Альянс Память, Инк.

Alliance Memory — мировой производитель устаревших и новых технологий памяти, которые являются заменой микросхем SRAM, DRAM и NOR FLASH от Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix и других. Их портфолио продукции включает в себя полный спектр асинхронных SRAM с напряжением 3,3 В и 5 В, используемых с основными процессорами цифровых сигналов (DSP) и микроконтроллерами; и синхронные SRAM, SRAM с низким энергопотреблением, псевдоSRAM, синхронные DRAM 3,3 В (SDR), мобильные DDR, одиночные 2,5 В (DDR1), двойные 1,8 В (DDR2), а также синхронные DRAM четырехкратной скорости 1,5 В и 1,35 В (DDR3), 1,2 В, а также 5 В с параллельной флэш-памятью NOR устройства. Высокие инвестиции в кристаллы означают, что они могут минимизировать или устранить усадку кристалла, сохраняя при этом стабильную цену. Их цель — установить долгосрочные отношения с клиентами и обеспечить долгосрочную поддержку производимых ими деталей. Alliance Memory поставляет большую часть своих продуктов SRAM, DRAM и FLASH непосредственно со склада, склады которого находятся в США, Шанхае и Тайване. Конкурентоспособные цены, быстрая обработка образцов, а также обслуживание и поддержка клиентов мирового класса сделали Alliance Memory надежным ресурсом для растущего спектра необходимых микросхем памяти для коммуникационных, вычислительных, встраиваемых систем, Интернета вещей, промышленного и потребительского рынков. Alliance Memory, Inc. — частная компания со штаб-квартирой в Киркланде, штат Вашингтон.