SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
CY7C1371C-117BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1371C-117BGC 15.4800
запросить цену
ECAD 44 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация НоБЛ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1371 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 МГц Неустойчивый 18 Мбит 7,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
AT45DB081-RC Microchip Technology AT45DB081-RC -
запросить цену
ECAD 1891 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) AT45DB081 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 28-СОИК скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается AT45DB081RC EAR99 8542.32.0071 26 10 МГц Энергонезависимый 8Мбит ВСПЫШКА 264 байт х 4096 страниц СПИ 14 мс
W25Q32JVTBJQ TR Winbond Electronics W25Q32JVTBJQ ТР -
запросить цену
ECAD 3451 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ W25Q32 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-ТФБГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается W25Q32JVTBJQTR 3А991Б1А 8542.32.0071 2000 г. 133 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
AT45DB081D-SU-SL955 Adesto Technologies AT45DB081D-SU-SL955 -
запросить цену
ECAD 5095 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT45DB081 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.32.0071 2000 г. 66 МГц Энергонезависимый 8Мбит ВСПЫШКА 256 байт х 4096 страниц СПИ 4 мс
SST39LF020-55-4C-MME Microchip Technology SST39LF020-55-4C-MME -
запросить цену
ECAD 6500 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 34-ВФБГА SST39LF020 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 34-ВФБГА (6х4) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 740 Энергонезависимый 2Мбит 55 нс ВСПЫШКА 256К х 8 Параллельно 20 мкс
IS42S16160G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16160Г-6БЛИ 4.2807
запросить цену
ECAD 1779 г. 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ТФБГА ИС42С16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ТФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 348 166 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 16М х 16 Параллельно -
71256L45TDB Renesas Electronics America Inc 71256L45TDB 38,8776
запросить цену
ECAD 5915 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Активный -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) 71256Л SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-CDIP скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A001A2C 8542.32.0041 13 Неустойчивый 256Кбит 45 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 45нс
SST39VF3201C-70-4I-EKE Microchip Technology SST39VF3201C-70-4I-EKE 3,6200
запросить цену
ECAD 3767 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) ССТ39ВФ3201 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается SST39VF3201C704IEKE 3А991Б1А 8542.32.0071 96 Энергонезависимый 32 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 2М х 16 Параллельно 10 мкс
7019L20PF8 Renesas Electronics America Inc 7019Л20ПФ8 -
запросить цену
ECAD 9572 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 7019L20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 Неустойчивый 1,125 Мбит 20 нс СРАМ 128 КБ х 9 Параллельно 20нс
CY62146CV18LL-55BAI Cypress Semiconductor Corp CY62146CV18LL-55BAI 2.3000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ2™ Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY62146 SRAM — асинхронный 1,65 В ~ 1,95 В 48-ФБГА (7х8,5) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4 Мбит 55 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 55нс
M29W320EB70ZS6E Micron Technology Inc. M29W320EB70ZS6E -
запросить цену
ECAD 5313 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА M29W320 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается -M29W320EB70ZS6E 3А991Б1А 8542.32.0071 960 Энергонезависимый 32 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 4М х 8, 2М х 16 Параллельно 70нс
UPD44324365BF5-E40-FQ1 Renesas Electronics America Inc UPD44324365BF5-E40-FQ1 57.0300
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА UPD44324365 SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 1М х 36 Параллельно 4нс
CY7C1518TV18-250BZC Infineon Technologies CY7C1518TV18-250BZC -
запросить цену
ECAD 9563 0,00000000 Инфинеон Технологии - Сумка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1518 SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) - не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается -CY7C1518TV18 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 4М х 18 Параллельно -
AT25SF161-SSHDHR-T Adesto Technologies AT25SF161-SSHDHR-T -
запросить цену
ECAD 7354 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) АТ25СФ161 ВСПЫШКА – НО 2,5 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 5 мс
IDT71V67603S133PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V67603S133PFI8 -
запросить цену
ECAD 6006 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71В67603 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В67603С133ПФИ8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 133 МГц Неустойчивый 9Мбит 4,2 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
