Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1021CV33-10BAXI | - | ![]() | 2183 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY7C1021 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (7х7) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 416 | Неустойчивый | 1 Мбит | 10 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | FM93CS56M8 | - | ![]() | 4585 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93CS56 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 16 | Микропровод | 10 мс | ||||
![]() | CY7C1049BNL-17VC | - | ![]() | 1211 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1049 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 36-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 17 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 17нс | ||||
![]() | 709349L7PFGI8 | - | ![]() | 2697 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 709349Л | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 72Кбит | 7,5 нс | СРАМ | 4К х 18 | Параллельно | - | |||||
![]() | CY7C1370D-167AXC | - | ![]() | 6622 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,4 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | 7015L12J8 | - | ![]() | 7990 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7015L12 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 72Кбит | 12 нс | СРАМ | 8К х 9 | Параллельно | 12нс | ||||
![]() | 7008С35ПФ | - | ![]() | 2444 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 7008S35 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Неустойчивый | 512Кбит | 35 нс | СРАМ | 64К х 8 | Параллельно | 35 нс | ||||
![]() | S99-50248D | - | ![]() | 1678 г. | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | ССТ26ВФ040АТ-80Э/МФ | 1,6200 | ![]() | 2241 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SST26 SQI® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | SST26VF040 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 80 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | ||||
![]() | 7140ЛА25ПФИ8 | - | ![]() | 3831 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 7140ЛА | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 8Кбит | 25 нс | СРАМ | 1К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
![]() | DS1225AB-70IND+ | 21.5000 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | Модуль 28-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | DS1225A | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,75 В ~ 5,25 В | 28-ЭДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | Энергонезависимый | 64Кбит | 70 нс | НВСРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 70нс | ||||
| S25FL512SDSBHMC13 | 12.9500 | ![]() | 2464 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 80 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||||
![]() | ИС42РМ32800Д-75ТЛИ | - | ![]() | 1923 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42РМ32800 | SDRAM – мобильная версия | 2,3 В ~ 2,7 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | |||
![]() | AT93C46DN-SH-T | - | ![]() | 9897 | 0,00000000 | Атмел | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93C46 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8, 64 х 16 | 3-проводной последовательный порт | 5 мс | |||||||
![]() | ИС42ВМ32400Е-75БЛИ-ТР | - | ![]() | 5365 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42ВМ32400 | SDRAM – мобильная версия | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | |||
![]() | S99PL064J0060 | - | ![]() | 9255 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT47H512M4THN-37E:E ТР | - | ![]() | 5142 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 63-ТФБГА | МТ47Х512М4 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 63-ФБГА (8х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0036 | 1000 | 267 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 500 пс | ДРАМ | 512М х 4 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | S25FL129P0XNFI000 | - | ![]() | 1436 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-П | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | S25FL129 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 338 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 3 мс | ||||
| 93LC46C-I/СТ | 0,3900 | ![]() | 286 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 93LC46 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8, 64 х 16 | Микропровод | 6 мс | |||||
| AS7C4098A-15ТИН | 5.0129 | ![]() | 3766 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C4098 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 15 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 15нс | |||||
![]() | CY7C1418JV18-300BZXC | 58.4000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1418 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
| MT35XU02GCBA2G12-0AAT ТР | 32,6250 | ![]() | 5059 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Xccela™ - MT35X | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | MT35XU02 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | MT35XU02GCBA2G12-0AATTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 200 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Автобус Xccela | - | ||||
![]() | MSR830AGC-2512 | - | ![]() | 1156 | 0,00000000 | МоСис, Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | - | Поверхностный монтаж | 2512-БГА, ФКБГА | СРАМ, РЛДРАМ | - | 2512-FCBGA (27x27) | - | 2331-MSR830AGC-2512 | 1 | Неустойчивый | 1Гбит | 2,7 нс | БАРАН | 16М х 72 | Параллельно | - | |||||||||
![]() | 24LC01BT-E/МС | 0,4050 | ![]() | 6798 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) | 24LC01B | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 3,5 мкс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | W25Q32JVTBJM ТР | - | ![]() | 1549 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | W25Q32JVTBJMTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
![]() | SST39VF800A-70-4I-EKE | 2.5800 | ![]() | 9504 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ССТ39ВФ800 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | SST39VF800A704IEKE | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 8Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 16 | Параллельно | 20 мкс | |||
![]() | CG8002BA | - | ![]() | 2517 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 260 | |||||||||||||||||||
![]() | FM27C010Q150 | - | ![]() | 6841 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Окно 32-CDIP (0,685 дюймов, 17,40 мм) | FM27C010 | СППЗУ - УФ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-CDIP | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 150 нс | СППЗУ | 128 КБ х 8 | Параллельно | - | ||||
![]() | 71В321С25ПФИ | - | ![]() | 6912 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 71В321С | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 16Кбит | 25 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
![]() | 71321LA35TFI | - | ![]() | 2290 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 71321ЛА | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (10х10) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 160 | Неустойчивый | 16Кбит | 35 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 35 нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)