SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Программируемый НИЦ Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Программируемый тип Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Тип контроллера
MT58L256L36DS-6 Micron Technology Inc. МТ58Л256Л36ДС-6 8.5300
запросить цену
ECAD 24 0,00000000 Микрон Технология Инк. СИНКБЕРСТ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP МТ58Л256Л36 SRAM – синхронный 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20,1) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 МГц Неустойчивый 8Мбит 3,5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
S29GL01GS10DHSS23 Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS23 12,4950
запросить цену
ECAD 3633 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL01 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2200 Энергонезависимый 1Гбит 100 нс ВСПЫШКА 64М х 16 Параллельно 60нс
70V3379S5BC Renesas Electronics America Inc 70В3379С5ВС 103.2342
запросить цену
ECAD 3527 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 256-ЛБГА 70В3379 SRAM — двухпортовый, синхронный 3,15 В ~ 3,45 В 256-КАБГА (17х17) скачать не соответствует RoHS 4 (72 часа) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 6 Неустойчивый 576Кбит 5 нс СРАМ 32К х 18 Параллельно -
24AA02/ST Microchip Technology 24AA02/СТ 0,3600
запросить цену
ECAD 6508 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) 24АА02 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 24AA02/СТ-НДР EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16ECLL-7010BLI 4,2635
запросить цену
ECAD 1225 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ВФБГА ИС66ВВК2М16 PSRAM (псевдо SRAM) 1,7 В ~ 1,95 В 54-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 480 Неустойчивый 32 Мбит 70 нс ПСРАМ 2М х 16 Параллельно 70нс
25LC160CT-I/MS Microchip Technology 25LC160CT-I/МС 0,7950
запросить цену
ECAD 6613 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) 25LC160 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 10 МГц Энергонезависимый 16Кбит ЭСППЗУ 2К х 8 СПИ 5 мс
AT28C64-25JI Microchip Technology АТ28К64-25ДЖИ -
запросить цену
ECAD 4458 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) АТ28С64 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (13,97х11,43) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается AT28C6425JI EAR99 8542.32.0051 32 Энергонезависимый 64Кбит 250 нс ЭСППЗУ 8К х 8 Параллельно 1 мс
71V2556S133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71В2556С133БГ 2.0100
запросить цену
ECAD 192 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА 71В2556 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 4,2 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
AT17LV512A-10JI Atmel AT17LV512A-10JI 5.2200
запросить цену
ECAD 6056 0,00000000 Атмел - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 20-LCC (J-вывод) Не проверено 3 В ~ 3,6 В, 4,5 В ~ 5,5 В 20-ПЛСС (9х9) скачать не соответствует RoHS EAR99 8542.32.0051 50 Серийный EEPROM 512кб
AT49BV040A-70TU Microchip Technology АТ49БВ040А-70ТУ -
запросить цену
ECAD 3068 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) AT49BV040 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 32-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 156 Энергонезависимый 4 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 512К х 8 Параллельно 50 мкс
CY7C028-15AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C028-15AXI -
запросить цену
ECAD 9456 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C028 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2B 8542.32.0041 1 Неустойчивый 1 Мбит 15 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 15нс
CY62138FV30LL-45ZAXIT Infineon Technologies CY62138FV30LL-45ZAXIT 7.7500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) CY62138 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 32-сТСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Неустойчивый 2Мбит 45 нс СРАМ 256К х 8 Параллельно 45нс
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 ААТ:Б ТР -
запросить цену
ECAD 4341 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА МТ53Б384 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В 200-ВФБГА (10х14,5) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 2000 г. 1,6 ГГц Неустойчивый 12Гбит ДРАМ 384М х 32 - -
MT29F4G16AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16AACWC:C ТР -
запросить цену
ECAD 3704 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) МТ29Ф4Г16 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП I - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 4Гбит ВСПЫШКА 256М х 16 Параллельно -
S29GL128P90FFIR23 Infineon Technologies S29GL128P90FFIR23 5,8275
