Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | N25Q128A11E1241E | - | ![]() | 8734 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | N25Q128A11 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 187 | 108 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 4 | СПИ | 8 мс, 5 мс | |||
![]() | CY7C1360S-166AXCT | 14.1050 | ![]() | 9437 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1360 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 166 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
| AS6C3216A-55ТИНТР | 18.8250 | ![]() | 2328 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AS6C3216 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 32 Мбит | 55 нс | СРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | W25X20CLSVIG ТР | - | ![]() | 1789 г. | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | W25X20 | ВСПЫШКА | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ВСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 5000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 256К х 8 | СПИ | 800 мкс | |||
![]() | ИС46ДР81280К-3ДБЛА2 | - | ![]() | 5021 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС46ДР81280 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 450 пс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | S29GL256S10DHA023 | - | ![]() | 6466 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2200 | Энергонезависимый | 256Мбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 16М х 16 | Параллельно | 60нс | |||
![]() | DS1230WP-150 | - | ![]() | 1450 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Модуль 34-PowerCap™ | DS1230W | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 3 В ~ 3,6 В | 34-Модуль PowerCap | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 40 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | НВСРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | |||
![]() | AT24C128-10ПК | - | ![]() | 4006 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | АТ24С128 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 16К х 8 | I²C | 10 мс | ||
![]() | W25Q64JVZESQ | - | ![]() | 3361 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q64JVZESQ | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||
![]() | MT28F400B5WP-8 Б ТР | - | ![]() | 1798 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ28Ф400Б5 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 80 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8, 256К х 16 | Параллельно | 80нс | |||
![]() | 25АА512-И/СН | 2,6100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 25АА512 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 25AA512ISN | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | ЭСППЗУ | 64К х 8 | СПИ | 5 мс | ||
![]() | S29GL256P90FFIR20 | 11.1800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-П | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 180 | Энергонезависимый | 256Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | 90 нс | |||
![]() | AT45DQ321-MHFHJ-T | - | ![]() | 5320 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УДФН Открытая площадка | AT45DQ321 | ВСПЫШКА | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-УДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 6000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 512 байт x 8192 страницы | СПИ | 8 мкс, 4 мс | |||
![]() | S29PL127J60BFA040 | - | ![]() | 4500 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Масса | Активный | - | 2156-С29ПЛ127ДЖ60БФА040 | 1 | |||||||||||||||||||||
| S26KL128SDABHA030 | 6.4750 | ![]() | 8453 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KL | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КЛ128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0051 | 338 | 100 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | ИС65ВВ1288ФБЛЛ-55ХЛА3 | - | ![]() | 1964 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | ИС65ВВ1288 | SRAM – синхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 32-сЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS65WV1288FBLL-55HLA3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Неустойчивый | 1 Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 55нс | ||
![]() | S25FL512SAGMFVG13 | 9.4325 | ![]() | 2605 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1450 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||
![]() | AT28HC256F-90JC | - | ![]() | 9549 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | AT28HC256 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | Энергонезависимый | 256Кбит | 90 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | 3 мс | |||
![]() | MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A ТР | 12.7800 | ![]() | 4908 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 132-ВБГА | MT29F256G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 132-ВБГА (12х18) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 0000.00.0000 | 2000 г. | 200 МГц | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | Параллельно | - | |||||
| 23А256-И/П | 1,5150 | ![]() | 2259 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 23А256 | СРАМ | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 60 | 20 МГц | Неустойчивый | 256Кбит | СРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | IDT71V3559SA85BQI8 | - | ![]() | 5415 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИДТ71В3559 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3559СА85БКИ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | ||
| AT24C01C-КУМ-Т | - | ![]() | 2797 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВФБГА | АТ24С01 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ВФБГА (1,5х2) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
| CAT25010YI-GT3 | 0,3100 | ![]() | 4080 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | КАТ25010 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8 | СПИ | 5 мс | |||||
| 24LC014H-E/СТ | 0,5100 | ![]() | 2513 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 24LC014H | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 400 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | БР93Г66ФВТ-3БГЭ2 | 0,6300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | БР93Г66 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ТССОП-Б | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 3 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 16 | Микропровод | 5 мс | |||
![]() | AT45DB321D-MWU | - | ![]() | 6775 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | АТ45ДБ321 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВДФН (8х6) | скачать | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 338 | 66 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 528 байт x 8192 страницы | СПИ | 6 мс | |||||
![]() | ИДТ71В65602С100ПФГ | - | ![]() | 8183 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В65602 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В65602С100ПФГ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | АС6К1008-55ПИН | 4.3500 | ![]() | 745 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | AS6C1008 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 13 | Неустойчивый | 1 Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | MT29E256G08CMCDBJ5-6:D ТР | - | ![]() | 9478 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 132-ТБГА | MT29E256G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 132-ТБГА (12х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 167 МГц | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | Параллельно | - | ||||
![]() | 70В28Л15ПФИ | - | ![]() | 1284 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 70В28 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 1 Мбит | 15 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 15 нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)