SST26VF016B-104I/SM Microchip Technology ССТ26ВФ016Б-104И/СМ 1,9200
запросить цену
ECAD 1447 0,00000000 Микрочиповая технология SST26 SQI® Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) SST26VF016 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИЖ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 90 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 1,5 мс
5962-8858702XA Cypress Semiconductor Corp 5962-8858702ХА 104,6600
запросить цену
ECAD 237 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -55°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-CFплоская упаковка 5962-8858702 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 18-CF в плоской упаковке скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A001A2C 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4Кбит 35 нс СРАМ 4К х 1 Параллельно 35 нс
CY62167DV30LL-55BVXIT Infineon Technologies CY62167DV30LL-55BVXIT 12.2325
запросить цену
ECAD 5226 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY62167 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (8х9,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. Неустойчивый 16Мбит 55 нс СРАМ 1М х 16 Параллельно 55нс
CY7C1062DV33-10BGXI Infineon Technologies CY7C1062DV33-10BGXI -
запросить цену
ECAD 1084 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1062 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 84 Неустойчивый 16Мбит 10 нс СРАМ 512К х 32 Параллельно 10 нс
AT45DB021E-SHNHA-T Adesto Technologies АТ45ДБ021Е-ШНХА-Т 1,3900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT45DB021 ВСПЫШКА 1,65 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. 70 МГц Энергонезависимый 2Мбит ВСПЫШКА 264 байт х 1024 страницы СПИ 8 мкс, 3 мс
MX29GL640ELTI-70G Macronix MX29GL640ELTI-70G 3,5750
запросить цену
ECAD 9686 0,00000000 Макроникс MX29GL Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП - 3 (168 часов) 1092-MX29GL640ELTI-70G 96 Энергонезависимый 64 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 8м х 8, 4м х 16 CFI 70нс
IDT71V3558S133BG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3558S133BG8 -
запросить цену
ECAD 1480 г. 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА ИДТ71В3558 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В3558С133БГ8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 133 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 4,2 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно -
AT49LV001NT-12JC Microchip Technology AT49LV001NT-12JC -
запросить цену
ECAD 8410 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) AT49LV001 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 32-ПЛСС (13,97х11,43) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается AT49LV001NT12JC EAR99 8542.32.0071 32 Энергонезависимый 1 Мбит 120 нс ВСПЫШКА 128 КБ х 8 Параллельно 50 мкс
S25FS128SDSBHM200 Infineon Technologies S25FS128SDSBHM200 6.3350
запросить цену
ECAD 8777 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FS-S Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ С25ФС128 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 338 80 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
MT25QU128ABA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-0SIT ТР 3,3831
запросить цену
ECAD 3647 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MT25QU128 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 24-Т-ПБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 133 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 СПИ 8 мс, 2,8 мс
MT28F800B3WG-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 Б ТР -
запросить цену
ECAD 2674 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) МТ28Ф800Б3 ВСПЫШКА – НО 3 В ~ 3,6 В 48-ЦОП I скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 8Мбит 90 нс ВСПЫШКА 1М х 8, 512К х 16 Параллельно 90 нс
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR -
запросить цену
ECAD 8533 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший МТ29ВЗЗЗБД8 - 1 (без блокировки) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1000
DS1249Y-85 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1249Y-85 -
запросить цену
ECAD 8228 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие Модуль 32-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) DS1249Y NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 4,5 В ~ 5,5 В 32-ЭДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 11 Энергонезависимый 2Мбит 85 нс НВСРАМ 256К х 8 Параллельно 85нс
MT51J256M32HF-60:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-60:А ТР -
запросить цену
ECAD 1880 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 170-ТФБГА МТ51J256 СГРАММ — GDDR5 1,31 В ~ 1,39 В, 1,46 В ~ 1,55 В 170-ФБГА (12х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. 1,5 ГГц Неустойчивый 8Гбит БАРАН 256М х 32 Параллельно -
S34SL02G200BHI000 SkyHigh Memory Limited S34SL02G200BHI000 -
запросить цену
ECAD 6866 0,00000000 SkyHigh Память ограничена - Поднос Снято с производства в НИЦ S34SL02 - Соответствует RoHS 3 (168 часов) 2120-С34СЛ02Г200БХИ000 3А991Б1А 8542.32.0071 210 Не проверено
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе