SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
IS43TR16640C-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16640С-107МБЛИ-ТР 3.3306
запросить цену
ECAD 1719 г. 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-ТБГА (9х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-IS43TR16640C-107MBLI-TR 1500 933 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15нс
IDT71V546XS133PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V546XS133PF8 -
запросить цену
ECAD 5027 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71В546 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В546ХС133ПФ8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 133 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 4,2 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
IS42SM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42СМ32200К-6БЛИ-ТР -
запросить цену
ECAD 4910 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42СМ32200 SDRAM – мобильная версия 2,7 В ~ 3,6 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 2500 166 МГц Неустойчивый 64 Мбит 5,5 нс ДРАМ 2М х 32 Параллельно -
MT41K128M8DA-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107:J ТР 5.0100
запросить цену
ECAD 214 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА МТ41К128М8 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 78-ФБГА (8х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 1000 933 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 8 Параллельно -
K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. K4A4G085WE-BCRC 4.5000
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. * Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует ROHS3 Поставщик не определен 3277-K4A4G085WE-BCRCTR 250
MT29F512G08CUCABH3-12:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12:А -
запросить цену
ECAD 1171 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-ЛБГА MT29F512G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В 100-LBGA (12x18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 83 МГц Энергонезависимый 512Гбит ВСПЫШКА 64Г х 8 Параллельно -
AT45DB041D-SU-SL954 Adesto Technologies AT45DB041D-SU-SL954 -
запросить цену
ECAD 9997 0,00000000 Адесто Технологии - Масса Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT45DB041 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК - 1 (без блокировки) EAR99 8542.32.0071 90 66 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 256 байт х 2048 страниц СПИ 4 мс
M29F040B70K1 Micron Technology Inc. М29Ф040Б70К1 -
запросить цену
ECAD 9638 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) M29F040 ВСПЫШКА – НО 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (11,35х13,89) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 32 Энергонезависимый 4 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 512К х 8 Параллельно 70нс
93LC76AT-I/SN Microchip Technology 93LC76AT-I/SN 0,5100
запросить цену
ECAD 5448 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 93LC76 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3300 3 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8 Микропровод 5 мс
7143SA25J8 Renesas Electronics America Inc 7143SA25J8 -
запросить цену
ECAD 2659 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 7143SA SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 250 Неустойчивый 32Кбит 25 нс СРАМ 2К х 16 Параллельно 25нс
CAT25040S onsemi КАТ25040С 0,2500
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 онсеми * Масса Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ25040 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-CAT25040S-488 EAR99 8542.32.0071 1 10 МГц Энергонезависимый 4Кбит 40 нс ЭСППЗУ 512 х 8 СПИ 5 мс
GS81302D36GE-350I GSI Technology Inc. GS81302D36GE-350I 220,9200
запросить цену
ECAD 5988 0,00000000 Компания GSI Technology Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 100°С (ТДж) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА GS81302D36 SRAM — четырехпортовый, синхронный 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФПБГА (15х17) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 2364-GS81302D36GE-350И 3A991B2B 8542.32.0041 10 350 МГц Неустойчивый 144 Мбит СРАМ 4М х 36 Параллельно -
D2516ACXGXGRK-U Kingston D2516ACXGXGRK-U 2,4700
запросить цену
ECAD 22 0,00000000 Кингстон - Поднос Активный 0°С ~ 95°С Поверхностный монтаж SDRAM-DDR4 1,2 В скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3217-D2516ACXGXGRK-У EAR99 8542.31.0001 1 Неустойчивый ДРАМ Параллельно
6116SA20TPGI Renesas Electronics America Inc 6116SA20TPGI -
запросить цену
ECAD 3101 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 24-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) 6116SA SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 24-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 15 Неустойчивый 16Кбит 20 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 20нс
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR -
запросить цену
