- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(70500)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S29CD016J0PFAM010 | 5.3000 |  | 86 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | CD-J | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-ЛБГА | S29CD016 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 2,75 В | 80-ФБГА (13х11) | скачать | 57 | 66 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 54 нс | ВСПЫШКА | 512К х 32 | Параллельно | 60нс | Не проверено | |||||||
 | CY7C1371KV33-100AXI | 33.2900 | | 144 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1371 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
 | CAT25C08LGI-26736 | 0,1400 | | 7 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | КАТ25C08 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | 2156-CAT25C08LGI-26736-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | 40 нс | ЭСППЗУ | 1К х 8 | СПИ | 5 мс | |||
| R1LV1616HSA-4SI#S1 | - | | 5209 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | R1LV1616HSA-I | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | Р1ЛВ1616Х | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 559-R1LV1616HSA-4SI#S1TR | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 16Мбит | 45 нс | СРАМ | 1м х 16, 2м х 8 | Параллельно | 45нс | |||
 | IS25LP016D-ИЮЛЬ-TR | 0,7583 | | 3691 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | IS25LP016 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-УСОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 5000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8 | ИПИ, КПИ | 800 мкс | |||
| 5962-8700219UA | - | | 2449 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Последняя покупка | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-LCC | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЛЦК (14,22х14,22) | - | 800-5962-8700219UA | 1 | Неустойчивый | 16Кбит | 25 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 25нс | |||||||||
 | 27С13ПК | 19.9900 | | 1 | 0,00000000 | Рочестер Электроникс, ООО | - | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 89Y9224-С | 30.0000 | | 1472 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-89Y9224-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| CPA-Y8R2G-C | 102,5000 | | 6613 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-CPA-Y8R2G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| CY62157G18-55BVXIT | 13.1075 | | 9207 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 2000 г. | Неустойчивый | 8 Мбит | 55 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 55нс | |||||||
| S99FL064LABMFI010 | - | | 8449 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | CAT24C128YI-G | - | | 4202 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | КАТ24C128 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 400 нс | ЭСППЗУ | 16К х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | CY7C1481BV33-133AXI | 182,5100 | | 52 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1481 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-CY7C1481BV33-133АСИ | 2 | 133 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||
 | КАТ25C128X | - | | 3139 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | КАТ25C128 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 5 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ЭСППЗУ | 16К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
 | W29N02KVSIAF | 4,6243 | | 2852 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | W29N02 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-В29Н02КВСИАФ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 2Гбит | 25 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | 25нс | |||
| 25CS640T-I/МС | - | | 9879 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 25CS640 | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-25CS640T-I/МСТР | 2500 | |||||||||||||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E ТР | 52,9800 | | 7835 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD:ЭТР | 2000 г. | ||||||||||||||||||||||
| SM662PAC-БДСТ | - | | 1705 г. | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | Ферри-eMMC® | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | СМ662 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | - | 100-БГА (14х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1984-SM662PAC-БДСТ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 512Гбит | ВСПЫШКА | 64Г х 8 | eMMC | - | |||||
 | CY7C1514KV18-300BZC | - | | 2232 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1514 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | ||||
 | MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR | - | | 7323 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 432-ВФБГА | МТ53Е512 | 432-ВФБГА (15х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 557-MT53E512M64D2NW-046IT:БТР | 2000 г. | |||||||||||||||
 | W97BH6MBVA2I ТР | 5.6100 | | 5417 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | W97BH6 | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4B | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-В97БХ6МБВА2ИТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 3500 | 400 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | ДРАМ | 128М х 16 | ХСУЛ_12 | 15 нс | |||
| MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR | 23.5200 | | 1097 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 432-ВФБГА | МТ53Е512 | 432-ВФБГА (15х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 557-MT53E512M64D2NW-046WT:БТР | 2000 г. | |||||||||||||||
 | 70В658С12БФИ | 197.0267 | | 9616 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 208-ЛФБГА | 70В658 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3,15 В ~ 3,45 В | 208-КАБГА (15х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | Неустойчивый | 2Мбит | 12 нс | СРАМ | 64К х 36 | Параллельно | 12нс | ||||
| 70В08Л12ПФИ | - | | 9764 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | - | 800-70В08Л12ПФИ | 1 | Неустойчивый | 512Кбит | 12 нс | СРАМ | 64К х 8 | ЛВТТЛ | 12нс | |||||||||
 | W29GL128CH9B | - | | 4636 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | W29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ЛФБГА (11х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 171 | Энергонезависимый | 128Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 16м х 8, 8м х 16 | Параллельно | 90 нс | ||||
| MSR820AJE288-10 | - | | 7659 | 0,00000000 | МоСис, Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | - | Поверхностный монтаж | 288-БГА, ФКБГА | СРАМ, РЛДРАМ | - | 288-FCBGA (19x19) | - | 2331-MSR820AJE288-10 | 1 | Неустойчивый | 576Мбит | 3,2 нс | БАРАН | 8М х 72 | Параллельно | - | |||||||||
| S26361-F3843-L514-C | 55.0000 | | 5328 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-S26361-F3843-L514-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-046 WT:A | - | | 3795 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | МТ53Е128 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | MT53E128M16D1DS-046WT:А | EAR99 | 8542.32.0036 | 1360 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | ДРАМ | 128М х 16 | - | - | |||||||
 | 48Л256-И/СН | - | | 2449 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 48Л256 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 150-48Л256-И/СН | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 66 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ЭРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT:C TR | 94,8900 | | 3792 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 441-ТФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR5 | 1,05 В | 441-ТФБГА (14х14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:CTR | 2000 г. | 2133 ГГц | Неустойчивый | 64Гбит | ДРАМ | 1Г х 64 | Параллельно | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)