запросить цену
ECAD 3745 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-П Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL128 ВСПЫШКА – НО 3 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (13х11) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1600 Энергонезависимый 128Мбит 90 нс ВСПЫШКА 16М х 8 Параллельно 90 нс
IS61QDP2B41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61КДП2Б41М18А-400М3Л 44.1540
запросить цену
ECAD 9576 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА IS61QDP2 SRAM — синхронный, QUADP 1,71 В ~ 1,89 В 165-ЛФБГА (15х17) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 МГц Неустойчивый 18 Мбит 8,4 нс СРАМ 1М х 18 Параллельно -
S34ML04G204BHI010Z Spansion S34ML04G204BHI010Z 7.1200
запросить цену
ECAD 153 0,00000000 Расширение * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3А991Б1А 8542.32.0071 1
AT45DB081D-SU-SL954 Adesto Technologies AT45DB081D-SU-SL954 -
запросить цену
ECAD 5672 0,00000000 Адесто Технологии - Масса Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT45DB081 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.32.0071 90 66 МГц Энергонезависимый 8Мбит ВСПЫШКА 256 байт х 4096 страниц СПИ 4 мс
DP8422AV-25 National Semiconductor ДП8422АВ-25 14.1400
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Национальный полупроводник - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 84-LCC (J-вывод) 4,5 В ~ 5,5 В 84-ПЛЦК (29,31х29,31) скачать не соответствует RoHS EAR99 8542.31.0001 15 Динамическое ОЗУ (DRAM)
S29AL016J70BFN010 Infineon Technologies S29AL016J70BFN010 2,5979
запросить цену
ECAD 4274 0,00000000 Инфинеон Технологии Эл-Джей Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА S29AL016 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8,15х6,15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 676 Энергонезависимый 16Мбит 70 нс ВСПЫШКА 2М х 8, 1М х 16 Параллельно 70нс
AT25DF021-MHF-Y Adesto Technologies AT25DF021-MHF-Y -
запросить цену
ECAD 9339 0,00000000 Адесто Технологии - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-УДФН Открытая площадка AT25DF021 ВСПЫШКА 2,3 В ~ 3,6 В 8-УДФН (5х6) скачать 3 (168 часов) AT25DF021-MHF-ЯД EAR99 8542.32.0071 490 50 МГц Энергонезависимый 2Мбит ВСПЫШКА 256К х 8 СПИ 7 мкс, 5 мс
AT49F001NT-90VI Microchip Technology АТ49Ф001НТ-90ВИ -
запросить цену
ECAD 9196 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) AT49F001 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ВСОП скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается AT49F001NT90VI EAR99 8542.32.0071 208 Энергонезависимый 1 Мбит 90 нс ВСПЫШКА 128 КБ х 8 Параллельно 50 мкс
AT17LV002-10JU Microchip Technology АТ17ЛВ002-10Ю 24.0200
запросить цену
ECAD 7107 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 20-LCC (J-вывод) AT17LV002 Не проверено 3 В ~ 3,6 В, 4,5 В ~ 5,5 В 20-ПЛСС (9х9) скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается AT17LV00210JU 3A991B1B1 8542.32.0051 48 Серийный EEPROM 2Мб
IS45S16160D-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС45С16160Д-7БЛА2-ТР -
запросить цену
ECAD 5925 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ТФБГА ИС45С16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 2500 143 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 16М х 16 Параллельно -
W25Q32FWSFIG TR Winbond Electronics W25Q32FWSFIG ТР -
запросить цену
ECAD 2994 г. 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) W25Q32 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 5000 104 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 60 мкс, 5 мс
S25FL128SAGMFA000 Infineon Technologies S25FL128SAGMFA000 5.6600
запросить цену
ECAD 4552 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) S25FL128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 240 133 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
UPD46365362BF1-E33-EQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD46365362BF1-E33-EQ1-A 60.1500
запросить цену
ECAD 352 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1
S99FL132KI010 Infineon Technologies С99ФЛ132КИ010 -
запросить цену
ECAD 3718 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1
NH82815 Intel НХ82815 -
запросить цену
ECAD 7739 0,00000000 Интел * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 360
70V24S55J Renesas Electronics America Inc 70В24С55Ж -
запросить цену
ECAD 8134 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 84-LCC (J-вывод) 70В24С SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 84-ПЛЦК (29,31х29,31) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 15 Неустойчивый 64Кбит 55 нс СРАМ 4К х 16 Параллельно 55нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе