Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71В256СА12ЙИ | - | ![]() | 7530 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71В256 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 12 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 12нс | ||||
![]() | 70В05Л20ПФГ8 | - | ![]() | 3541 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 70В05Л | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 64-ТКФП (14х14) | - | 800-70В05Л20ПФГ8ТР | УСТАРЕВШИЙ | 750 | Неустойчивый | 64Кбит | 20 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 20нс | |||||||
![]() | А9845650-С | 29.5000 | ![]() | 1225 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А9845650-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FM27C512Q120 | - | ![]() | 7758 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Окно 28-CDIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) | FM27C512 | СППЗУ - УФ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | не соответствует RoHS | EAR99 | 8542.32.0061 | 12 | Энергонезависимый | 512Кбит | 120 нс | СППЗУ | 64К х 8 | Параллельно | - | ||||||
![]() | MT29F4T08GMLBEJ4:B ТР | - | ![]() | 9942 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 132-ВБГА | MT29F4T08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,5 В ~ 3,6 В | 132-ВБГА (12х18) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 557-MT29F4T08GMLBEJ4:БТР | УСТАРЕВШИЙ | 2000 г. | Энергонезависимый | 4 Тбит | ВСПЫШКА | 512Г х 8 | Параллельно | - | ||||||
![]() | S29AS008J70BFI030 | 1,5800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | АС-J | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | С29АС008 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 48-ФБГА (8,15х6,15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 338 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 1М х 8, 512К х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | S34ML04G100BHI000 | - | ![]() | 8882 | 0,00000000 | Расширение | МЛ-1 | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | S34ML04 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-БГА (11х9) | скачать | 0000.00.0000 | 1 | Энергонезависимый | 4Гбит | ВСПЫШКА | 512М х 8 | Параллельно | 25нс | |||||||||
![]() | FM25L04B-ДГ | - | ![]() | 8658 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | F-RAM™ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | FM25L04 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (4х4,5) | скачать | 1 | 20 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ФРАМ | 512 х 8 | СПИ | - | Не проверено | ||||||||
![]() | 7006S20PFG | - | ![]() | 8239 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 7006S20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | - | 800-7006С20ПФГ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | Неустойчивый | 128Кбит | 20 нс | СРАМ | 16К х 8 | Параллельно | 20нс | |||||||
![]() | S29GL256N90TFIR10 | - | ![]() | 7468 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-Н | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 256Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8, 16М х 16 | Параллельно | 90 нс | ||||
![]() | FM25V02-PG | 13.8600 | ![]() | 962 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| CAT24C128WI-G | 0,4000 | ![]() | 9815 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ24C128 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 400 нс | ЭСППЗУ | 16К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | МТ41К512М16ТНА-125 ИТ:Э | - | ![]() | 3011 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К512М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (10х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 МГц | Неустойчивый | 8Гбит | 13,5 нс | ДРАМ | 512М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | S34ML04G100TFV000 | 4.3400 | ![]() | 891 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МЛ-1 | Масса | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S34ML04 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 4Гбит | ВСПЫШКА | 512М х 8 | Параллельно | 25нс | |||||||
![]() | CY7C1414KV18-250BZXI | - | ![]() | 9940 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1414 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | Непригодный | Поставщик не определен | 3А991 | 8542.32.0040 | 5 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 1М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | |||
![]() | EDFP112A3PB-JD-FD | - | ![]() | 1479 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°С ~ 85°С (ТА) | - | - | EDFP112 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | 933 МГц | Неустойчивый | 24Гбит | ДРАМ | 192М х 128 | Параллельно | - | |||||
![]() | БР25Х320Ф-5АСЕ2 | 0,6000 | ![]() | 9211 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | 3 (168 часов) | 2500 | 20 МГц | Энергонезависимый | 32Кбит | ЭСППЗУ | 4К х 8 | СПИ | 3,5 мс | |||||||||
![]() | 71016S20PHG | - | ![]() | 4405 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 71016С | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1Мбит | 20 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 20нс | |||||||
![]() | CY7C1521KV18-250BZXC | 129,5200 | ![]() | 113 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1521 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | 1 | 250 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||
![]() | CY62127DV30LL-70BVXI | 0,8700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62127 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1Мбит | 70 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | CG5636ATT | - | ![]() | 6742 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 1000 | ||||||||||||||||||||
![]() | W25Q01JVTBIQ | 11.7800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q01JVTBIQ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 480 | 133 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 7,5 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3,5 мс | ||
![]() | АТ25ПЭ80-МХН-Т | 1,9700 | ![]() | 8601 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УДФН Открытая площадка | АТ25ПЭ80 | ВСПЫШКА | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-УДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 6000 | 85 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 256 байт х 4096 страниц | СПИ | 8 мкс, 4 мс | ||||
![]() | АС4К32М32МД1-5БИНТР | - | ![]() | 2565 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 90-ВФБГА | AS4C2M32 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,9 В | 90-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 5 нс | ДРАМ | 32М х 32 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | CAT24C08ZGI-T3 | 0,1500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | КАТ24C08 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | - | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-CAT24C08ZGI-T3-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 400 кГц | Энергонезависимый | 8Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 1К х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | DS28CN01U-W0E+1T | - | ![]() | 9687 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | DS28C | ЭСППЗУ | 1,62 В ~ 5,5 В | 8-uMAX/uSOP | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 10 мс | ||||
| CAT24C05VP2I-GT3 | - | ![]() | 7869 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | КАТ24C05 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 512 х 8 | I²C | 5 мс | |||||
![]() | CY7C1328A-133AI | 3,9100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1328 | SRAM – синхронный, SDR | 3,15 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | MT41K1G8THE-15E:D | - | ![]() | 4182 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ41К1Г8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (10,5х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 667 МГц | Неустойчивый | 8Гбит | 13,5 нс | ДРАМ | 1Г х 8 | Параллельно | - | ||||
![]() | 70В24Л25ПФГ | - | ![]() | 4459 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Масса | Устаревший | - | REACH не касается | 800-70В24Л25ПФГ | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)