SIC
close

Память(70500)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Программируемый НИЦ Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Программируемый тип Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
70V659S10BCG Renesas Electronics America Inc 70В659С10БЦГ 244,5046
запросить цену
 ECAD 3371 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 256-ЛБГА 70В659 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3,15 В ~ 3,45 В 256-КАБГА (17х17) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 6 Неустойчивый 4,5 Мбит 10 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно 10 нс
S29GL01GT12DHN020 Infineon Technologies S29GL01GT12DHN020 16,8525
запросить цену
 ECAD 6780 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-Т Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL01 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1300 Энергонезависимый 1Гбит 120 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно 60нс
S29GL512S12DHIV10 Infineon Technologies S29GL512S12DHIV10 9.7100
запросить цену
 ECAD 520 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL512 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 260 Энергонезависимый 512 Мбит 120 нс ВСПЫШКА 32М х 16 Параллельно 60нс
CY7C1472BV25-250BZC Infineon Technologies CY7C1472BV25-250BZC -
запросить цену
 ECAD 8331 0,00000000 Инфинеон Технологии НоБЛ™ Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1472 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 МГц Неустойчивый 72 Мбит 3 нс СРАМ 4М х 18 Параллельно -
BR93G56-3A Rohm Semiconductor БР93Г56-3А -
запросить цену
 ECAD 6970 0,00000000 Ром Полупроводник - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) БР93Г56 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2000 г. 3 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 128 х 16 Микропровод 5 мс
CAT93C66LI Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C66LI 0,2200
запросить цену
 ECAD 3085 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) КАТ93C66 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 1 2 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8, 256 х 16 Микропровод -
25AA512-I/W16K Microchip Technology 25АА512-И/В16К -
запросить цену
 ECAD 3255 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж Править 25АА512 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 20 МГц Энергонезависимый 512Кбит ЭСППЗУ 64К х 8 СПИ 5 мс
70V657S15BF Renesas Electronics America Inc 70В657С15БФ 131,2286
запросить цену
 ECAD 3104 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 208-ЛФБГА 70В657 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3,15 В ~ 3,45 В 208-КАБГА (15х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 7 Неустойчивый 1,125 Мбит 15 нс СРАМ 32К х 36 Параллельно 15 нс
MT46H16M32LFCM-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-5 ИТ:Б -
запросить цену
 ECAD 5861 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ВФБГА МТ46Х16М32 SDRAM — мобильный LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В 90-ВФБГА (10х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1000 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 5 нс ДРАМ 16М х 32 Параллельно 15 нс
IS42S16800D-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16800Д-7Т-ТР -
запросить цену
 ECAD 9292 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 1500 143 МГц Неустойчивый 128Мбит 5,4 нс ДРАМ 8М х 16 Параллельно -
W632GG6NB09J Winbond Electronics W632GG6NB09J -
запросить цену
 ECAD 9951 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ВФБГА W632GG6 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-ВФБГА (7,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 198 1067 ГГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15 нс
AT17LV020-10JI Microchip Technology AT17LV020-10JI -
запросить цену
 ECAD 6900 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 20-LCC (J-вывод) АТ17LV020 Не проверено 3 В ~ 3,6 В 20-ПЛСС (9х9) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается AT17LV02010JI 3A991B1B1 8542.32.0051 50 Серийный EEPROM 2Мб
AT49F040A-70JU Microchip Technology АТ49Ф040А-70Ю -
запросить цену
 ECAD 8352 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) AT49F040 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (13,97х11,43) скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 32 Энергонезависимый 4 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 512К х 8 Параллельно 40 мкс
IS61NLP25636A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61НЛП25636А-200Б3ЛИ 15,5879
запросить цену
 ECAD 9730 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА ИС61НЛП25636 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 МГц Неустойчивый 9 Мбит 3,1 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
71V416S15YG Renesas Electronics America Inc 71В416С15ИГ -
запросить цену
 ECAD 8666 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) 71В416С SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 16 Неустойчивый 4 Мбит 15 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 15 нс
AS6C1008-55STINL Alliance Memory, Inc. АС6К1008-55СТИНЛ 3.2512
запросить цену
 ECAD 5691 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LFSOP (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) AS6C1008 SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 5,5 В 32-сТСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 234 Неустойчивый 1Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 55нс
AT29C257-90JC-T Microchip Technology AT29C257-90JC-T -
запросить цену
 ECAD 5190 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) АТ29С257 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (13,97х11,43) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 750 Энергонезависимый 256Кбит 90 нс ВСПЫШКА 32К х 8 Параллельно 10 мс
AT45DQ161-SHF2B-T Adesto Technologies AT45DQ161-SHF2B-T 2.8500
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT45DQ161 ВСПЫШКА 2,3 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. 85 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 528 байт х 4096 страниц SPI — четырехканальный ввод-вывод 8 мкс, 6 мс
IS29GL512S-11DHV020 Infineon Technologies ИС29ГЛ512С-11ДХВ020 -
запросить цену
 ECAD 3657 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА ИС29ГЛ512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1 Энергонезависимый 512 Мбит 110 нс ВСПЫШКА 64М х 8 Параллельно 60нс
SST39LF040-45-4C-WHE-T Microchip Technology SST39LF040-45-4C-WHE-T -
запросить цену
 ECAD 6212 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) SST39LF040 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 32-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 4 Мбит 45 нс ВСПЫШКА 512К х 8 Параллельно 20 мкс
S99GL064N0130 Infineon Technologies S99GL064N0130 -
запросить цену
 ECAD 9411 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1
M29W010B70N6F TR Micron Technology Inc. M29W010B70N6F ТР -
запросить цену
 ECAD 5277 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) M29W010 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 32-ЦОП - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 1Мбит 70 нс ВСПЫШКА 128 КБ х 8 Параллельно 70нс
AT24C08C-MAHM-E Microchip Technology AT24C08C-MAHM-E 0,3400
запросить цену
 ECAD 5692 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка AT24C08 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-УДФН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 15 000 1 МГц Энергонезависимый 8Кбит 550 нс ЭСППЗУ 1К х 8 I²C 5 мс
25AA640-I/SN Microchip Technology 25АА640-И/СН 0,9000
запросить цену
 ECAD 173 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 25АА640 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 1 МГц Энергонезависимый 64Кбит ЭСППЗУ 8К х 8 СПИ 5 мс
CY7C199CN-15VXC Cypress Semiconductor Corp CY7C199CN-15VXC -
запросить цену
 ECAD 9040 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C199 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0041 1350 Неустойчивый 256Кбит 15 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 15 нс Не проверено
24LC08B/SN Microchip Technology 24LC08B/СН 0,3800
запросить цену
 ECAD 8208 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 24LC08 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 8Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 х 4 I²C 5 мс
W632GG6MB-12 TR Winbond Electronics W632GG6MB-12 ТР -
запросить цену
 ECAD 3906 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ВФБГА W632GG6 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-ВФБГА (7,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 3000 800 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно -
24AA16T-E/MNY Microchip Technology 24AA16T-E/MNY 0,5400
запросить цену
 ECAD 5736 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WFDFN Открытая площадка 24АА16 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ТДФН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3300 400 кГц Энергонезависимый 16Кбит 900 нс ЭСППЗУ 2К х 8 I²C 5 мс
IDT71V65803S100PFI Renesas Electronics America Inc ИДТ71В65803С100ПФИ -
запросить цену
 ECAD 4285 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71В65803 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В65803С100ПФИ 3A991B2A 8542.32.0041 72 100 МГц Неустойчивый 9 Мбит 5 нс СРАМ 512К х 18 Параллельно -
70V9079L12PF Renesas Electronics America Inc 70В9079Л12ПФ -
запросить цену
 ECAD 4188 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 70В9079 SRAM — двухпортовый, синхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 6 Неустойчивый 256Кбит 12 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.