SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
89Y9224-C ProLabs 89Y9224-С 30.0000
запросить цену
ECAD 1472 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-89Y9224-С EAR99 8473.30.5100 1
CY7C1380BV25-200AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1380BV25-200AC 15,9700
запросить цену
ECAD 1840 г. 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1380 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
CPA-Y8R2G-C ProLabs CPA-Y8R2G-C 102,5000
запросить цену
ECAD 6613 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-CPA-Y8R2G-C EAR99 8473.30.5100 1
CY7C199-25VIT Cypress Semiconductor Corp CY7C199-25ВИТ 0,6700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C199 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 256Кбит 25 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
CY7C1360B-200AJC Cypress Semiconductor Corp CY7C1360B-200AJC 6.3800
запросить цену
ECAD 1651 г. 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1360 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 МГц Неустойчивый 9 Мбит 3 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
R1QBA7218RBG-22RB0 Renesas Electronics America Inc R1QBA7218RBG-22RB0 23.4300
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1
8403613LA Renesas Electronics America Inc 8403613ЛА -
запросить цену
ECAD 7418 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие 24-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) 840361 SRAM – синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 24-CDIP скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 800-8403613ЛА УСТАРЕВШИЙ 15 Неустойчивый 16Кбит 70 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 70нс
CY62157G18-55BVXIT Infineon Technologies CY62157G18-55BVXIT 13.1075
запросить цену
ECAD 9207 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА SRAM — асинхронный 1,65 В ~ 2,2 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3A991B1B2 8542.32.0071 2000 г. Неустойчивый 8Мбит 55 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 55нс
7006L20PFG8 Renesas Electronics America Inc 7006Л20ПФГ8 -
запросить цену
ECAD 5210 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP 7006L20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 64-ТКФП (14х14) - 800-7006Л20ПФГ8ТР УСТАРЕВШИЙ 250 Неустойчивый 128Кбит 20 нс СРАМ 16К х 8 Параллельно 20нс
S25FS512SFABHV213 Infineon Technologies S25FS512SFABHV213 10,5875
запросить цену
ECAD 7895 0,00000000 Инфинеон Технологии ФС-С Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-БГА (8х6) скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 102 МГц Энергонезависимый 512 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 2 мс
CY7C1514V18-250BZC Infineon Technologies CY7C1514V18-250BZC -
запросить цену
ECAD 9889 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1514 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно -
S99FL064LABMFI010 Infineon Technologies S99FL064LABMFI010 -
запросить цену
ECAD 8449 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Последняя покупка - 1
CY7C1399BL-15VXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1399BL-15VXC 0,6700
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C1399 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 28-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 256Кбит 15 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 15 нс
CAT24C128YI-G Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C128YI-G -
запросить цену
ECAD 4202 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) КАТ24C128 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 1 МГц Энергонезависимый 128Кбит 400 нс ЭСППЗУ 16К х 8 I²C 5 мс
CY7C1481BV33-133AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1481BV33-133AXI 182,5100
запросить цену
ECAD 52 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1481 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-CY7C1481BV33-133АСИ 2 133 МГц Неустойчивый 72 Мбит 6,5 нс СРАМ 2М х 36 Параллельно - Не проверено
CAT25C128X Catalyst Semiconductor Inc. КАТ25C128X -
запросить цену
ECAD 3139 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) КАТ25C128 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 5 МГц Энергонезависимый 128Кбит ЭСППЗУ 16К х 8 СПИ 5 мс
W29N02KVSIAF Winbond Electronics W29N02KVSIAF 4,6243
запросить цену
ECAD 2852 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) W29N02 ФЛЕШ-NAND (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-В29Н02КВСИАФ 3А991Б1А 8542.32.0071 96 Энергонезависимый 2Гбит 25 нс ВСПЫШКА 256М х 8 Параллельно 25нс
25CS640T-I/MS Microchip Technology 25CS640T-I/МС -
запросить цену
ECAD 9879 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный 25CS640 - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-25CS640T-I/МСТР 2500
MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E ТР 52,9800
запросить цену
ECAD 7835 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD:ЭТР 2000 г.
SM662PAC-BDST Silicon Motion, Inc. SM662PAC-БДСТ -
запросить цену
ECAD 1705 г. 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. Ферри-eMMC® Поднос Устаревший -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 100-ЛБГА СМ662 ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) - 100-БГА (14х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 1984-SM662PAC-БДСТ 3А991Б1А 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 512Гбит ВСПЫШКА 64Г х 8 eMMC -
CY7C1514KV18-300BZC Infineon Technologies CY7C1514KV18-300BZC -
запросить цену
ECAD 2232 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1514 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 136 300 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно -
MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR -
запросить цену
ECAD 7323 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 432-ВФБГА МТ53Е512 432-ВФБГА (15х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 557-MT53E512M64D2NW-046IT:БТР 2000 г.
CY7C028V-15AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C028V-15AXC 46,6000
запросить цену
ECAD 7400 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C028 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2B 8542.32.0041 90 Неустойчивый 1Мбит 15 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 15 нс
W97BH6MBVA2I TR Winbond Electronics W97BH6MBVA2I ТР 5.6100
запросить цену
ECAD 5417 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 134-ВФБГА W97BH6 SDRAM — мобильный LPDDR2-S4B 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В 134-ВФБГА (10х11,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-В97БХ6МБВА2ИТР EAR99 8542.32.0036 3500 400 МГц Неустойчивый 2Гбит ДРАМ 128М х 16 ХСУЛ_12 15 нс
0791079729RQA00 Infineon Technologies 0791079729RQA00 -
запросить цену
ECAD 5763 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Последняя покупка - 1
MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR 23.5200
запросить цену
ECAD 1097 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 432-ВФБГА МТ53Е512 432-ВФБГА (15х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 557-MT53E512M64D2NW-046WT:БТР 2000 г.
7133SA70GM Renesas Electronics America Inc 7133SA70GM -
запросить цену
ECAD 3905 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Последняя покупка -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие 68-БПГА SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПГА (29,46х29,46) - 800-7133SA70GM 1 Неустойчивый 32Кбит 70 нс СРАМ 2К х 16 Параллельно 70нс
S25HS512TDPMHB010 Infineon Technologies S25HS512TDPMHB010 12.1800
запросить цену
ECAD 3333 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 16-СОИК скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 240 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
70V658S12BFI Renesas Electronics America Inc 70В658С12БФИ 197.0267
запросить цену
ECAD 9616 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 208-ЛФБГА 70В658 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3,15 В ~ 3,45 В 208-КАБГА (15х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 7 Неустойчивый 2Мбит 12 нс СРАМ 64К х 36 Параллельно 12нс
S25FL512SAGMFIR11J Cypress Semiconductor Corp S25FL512SAGMFIR11J 4,6700
запросить цену
ECAD 8156 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФЛ-С Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) S25FL512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 1 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит 8 нс ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 750 мкс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе