto Division MOC8101-X009 -
RFQ
ECAD 5183 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC81 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
HMA121DR3 onsemi HMA121DR3 -
RFQ
ECAD 9060 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 400 м
H11A5TM onsemi H11A5TM -
RFQ
ECAD 8754 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 30% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе