SIC
close

Память(70500)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Тип контроллера Программируемый НИЦ
AT28C256-25DM/883 Microchip Technology АТ28К256-25ДМ/883 248,8200
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -55°C ~ 125°C (TC) Сквозное отверстие 28-CDIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) AT28C256 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 28-CerDip скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A001A2C 8542.32.0051 14 Энергонезависимый 256Кбит 250 нс ЭСППЗУ 32К х 8 Параллельно 10 мс
UPD46365092BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD46365092BF1-E40-EQ1-A 60.1500
запросить цену
 ECAD 214 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1
S28HS02GTFPBHV053 Infineon Technologies S28HS02GTFPBHV053 39,8650
запросить цену
 ECAD 7743 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-ФБГА (8х8) скачать 2000 г. 166 МГц Энергонезависимый 2Гбит ВСПЫШКА 256М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MT29F256G08CJAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12:А -
запросить цену
 ECAD 5553 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) MT29F256G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП I - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 83 МГц Энергонезависимый 256Гбит ВСПЫШКА 32Г х 8 Параллельно -
CY7C1357B-117AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1357B-117AC 7.3300
запросить цену
 ECAD 58 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация НоБЛ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1357 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 МГц Неустойчивый 9Мбит 7 нс СРАМ 512К х 18 Параллельно -
MD2716-45/B Rochester Electronics, LLC МД2716-45/Б 84.4400
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 Рочестер Электроникс, ООО * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1
71V3556S133PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71В3556С133ПФГИ 10.0700
запросить цену
 ECAD 556 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 71В3556 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 4,2 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
IS43LQ32640AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640AL-062TBLI 10.4241
запросить цену
 ECAD 9537 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В 200-ТФБГА (10х14,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-IS43LQ32640AL-062TBLI 136 1,6 ГГц Неустойчивый 2Гбит 3,5 нс ДРАМ 64М х 32 ЛВСТЛ 18нс
S29GL01GS10SFI020 Infineon Technologies С29ГЛ01ГС10СФИ020 -
запросить цену
 ECAD 8229 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж - S29GL01 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В - скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 54 Энергонезависимый 1Гбит 100 нс ВСПЫШКА 64М х 16 Параллельно 60нс
S25HS02GTDPBHM050 Infineon Technologies S25HS02GTDPBHM050 39,7425
запросить цену
 ECAD 5033 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-БГА (8х6) - 3А991Б1А 8542.32.0071 260 133 МГц Энергонезависимый 2Гбит 6 нс ВСПЫШКА 256М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 1,7 мс
47L04-I/W16K Microchip Technology 47Л04-И/В16К -
запросить цену
 ECAD 2305 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж Править 47L04 ЭСППЗУ, ОЗУ 2,7 В ~ 3,6 В Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 1 МГц Энергонезависимый 4Кбит 400 нс ЭРАМ 512 х 8 I²C 1 мс
CY62177EV18LL-70BAXIT Infineon Technologies CY62177EV18LL-70BAXIT 34.7550
запросить цену
 ECAD 4964 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY62177 SRAM — асинхронный 1,65 В ~ 2,25 В 48-ФБГА (8х9,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. Неустойчивый 32 Мбит 70 нс СРАМ 4М х 8, 2М х 16 Параллельно 70нс
IS43TR16128DL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16128ДЛ-107МБЛИ-ТР 4,8164
запросить цену
 ECAD 2666 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS43TR16128 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ТБГА (9х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС43ТР16128ДЛ-107МБЛИ-ТР EAR99 8542.32.0036 1500 933 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15 нс
H6Y77UT-C ProLabs H6Y77UT-C 24.5000
запросить цену
 ECAD 4117 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-H6Y77UT-C EAR99 8473.30.5100 1
AT49F002A-55VI Microchip Technology АТ49Ф002А-55ВИ -
запросить цену
 ECAD 8486 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) AT49F002 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ВСОП скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 208 Энергонезависимый 2Мбит 55 нс ВСПЫШКА 256К х 8 Параллельно 50 мкс
IS43R86400F-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43Р86400Ф-5ТЛ-ТР 3,2532
запросить цену
