SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
IS25LP128F-RMLA3-TY Johanson Dielectrics Inc. IS25LP128F-RMLA3-TY 2,8022
запросить цену
ECAD 1179 0,00000000 Йохансон Диэлектрикс Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА – НО 2,3 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС25ЛП128Ф-РМЛА3-ТИ 176 166 МГц Энергонезависимый 128Мбит 6,5 нс ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
AT27C256R-70TU Microchip Technology АТ27К256Р-70ТУ -
запросить цену
ECAD 3080 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) AT27C256 СППЗУ-ОТП 4,5 В ~ 5,5 В 28-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0061 234 Энергонезависимый 256Кбит 70 нс СППЗУ 32К х 8 Параллельно -
AT34C02-10TI-2.7 Atmel AT34C02-10TI-2.7 0,4900
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Атмел - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) АТ34С02 ЭСППЗУ 2,7 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать не соответствует RoHS EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 10 мс
CY7C1512AV18-250BZXI Infineon Technologies CY7C1512AV18-250BZXI -
запросить цену
ECAD 2744 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1512 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 4М х 18 Параллельно -
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B -
запросить цену
ECAD 5927 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 152-ТБГА MT29F512G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В 152-ТБГА (14х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1 166 МГц Энергонезависимый 512Гбит ВСПЫШКА 64Г х 8 Параллельно -
MX25V80066ZNI02 Macronix MX25V80066ZNI02 0,3805
запросить цену
ECAD 8839 0,00000000 Макроникс MXSMIO™ Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (6х5) - 3 (168 часов) 1092-MX25V80066ZNI02 570 80 МГц Энергонезависимый 8 Мбит 8 нс ВСПЫШКА 4М х 2, 8М х 1 СПИ 200 мкс, 5 мс
R1WV3216RBG-7SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1WV3216RBG-7SI#S0 -
запросить цену
ECAD 4274 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА R1WV3216 СРАМ 2,7 В ~ 3,6 В 48-ТФБГА (7,5х8,5) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 32 Мбит 70 нс СРАМ 2М х 16 Параллельно 70нс
S25FL128SAGBAEA03 Infineon Technologies S25FL128SAGBAEA03 56,2856
запросить цену
ECAD 4738 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-С Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (8х6) - не соответствует RoHS REACH не касается 2500 133 МГц Энергонезависимый 128Мбит 6,5 нс ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 750 мкс
24LCS21A-I/SN Microchip Technology 24LCS21A-I/СН 0,5400
запросить цену
ECAD 7233 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 24LCS21A ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 1Кбит 900 нс ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 10 мс
W631GG6MB12I TR Winbond Electronics W631GG6MB12I ТР -
запросить цену
ECAD 8294 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ВФБГА W631GG6 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-ВФБГА (7,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 3000 800 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно -
7130SA55PFI8 Renesas Electronics America Inc 7130SA55PFI8 -
запросить цену
ECAD 2108 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP 7130SA SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 64-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0041 500 Неустойчивый 8Кбит 55 нс СРАМ 1К х 8 Параллельно 55нс
70V06L55J Renesas Electronics America Inc 70В06Л55Ж -
запросить цену
ECAD 6533 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 70В06Л SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 18 Неустойчивый 128Кбит 55 нс СРАМ 16К х 8 Параллельно 55нс
DS1270W-150 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1270W-150 -
запросить цену
ECAD 5425 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие Модуль 36-ДИП (0,610 дюймов, 15,49 мм) DS1270W NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 3 В ~ 3,6 В 36-ЭДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 9 Энергонезависимый 16Мбит 150 нс НВСРАМ 2М х 8 Параллельно 150 нс
AT27C2048-90JU-T Microchip Technology АТ27К2048-90Ю-Т 6.3450
запросить цену
ECAD 7247 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 44-LCC (J-вывод) AT27C2048 СППЗУ-ОТП 4,5 В ~ 5,5 В 44-ПЛСС (16,6х16,6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0061 500 Энергонезависимый 2Мбит 90 нс СППЗУ 128 КБ х 16 Параллельно -
IS42SM32200K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42СМ32200К-75БЛИ-ТР -
запросить цену
ECAD 5920 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42СМ32200 SDRAM – мобильная версия 2,7 В ~ 3,6 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 2500 133 МГц Неустойчивый 64 Мбит 6 нс ДРАМ 2М х 32 Параллельно -
S25FL256LAGBHI030 Infineon Technologies S25FL256LAGBHI030 6.1200
запросить цену
ECAD 184 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-Л Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL256 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 676 133 МГц Энергонезависимый 256Мбит ВСПЫШКА 32М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
MT40A2G8AG-062E AAT:F Micron Technology Inc. МТ40А2Г8АГ-062Е ААТ:Ф 19.8600
запросить цену
ECAD 6063 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Коробка Активный -40°C ~ 105°C (TC) - - SDRAM-DDR4 1,14 В ~ 1,26 В - - 557-MT40A2G8AG-062EAAT:F 1 1,6 ГГц Неустойчивый 16Гбит 19 нс ДРАМ 2G х 8 Параллельно 15 нс
MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D -
запросить цену
ECAD 2281 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) - - МТ53Д2048 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В - - 1 (без блокировки) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1360 2133 ГГц Неустойчивый 64Гбит ДРАМ 2Г х 32 - -
CY62157DV30L-55ZSXE Infineon Technologies CY62157DV30L-55ZSXE -
запросить цену
ECAD 5547 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Трубка Устаревший -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62157 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 135 Неустойчивый 8 Мбит 55 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 55нс
AS7C256A-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12JCN 2,7300
запросить цену
ECAD 150 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Трубка Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) AS7C256 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 25 Неустойчивый 256Кбит 12 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 12нс
MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR -
запросить цену
ECAD 8471 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 168-ВФБГА МТ42Л128М32 SDRAM — мобильный LPDDR2 1,14 В ~ 1,3 В 168-ФБГА (12х12) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 400 МГц Неустойчивый 4Гбит ДРАМ 128М х 32 Параллельно -
IS49NLC93200-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС49НЛК93200-25БЛ -
запросить цену
ECAD 7720 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 144-ТФБГА IS49NLC93200 РЛДРАМ 2 1,7 В ~ 1,9 В 144-FCBGA (11х18,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 104 400 МГц Неустойчивый 288 Мбит 20 нс ДРАМ 32М х 9 Параллельно -
SST39VF800A-90-4I-B3KE-T Microchip Technology ССТ39ВФ800А-90-4И-Б3КЕ-Т -
запросить цену
ECAD 6720 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА ССТ39ВФ800 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 48-ТФБГА скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2500 Энергонезависимый 8 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 512К х 16 Параллельно 20 мкс
IDT71V3556S100PFI Renesas Electronics America Inc ИДТ71В3556С100ПФИ -
запросить цену
ECAD 1607 г. 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71В3556 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В3556С100ПФИ 3A991B2A 8542.32.0041 72 100 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 5 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
S29GL512N11TFVR20 Infineon Technologies S29GL512N11TFVR20 17.9900
запросить цену
ECAD 2850 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-Н Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) S29GL512 ВСПЫШКА – НО 3 В ~ 3,6 В 56-ЦОП - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 512 Мбит 110 нс ВСПЫШКА 64М х 8, 32М х 16 Параллельно 110 нс
MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Technology Inc. МТ41К256М16ТВ-107 ИТ:П 5,8903
запросить цену
ECAD 9348 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА МТ41К256М16 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (8х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0036 1224 933 МГц Неустойчивый 4Гбит 20 нс ДРАМ 256М х 16 Параллельно -
7005S25J8 Renesas Electronics America Inc 7005S25J8 -
запросить цену
ECAD 1604 г. 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 7005С25 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 250 Неустойчивый 64Кбит 25 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 25нс
CY7C1367C-166AXCT Infineon Technologies CY7C1367C-166AXCT 13.2650
запросить цену
ECAD 7743 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1367 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 166 МГц Неустойчивый 9 Мбит 3,5 нс СРАМ 512К х 18 Параллельно -
S29GL128S11TFV010 Infineon Technologies S29GL128S11TFV010 -
запросить цену
ECAD 5756 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-S Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) S29GL128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 56-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 91 Энергонезависимый 128Мбит 110 нс ВСПЫШКА 8М х 16 Параллельно 60нс
MX25V16066M2J02 Macronix MX25V16066M2J02 0,4416
запросить цену
ECAD 4369 0,00000000 Макроникс - Трубка Активный - 3 (168 часов) 1092-MX25V16066M2J02 92
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе