Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Программируемый тип | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Тип контроллера |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | МТ58Л256Л36ДС-6 | 8.5300 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | СИНКБЕРСТ™ | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | МТ58Л256Л36 | SRAM – синхронный | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20,1) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 МГц | Неустойчивый | 8Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | |||||
![]() | S29GL01GS10DHSS23 | 12,4950 | ![]() | 3633 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2200 | Энергонезависимый | 1Гбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 64М х 16 | Параллельно | 60нс | ||||||
| 70В3379С5ВС | 103.2342 | ![]() | 3527 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 256-ЛБГА | 70В3379 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3,15 В ~ 3,45 В | 256-КАБГА (17х17) | скачать | не соответствует RoHS | 4 (72 часа) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Неустойчивый | 576Кбит | 5 нс | СРАМ | 32К х 18 | Параллельно | - | |||||||
| 24AA02/СТ | 0,3600 | ![]() | 6508 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 24АА02 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 24AA02/СТ-НДР | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | |||||
![]() | IS66WVC2M16ECLL-7010BLI | 4,2635 | ![]() | 1225 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ВФБГА | ИС66ВВК2М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 54-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | ||||||
![]() | 25LC160CT-I/МС | 0,7950 | ![]() | 6613 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) | 25LC160 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||||
![]() | АТ28К64-25ДЖИ | - | ![]() | 4458 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | АТ28С64 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | AT28C6425JI | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | Энергонезависимый | 64Кбит | 250 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | Параллельно | 1 мс | |||||
![]() | 71В2556С133БГ | 2.0100 | ![]() | 192 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71В2556 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||||
![]() | AT17LV512A-10JI | 5.2200 | ![]() | 6056 | 0,00000000 | Атмел | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 20-LCC (J-вывод) | Не проверено | 3 В ~ 3,6 В, 4,5 В ~ 5,5 В | 20-ПЛСС (9х9) | скачать | не соответствует RoHS | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | Серийный EEPROM | 512кб | ||||||||||||||
![]() | АТ49БВ040А-70ТУ | - | ![]() | 3068 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AT49BV040 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 50 мкс | ||||||
![]() | CY7C028-15AXI | - | ![]() | 9456 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C028 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 15 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 15нс | ||||||||
![]() | CY62138FV30LL-45ZAXIT | 7.7500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY62138 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 32-сТСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 2Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 45нс | ||||||
![]() | MT53B384M32D2DS-062 ААТ:Б ТР | - | ![]() | 4341 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | МТ53Б384 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 12Гбит | ДРАМ | 384М х 32 | - | - | ||||||
![]() | MT29F4G16AACWC:C ТР | - | ![]() | 3704 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ29Ф4Г16 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 4Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 16 | Параллельно | - | |||||||
![]() | S29GL128P90FFIR23 | 5,8275 | ![]() | 3745 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-П | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1600 | Энергонезависимый | 128Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | 90 нс | ||||||
![]() | ИС61КДП2Б41М18А-400М3Л | 44.1540 | ![]() | 9576 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | IS61QDP2 | SRAM — синхронный, QUADP | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 8,4 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | |||||
![]() | S34ML04G204BHI010Z | 7.1200 | ![]() | 153 | 0,00000000 | Расширение | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AT45DB081D-SU-SL954 | - | ![]() | 5672 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Масса | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT45DB081 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 66 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | ВСПЫШКА | 256 байт х 4096 страниц | СПИ | 4 мс | ||||||||
![]() | ДП8422АВ-25 | 14.1400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Национальный полупроводник | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | EAR99 | 8542.31.0001 | 15 | Динамическое ОЗУ (DRAM) | ||||||||||||||||
![]() | S29AL016J70BFN010 | 2,5979 | ![]() | 4274 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Эл-Джей | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | S29AL016 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (8,15х6,15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 676 | Энергонезависимый | 16Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8, 1М х 16 | Параллельно | 70нс | ||||||
![]() | AT25DF021-MHF-Y | - | ![]() | 9339 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УДФН Открытая площадка | AT25DF021 | ВСПЫШКА | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-УДФН (5х6) | скачать | 3 (168 часов) | AT25DF021-MHF-ЯД | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 256К х 8 | СПИ | 7 мкс, 5 мс | |||||||
![]() | АТ49Ф001НТ-90ВИ | - | ![]() | 9196 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | AT49F001 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ВСОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | AT49F001NT90VI | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 128 КБ х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||||
![]() | АТ17ЛВ002-10Ю | 24.0200 | ![]() | 7107 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 20-LCC (J-вывод) | AT17LV002 | Не проверено | 3 В ~ 3,6 В, 4,5 В ~ 5,5 В | 20-ПЛСС (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | AT17LV00210JU | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 48 | Серийный EEPROM | 2Мб | ||||||||||
![]() | ИС45С16160Д-7БЛА2-ТР | - | ![]() | 5925 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС45С16160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | |||||
![]() | W25Q32FWSFIG ТР | - | ![]() | 2994 г. | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 5000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | ||||||
![]() | S25FL128SAGMFA000 | 5.6600 | ![]() | 4552 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 240 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||||
![]() | UPD46365362BF1-E33-EQ1-A | 60.1500 | ![]() | 352 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | С99ФЛ132КИ010 | - | ![]() | 3718 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | НХ82815 | - | ![]() | 7739 | 0,00000000 | Интел | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 360 | ||||||||||||||||||||||
| 70В24С55Ж | - | ![]() | 8134 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | 70В24С | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Неустойчивый | 64Кбит | 55 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 55нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)