 ECAD 7255 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 66-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-ИС43Р86400Ф-5ТЛ-ТР 1500 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 64М х 8 SSTL_2 15 нс
DS1216H Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1216H -
запросить цену
 ECAD 4640 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С Сквозное отверстие Розетка 32-DIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) DS1216 4,5 В ~ 5,5 В 32-DIP-розетка скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1 Умные часы ОЗУ
AT29C010A-20PC Microchip Technology AT29C010A-20PC -
запросить цену
 ECAD 5228 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Сквозное отверстие 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) AT29C010 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПДИП - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается AT29C010A20PC EAR99 8542.32.0071 12 Энергонезависимый 1Мбит 200 нс ВСПЫШКА 128 КБ х 8 Параллельно 10 мс Не проверено
7132SA55PDG Renesas Electronics America Inc 7132SA55PDG -
запросить цену
 ECAD 1415 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Масса Устаревший - 800-7132СА55ПДГ УСТАРЕВШИЙ 1
AS4C32M16SM-7TCN Alliance Memory, Inc. АС4К32М16СМ-7ТЦН -
запросить цену
 ECAD 4251 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Поднос Снято с производства в НИЦ 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS4C2M32 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 108 133 МГц Неустойчивый 512 Мбит 5,4 нс ДРАМ 32М х 16 Параллельно 15 нс
93C86AT-I/OT Microchip Technology 93C86AT-И/ОТ 0,5400
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж СОТ-23-6 93C86 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В СОТ-23-6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 3 МГц Энергонезависимый 16Кбит ЭСППЗУ 2К х 8 Микропровод 2 мс
IS43DR16640C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ДР16640С-25ДБЛИ-ТР 5.0239
запросить цену
 ECAD 9280 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 84-ТФБГА ИС43ДР16640 SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 84-TWBGA (8х12,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 2500 400 МГц Неустойчивый 1Гбит 400 пс ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15 нс
S26HS01GTFPBHM020 Infineon Technologies S26HS01GTFPBHM020 27.2300
запросить цену
 ECAD 1288 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-ФБГА (8х8) скачать 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 260 166 МГц Энергонезависимый 1Гбит 5,45 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Гипербус 1,7 мс
MT62F3G32D8DV-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 ИТ:Б ТР 74.6400
запросить цену
 ECAD 2363 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 95°С - - SDRAM — мобильный LPDDR5 - - - 557-МТ62Ф3Г32Д8ДВ-023ИТ:БТР 2000 г. 4266 ГГц Неустойчивый 96Гбит ДРАМ 3G х 32 Параллельно -
IS61WV25616BLS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ВВ25616БЛС-25ТЛИ 4.4433
запросить цену
 ECAD 3313 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС61ВВ25616 SRAM — асинхронный 2,4 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 135 Неустойчивый 4 Мбит 25 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 25нс
CY7C1041G30-10BAJXE Infineon Technologies CY7C1041G30-10BAJXE 11.7400
запросить цену
 ECAD 480 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY7C1041 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 480 Неустойчивый 4 Мбит 10 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 10 нс
AT25SF041-SHD-T Adesto Technologies AT25SF041-ШД-Т -
запросить цену
 ECAD 1774 г. 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) АТ25SF041 ВСПЫШКА – НО 2,5 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. 104 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 2,5 мс
IS41LV16100C-50TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС41ЛВ16100С-50ТИ -
запросить цену
 ECAD 6908 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 50-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм), 44 результата ИС41ЛВ16100 ДРАМ - ЭДО 2,97 В ~ 3,63 В 50-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 117 Неустойчивый 16Мбит 25 нс ДРАМ 1М х 16 Параллельно 85нс
S29WS128N0LBFW012 Infineon Technologies S29WS128N0LBFW012 -
запросить цену
 ECAD 6656 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Устаревший скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1
BR93G56FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor БР93Г56ФВЖ-3ГТЭ2 -
запросить цену
 ECAD 2157 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) БР93Г56 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ТССОП-БЖ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 3 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8, 128 х 16 Микропровод 5 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.