Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ИС43ТР16640С-107МБЛИ-ТР | 3.3306 | ![]() | 1719 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ТБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS43TR16640C-107MBLI-TR | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | ||||||
![]() | IDT71V546XS133PF8 | - | ![]() | 5027 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В546 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В546ХС133ПФ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | ИС42СМ32200К-6БЛИ-ТР | - | ![]() | 4910 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42СМ32200 | SDRAM – мобильная версия | 2,7 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | |||
![]() | MT41K128M8DA-107:J ТР | 5.0100 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ41К128М8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1000 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | K4A4G085WE-BCRC | 4.5000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Самсунг Полупроводник, Инк. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует ROHS3 | Поставщик не определен | 3277-K4A4G085WE-BCRCTR | 250 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08CUCABH3-12:А | - | ![]() | 1171 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | MT29F512G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-LBGA (12x18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 83 МГц | Энергонезависимый | 512Гбит | ВСПЫШКА | 64Г х 8 | Параллельно | - | |||||
![]() | AT45DB041D-SU-SL954 | - | ![]() | 9997 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Масса | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT45DB041 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | - | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 66 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 256 байт х 2048 страниц | СПИ | 4 мс | ||||||
![]() | М29Ф040Б70К1 | - | ![]() | 9638 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | M29F040 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,35х13,89) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | 93LC76AT-I/SN | 0,5100 | ![]() | 5448 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93LC76 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 3 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | Микропровод | 5 мс | ||||
![]() | 7143SA25J8 | - | ![]() | 2659 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7143SA | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 32Кбит | 25 нс | СРАМ | 2К х 16 | Параллельно | 25нс | ||||
| КАТ25040С | 0,2500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | онсеми | * | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ25040 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | - | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-CAT25040S-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 10 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 40 нс | ЭСППЗУ | 512 х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
| GS81302D36GE-350I | 220,9200 | ![]() | 5988 | 0,00000000 | Компания GSI Technology Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 100°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | GS81302D36 | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФПБГА (15х17) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2364-GS81302D36GE-350И | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350 МГц | Неустойчивый | 144 Мбит | СРАМ | 4М х 36 | Параллельно | - | ||||
![]() | D2516ACXGXGRK-U | 2,4700 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Кингстон | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 95°С | Поверхностный монтаж | SDRAM-DDR4 | 1,2 В | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3217-D2516ACXGXGRK-У | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | Неустойчивый | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||
![]() | 6116SA20TPGI | - | ![]() | 3101 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 24-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 6116SA | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 24-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Неустойчивый | 16Кбит | 20 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 20нс | ||||
![]() | MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR | - | ![]() | 7345 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | МТ29ВЗЗЗБД8 | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 0000.00.0000 | 1000 | ||||||||||||||||||
![]() | AF064GEC5X-2004CX | 22.1550 | ![]() | 1079 | 0,00000000 | АТП Электроникс, Инк. | - | Поднос | Активный | - | REACH не касается | 1282-AF064GEC5X-2004CX | 760 | |||||||||||||||||||||
![]() | М25ПЭ40-ВМН3ТПБ ТР | - | ![]() | 4115 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | М25ПЭ40 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СО | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2500 | 75 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | СПИ | 15 мс, 3 мс | |||||
![]() | 462791-1570 | - | ![]() | 3438 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
| МР1А16АЙС35Р | 17.2350 | ![]() | 6299 | 0,00000000 | Эверспин Технологии Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МР1А16 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП2 | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 819-МР1А16АЙС35РТР | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | Энергонезависимый | 2Мбит | 35 нс | БАРАН | 128 КБ х 16 | Параллельно | 35 нс | ||||
![]() | EDFB232A1MA-GD-FD | - | ![]() | 8640 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°С ~ 85°С (ТА) | - | - | ЭДФБ232 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1680 г. | 800 МГц | Неустойчивый | 32Гбит | ДРАМ | 1Г х 32 | Параллельно | - | |||||
![]() | CY7C1413KV18-300BZC | - | ![]() | 7214 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1413 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | 7 | 300 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||
![]() | CY62177DV30L-70BAI | 24.0000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY62177 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (8х9,5) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | СРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | S25FL256SDPNFB000 | 7.9450 | ![]() | 2959 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | S25FL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 676 | 66 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||
| ИС62ВВ12816БЛЛ-55ТИ-ТР | - | ![]() | 7901 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IS62WV12816 | SRAM — асинхронный | 2,5 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 2Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 16 | Параллельно | 55нс | |||||
![]() | MT47H64M8CF-25E L:G TR | - | ![]() | 6018 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | МТ47Х64М8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-ФБГА (8х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15нс | ||||
| 25LC320AXT-E/СТ | 0,9150 | ![]() | 5505 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 25LC320 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 25LC320AXT-E/СТТР | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 32Кбит | ЭСППЗУ | 4К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
![]() | 70В07Л25ПФГ | 65.2136 | ![]() | 6962 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | 70В07 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 80-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Неустойчивый | 256Кбит | 25 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
![]() | CY62157EV30LL-45BVIT | 8.9600 | ![]() | 8857 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62157 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 8Мбит | 45 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 45нс | ||||
| AT25DF256-XMHN-B | 0,4125 | ![]() | 1831 г. | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Трубка | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | АТ25ДФ256 | ВСПЫШКА | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ВСПЫШКА | 32К х 8 | СПИ | 8 мкс, 2,5 мс | |||||
![]() | SM671PEA-ADSS | - | ![]() | 3011 | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | Ферри-УФС™ | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 153-ТФБГА | СМ671 | ФЛЕШ-NAND (SLC), ФЛЕШ-NAND (TLC) | - | 153-БГА (11,5х13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1984-SM671PEA-ADSS | УСТАРЕВШИЙ | 1 | Энергонезависимый | 40Гбит | ВСПЫШКА | 5G х 8 | УФС2.1 | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)