Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1371C-117BGC | 15.4800 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | НоБЛ™ | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1371 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | AT45DB081-RC | - | ![]() | 1891 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) | AT45DB081 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | AT45DB081RC | EAR99 | 8542.32.0071 | 26 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 4096 страниц | СПИ | 14 мс | |||
![]() | W25Q32JVTBJQ ТР | - | ![]() | 3451 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | W25Q32JVTBJQTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
![]() | AT45DB081D-SU-SL955 | - | ![]() | 5095 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT45DB081 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 66 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | ВСПЫШКА | 256 байт х 4096 страниц | СПИ | 4 мс | ||||||
![]() | SST39LF020-55-4C-MME | - | ![]() | 6500 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 34-ВФБГА | SST39LF020 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 34-ВФБГА (6х4) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 740 | Энергонезависимый | 2Мбит | 55 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 20 мкс | ||||
![]() | ИС42С16160Г-6БЛИ | 4.2807 | ![]() | 1779 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42С16160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | 71256L45TDB | 38,8776 | ![]() | 5915 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71256Л | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | Неустойчивый | 256Кбит | 45 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 45нс | ||||
![]() | SST39VF3201C-70-4I-EKE | 3,6200 | ![]() | 3767 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ССТ39ВФ3201 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | SST39VF3201C704IEKE | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 2М х 16 | Параллельно | 10 мкс | |||
![]() | 7019Л20ПФ8 | - | ![]() | 9572 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 7019L20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 20 нс | СРАМ | 128 КБ х 9 | Параллельно | 20нс | ||||
![]() | CY62146CV18LL-55BAI | 2.3000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ2™ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY62146 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 1,95 В | 48-ФБГА (7х8,5) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | M29W320EB70ZS6E | - | ![]() | 5313 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | M29W320 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | -M29W320EB70ZS6E | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 960 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8, 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
![]() | UPD44324365BF5-E40-FQ1 | 57.0300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | UPD44324365 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 1М х 36 | Параллельно | 4нс | ||||||
![]() | CY7C1518TV18-250BZC | - | ![]() | 9563 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1518 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | - | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | -CY7C1518TV18 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | AT25SF161-SSHDHR-T | - | ![]() | 7354 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АТ25СФ161 | ВСПЫШКА – НО | 2,5 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 5 мс | ||||
![]() | IDT71V67603S133PFI8 | - | ![]() | 6006 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В67603 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В67603С133ПФИ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | ССТ26ВФ016Б-104И/СМ | 1,9200 | ![]() | 1447 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SST26 SQI® | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | SST26VF016 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИЖ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | ||||
![]() | 5962-8858702ХА | 104,6600 | ![]() | 237 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 18-CFплоская упаковка | 5962-8858702 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 18-CF в плоской упаковке | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4Кбит | 35 нс | СРАМ | 4К х 1 | Параллельно | 35 нс | ||||
![]() | CY62167DV30LL-55BVXIT | 12.2325 | ![]() | 5226 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62167 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (8х9,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 16Мбит | 55 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | CY7C1062DV33-10BGXI | - | ![]() | 1084 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1062 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 512К х 32 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | АТ45ДБ021Е-ШНХА-Т | 1,3900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT45DB021 | ВСПЫШКА | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 70 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 1024 страницы | СПИ | 8 мкс, 3 мс | ||||
![]() | MX29GL640ELTI-70G | 3,5750 | ![]() | 9686 | 0,00000000 | Макроникс | MX29GL | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | - | 3 (168 часов) | 1092-MX29GL640ELTI-70G | 96 | Энергонезависимый | 64 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 8м х 8, 4м х 16 | CFI | 70нс | ||||||||
![]() | IDT71V3558S133BG8 | - | ![]() | 1480 г. | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | ИДТ71В3558 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3558С133БГ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | ||
![]() | AT49LV001NT-12JC | - | ![]() | 8410 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | AT49LV001 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | AT49LV001NT12JC | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 128 КБ х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||
| S25FS128SDSBHM200 | 6.3350 | ![]() | 8777 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FS-S | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | С25ФС128 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 338 | 80 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||
| MT25QU128ABA8E12-0SIT ТР | 3,3831 | ![]() | 3647 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | MT25QU128 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||||
![]() | MT28F800B3WG-9 Б ТР | - | ![]() | 2674 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ28Ф800Б3 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 8Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 1М х 8, 512К х 16 | Параллельно | 90 нс | ||||
![]() | MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR | - | ![]() | 8533 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | МТ29ВЗЗЗБД8 | - | 1 (без блокировки) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | |||||||||||||||||||
| DS1249Y-85 | - | ![]() | 8228 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Модуль 32-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | DS1249Y | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЭДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | Энергонезависимый | 2Мбит | 85 нс | НВСРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 85нс | |||||
![]() | MT51J256M32HF-60:А ТР | - | ![]() | 1880 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 170-ТФБГА | МТ51J256 | СГРАММ — GDDR5 | 1,31 В ~ 1,39 В, 1,46 В ~ 1,55 В | 170-ФБГА (12х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 1,5 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | БАРАН | 256М х 32 | Параллельно | - | ||||
![]() | S34SL02G200BHI000 | - | ![]() | 6866 | 0,00000000 | SkyHigh Память ограничена | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | S34SL02 | - | Соответствует RoHS | 3 (168 часов) | 2120-С34СЛ02Г200БХИ000 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 210 | Не проверено |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)