Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Программируемый тип | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S26HS01GTFPBHM020 | 27.2300 | ![]() | 1288 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Семпер™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 2 В | 24-ФБГА (8х8) | скачать | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 260 | 166 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 5,45 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Гипербус | 1,7 мс | |||||||
![]() | MT62F3G32D8DV-023 ИТ:Б ТР | 74.6400 | ![]() | 2363 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 95°С | - | - | SDRAM — мобильный LPDDR5 | - | - | - | 557-МТ62Ф3Г32Д8ДВ-023ИТ:БТР | 2000 г. | 4266 ГГц | Неустойчивый | 96Гбит | ДРАМ | 3G х 32 | Параллельно | - | ||||||||||
| ИС61ВВ25616БЛС-25ТЛИ | 4.4433 | ![]() | 3313 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС61ВВ25616 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 25 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 25нс | ||||||
![]() | CY7C1041G30-10BAJXE | 11.7400 | ![]() | 480 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY7C1041 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | |||||
![]() | AT25SF041-ШД-Т | - | ![]() | 1774 г. | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | АТ25SF041 | ВСПЫШКА – НО | 2,5 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 2,5 мс | |||||
![]() | ИС41ЛВ16100С-50ТИ | - | ![]() | 6908 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм), 44 результата | ИС41ЛВ16100 | ДРАМ - ЭДО | 2,97 В ~ 3,63 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Неустойчивый | 16Мбит | 25 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 85нс | |||||
![]() | S29WS128N0LBFW012 | - | ![]() | 6656 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | БР93Г56ФВЖ-3ГТЭ2 | - | ![]() | 2157 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | БР93Г56 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ТССОП-БЖ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 3 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8, 128 х 16 | Микропровод | 5 мс | |||||
![]() | ИС42С32800Г-6БЛ-ТР | 6.7200 | ![]() | 1482 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | ||||
![]() | NLQ83PFS-6NAT | 21.6750 | ![]() | 6939 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ФБГА (10х14,5) | - | 1982-NLQ83PFS-6NAT | 2000 г. | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 256М х 32 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||||||
![]() | 4Х70М09262-С | 166.2500 | ![]() | 9489 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-4Х70М09262-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
| CAT25020VI-GT3JN | - | ![]() | 4042 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ25020 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | СПИ | 5 мс | |||||||
![]() | 25АА256-Э/СН | 1,8300 | ![]() | 5615 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 25АА256 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ЭСППЗУ | 32К х 8 | СПИ | 5 мс | |||||
![]() | 4ZC7A08744-С | 745.0000 | ![]() | 3247 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-4ZC7A08744-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | U62256AS2K07LLG1TR | - | ![]() | 2909 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,330 дюйма, 8,38 мм) | U62256 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 70 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 70нс | |||||
![]() | GS816036DGT-250I | 22.0481 | ![]() | 7287 | 0,00000000 | Компания GSI Technology Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 100°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | GS816036 | SRAM — синхронный, стандартный | 2,3 В ~ 2,7 В, 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (20х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2364-GS816036ДГТ-250И | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||||
![]() | CY7C1021BNL-15ZSXAT | - | ![]() | 4046 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1021 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 15 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 15 нс | |||||
![]() | RM25C32DS-LSNI-B | - | ![]() | 8772 | 0,00000000 | Адесто Технологии | Маврик™ | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | RM25C32 | КБРАМ | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0051 | 98 | 20 МГц | Энергонезависимый | 32Кбит | CBRAM® | Размер страницы 32 байта | СПИ | 100 мкс, 2,5 мс | |||||
![]() | IS62WV102416ALL-35TLI | 21.9142 | ![]() | 4482 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | IS62WV102416 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | Неустойчивый | 16Мбит | 35 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 35 нс | |||||
| МТ41К256М16TW-093 ИТ:П | - | ![]() | 6635 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К256М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1368 | 1066 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | - | |||||
![]() | ССТ26ВФ064Б-104И/ВФ70С | - | ![]() | 6517 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SST26 SQI® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Править | SST26VF064 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | вафля | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 5000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | ||||||
![]() | CY62127DV30LL-55ZI | 1,9000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62127 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 55 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 55нс | |||||
![]() | AT24C08BN-SH-B | - | ![]() | 4785 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | AT24C08 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 1К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | 70В05Л12ПФИ8 | - | ![]() | 5216 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Последняя покупка | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 64-ТКФП (14х14) | - | 800-70В05Л12ПФИ8ТР | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 12 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 12нс | ||||||||||
| XC1701LPCG20C | - | ![]() | 1126 | 0,00000000 | АМД | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С | Поверхностный монтаж | 20-LCC (J-вывод) | ХС1701Л | Не проверено | 3 В ~ 3,6 В | 20-ПЛСС (9х9) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0061 | 46 | ОТП | 1Мб | ||||||||||||
![]() | X28HC256FI-90 | 123.3100 | ![]() | 419 | 0,00000000 | Интерсил | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-CF в плоской упаковке | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CFFПЛОСКАЯ ПАКЕТ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Энергонезависимый | 256Кбит | 90 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | 5 мс | ||||||
![]() | С-160Д3СЛ/16ГКИТ | 48.7500 | ![]() | 5210 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-C-160D3SL/16GKIT | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | FT24C512A-EDR | - | ![]() | 3606 | 0,00000000 | Фремонт Микро Девайс Лтд. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | FT24C512 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | W25X40ВСНИГ | - | ![]() | 8049 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | W25X40 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | СПИ | 3 мс | |||||
![]() | ИС46ТР16128Д-125КБЛА2 | 6.0382 | ![]() | 5186 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ТБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС46ТР16128Д-125КБЛА2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)