ECAD 7345 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный МТ29ВЗЗЗБД8 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 0000.00.0000 1000
AF064GEC5X-2004CX ATP Electronics, Inc. AF064GEC5X-2004CX 22.1550
запросить цену
ECAD 1079 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Поднос Активный - REACH не касается 1282-AF064GEC5X-2004CX 760
M25PE40-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. М25ПЭ40-ВМН3ТПБ ТР -
запросить цену
ECAD 4115 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) М25ПЭ40 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СО скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0071 2500 75 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 СПИ 15 мс, 3 мс
462791-1570 Infineon Technologies 462791-1570 -
запросить цену
ECAD 3438 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Последняя покупка - 1
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. МР1А16АЙС35Р 17.2350
запросить цену
ECAD 6299 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР1А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР1А16АЙС35РТР EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 2Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 16 Параллельно 35 нс
EDFB232A1MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-GD-FD -
запросить цену
ECAD 8640 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -30°С ~ 85°С (ТА) - - ЭДФБ232 SDRAM — мобильный LPDDR3 1,14 В ~ 1,95 В - - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1680 г. 800 МГц Неустойчивый 32Гбит ДРАМ 1Г х 32 Параллельно -
CY7C1413KV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1413KV18-300BZC -
запросить цену
ECAD 7214 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1413 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать 7 300 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 2М х 18 Параллельно - Не проверено
CY62177DV30L-70BAI Cypress Semiconductor Corp CY62177DV30L-70BAI 24.0000
запросить цену
ECAD 26 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY62177 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х9,5) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 32 Мбит 70 нс СРАМ 2М х 16 Параллельно 70нс
S25FL256SDPNFB000 Infineon Technologies S25FL256SDPNFB000 7.9450
запросить цену
ECAD 2959 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка S25FL256 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 676 66 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
IS62WV12816BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС62ВВ12816БЛЛ-55ТИ-ТР -
запросить цену
ECAD 7901 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) IS62WV12816 SRAM — асинхронный 2,5 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
MT47H64M8CF-25E L:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E L:G TR -
запросить цену
ECAD 6018 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА МТ47Х64М8 SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 60-ФБГА (8х10) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0036 1000 400 МГц Неустойчивый 512 Мбит 400 пс ДРАМ 64М х 8 Параллельно 15нс
25LC320AXT-E/ST Microchip Technology 25LC320AXT-E/СТ 0,9150
запросить цену
ECAD 5505 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) 25LC320 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 25LC320AXT-E/СТТР EAR99 8542.32.0051 2500 10 МГц Энергонезависимый 32Кбит ЭСППЗУ 4К х 8 СПИ 5 мс
70V07L25PFG Renesas Electronics America Inc 70В07Л25ПФГ 65.2136
запросить цену
ECAD 6962 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Последняя покупка 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 80-LQFP 70В07 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 80-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 45 Неустойчивый 256Кбит 25 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
CY62157EV30LL-45BVIT Infineon Technologies CY62157EV30LL-45BVIT 8.9600
запросить цену
ECAD 8857 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY62157 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (6х8) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. Неустойчивый 8Мбит 45 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 45нс
AT25DF256-XMHN-B Adesto Technologies AT25DF256-XMHN-B 0,4125
запросить цену
ECAD 1831 г. 0,00000000 Адесто Технологии - Трубка Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) АТ25ДФ256 ВСПЫШКА 1,65 В ~ 3,6 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 100 104 МГц Энергонезависимый 256Кбит ВСПЫШКА 32К х 8 СПИ 8 мкс, 2,5 мс
SM671PEA-ADSS Silicon Motion, Inc. SM671PEA-ADSS -
запросить цену
ECAD 3011 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. Ферри-УФС™ Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 153-ТФБГА СМ671 ФЛЕШ-NAND (SLC), ФЛЕШ-NAND (TLC) - 153-БГА (11,5х13) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 1984-SM671PEA-ADSS УСТАРЕВШИЙ 1 Энергонезависимый 40Гбит ВСПЫШКА 5G х 8 УФС2.1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе