Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP128F-RMLA3-TY | 2,8022 | ![]() | 1179 | 0,00000000 | Йохансон Диэлектрикс Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС25ЛП128Ф-РМЛА3-ТИ | 176 | 166 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 6,5 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 40 мкс, 800 мкс | ||||
![]() | АТ27К256Р-70ТУ | - | ![]() | 3080 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | AT27C256 | СППЗУ-ОТП | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0061 | 234 | Энергонезависимый | 256Кбит | 70 нс | СППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | - | |||
| AT34C02-10TI-2.7 | 0,4900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Атмел | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | АТ34С02 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | не соответствует RoHS | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 10 мс | |||||
![]() | CY7C1512AV18-250BZXI | - | ![]() | 2744 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1512 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B | - | ![]() | 5927 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 152-ТБГА | MT29F512G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 152-ТБГА (14х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | 166 МГц | Энергонезависимый | 512Гбит | ВСПЫШКА | 64Г х 8 | Параллельно | - | ||||
| MX25V80066ZNI02 | 0,3805 | ![]() | 8839 | 0,00000000 | Макроникс | MXSMIO™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | - | 3 (168 часов) | 1092-MX25V80066ZNI02 | 570 | 80 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 4М х 2, 8М х 1 | СПИ | 200 мкс, 5 мс | |||||||
| R1WV3216RBG-7SI#S0 | - | ![]() | 4274 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | R1WV3216 | СРАМ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (7,5х8,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | СРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | S25FL128SAGBAEA03 | 56,2856 | ![]() | 4738 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | 2500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 6,5 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 750 мкс | ||||||
![]() | 24LCS21A-I/СН | 0,5400 | ![]() | 7233 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 24LCS21A | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 10 мс | ||
| W631GG6MB12I ТР | - | ![]() | 8294 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W631GG6 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 3000 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | 7130SA55PFI8 | - | ![]() | 2108 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 7130SA | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 8Кбит | 55 нс | СРАМ | 1К х 8 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | 70В06Л55Ж | - | ![]() | 6533 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 70В06Л | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Неустойчивый | 128Кбит | 55 нс | СРАМ | 16К х 8 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | DS1270W-150 | - | ![]() | 5425 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Модуль 36-ДИП (0,610 дюймов, 15,49 мм) | DS1270W | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 3 В ~ 3,6 В | 36-ЭДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | Энергонезависимый | 16Мбит | 150 нс | НВСРАМ | 2М х 8 | Параллельно | 150 нс | |||
![]() | АТ27К2048-90Ю-Т | 6.3450 | ![]() | 7247 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 44-LCC (J-вывод) | AT27C2048 | СППЗУ-ОТП | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ПЛСС (16,6х16,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0061 | 500 | Энергонезависимый | 2Мбит | 90 нс | СППЗУ | 128 КБ х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | ИС42СМ32200К-75БЛИ-ТР | - | ![]() | 5920 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42СМ32200 | SDRAM – мобильная версия | 2,7 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 133 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 6 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
![]() | S25FL256LAGBHI030 | 6.1200 | ![]() | 184 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-Л | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 676 | 133 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||
![]() | МТ40А2Г8АГ-062Е ААТ:Ф | 19.8600 | ![]() | 6063 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Коробка | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | - | - | 557-MT40A2G8AG-062EAAT:F | 1 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 16Гбит | 19 нс | ДРАМ | 2G х 8 | Параллельно | 15 нс | |||||||
![]() | MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D | - | ![]() | 2281 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | МТ53Д2048 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | - | 1 (без блокировки) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1360 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 64Гбит | ДРАМ | 2Г х 32 | - | - | |||||
![]() | CY62157DV30L-55ZSXE | - | ![]() | 5547 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62157 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 8 Мбит | 55 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | AS7C256A-12JCN | 2,7300 | ![]() | 150 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | AS7C256 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Неустойчивый | 256Кбит | 12 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 12нс | |||
![]() | MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR | - | ![]() | 8471 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ВФБГА | МТ42Л128М32 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,3 В | 168-ФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | ДРАМ | 128М х 32 | Параллельно | - | |||
![]() | ИС49НЛК93200-25БЛ | - | ![]() | 7720 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | IS49NLC93200 | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-FCBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 32М х 9 | Параллельно | - | ||
![]() | ССТ39ВФ800А-90-4И-Б3КЕ-Т | - | ![]() | 6720 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ССТ39ВФ800 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2500 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 16 | Параллельно | 20 мкс | |||
![]() | ИДТ71В3556С100ПФИ | - | ![]() | 1607 г. | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В3556 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3556С100ПФИ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |
![]() | S29GL512N11TFVR20 | 17.9900 | ![]() | 2850 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-Н | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL512 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 512 Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8, 32М х 16 | Параллельно | 110 нс | |||
| МТ41К256М16ТВ-107 ИТ:П | 5,8903 | ![]() | 9348 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К256М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0036 | 1224 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | 7005S25J8 | - | ![]() | 1604 г. | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7005С25 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 64Кбит | 25 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 25нс | |||
![]() | CY7C1367C-166AXCT | 13.2650 | ![]() | 7743 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1367 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 166 МГц | Неустойчивый | 9 Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 512К х 18 | Параллельно | - | ||
![]() | S29GL128S11TFV010 | - | ![]() | 5756 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-S | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 91 | Энергонезависимый | 128Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 8М х 16 | Параллельно | 60нс | |||
![]() | MX25V16066M2J02 | 0,4416 | ![]() | 4369 | 0,00000000 | Макроникс | - | Трубка | Активный | - | 3 (168 часов) | 1092-MX25V16066M2J02 | 92 |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)