IRFU3418PBF Infineon Technologies

Категория

DiSkreTnepolouprovowodnikowыeprodooktы, Траншистор, Фете, mopetы., Одино -впол,

Млн

Infineon Technologies

В припании

HEXFET®

Упако

Tube

Степень Продукта

Obsolete

ТИП ФЕТ

N-Channel

Тела

MOSFET (Metal Oxide)

Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)

80 V

TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)

10V

Rds on (max) @ id, vgs

14mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (max) @ id

5.5V @ 250µA

ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs

94 nC @ 10 V

Vgs (mmaks)

±20V

Взёр.

3510 pF @ 25 V

FET FUONKSHINA

-

Rascenaonie -vlaasti (mmaks)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

Rraboч -yemperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

МОНТАНАНГИП

Through Hole

ПАКЕТИВАЕТСЯ

IPAK (TO-251AA)

PakeT / KORPUES

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вернояж

1 (Unlimited)

Доусейн Статуса

REACH Unaffected

Eccn

EAR99

Htsus

8541.29.0095

Дрогин ИНЕНА

*IRFU3418PBF

Станодадж

75