Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY14B101L-SP35XC | - | ![]() | 5332 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-БССОП (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | CY14B101 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ССОП | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 30 | Энергонезависимый | 1Мбит | 35 нс | НВСРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 35 нс | Не проверено | |||||
![]() | МТ58Л512Л18ФС-8,5 | 5.9400 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | СИНКБЕРСТ™ | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | SRAM – стандартный | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20,1) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 МГц | Неустойчивый | 8 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 512К х 18 | Параллельно | - | ||||
![]() | CY7C1550KV18-450BZC | 228,9200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1550 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
![]() | S25FL129P0XBHI300A | 1,9600 | ![]() | 9834 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ-П | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL129 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 3 мс | ||||
![]() | S70GL02GS11FHI020 | 16.6700 | ![]() | 8388 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ГЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S70GL02 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-С70ГЛ02ГС11ФХИ020 | 1 | Энергонезависимый | 2Гбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 128М х 16 | Параллельно | - | Проверено | ||||||
| SM671PAE-БФСС | 88,9000 | ![]() | 3884 | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | Ферри-УФС™ | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 153-ТБГА | ФЛЕШ-NAND (SLC) | - | 153-БГА (11,5х13) | скачать | 1984-SM671PAE-БФСС | 1 | Энергонезависимый | 640Гбит | ВСПЫШКА | 80Г х 8 | УФС2.1 | - | |||||||||||
![]() | S26KL128SDABHA030 | 4.9300 | ![]() | 338 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Масса | Активный | - | 2156-С26КЛ128СДАБХА030 | 61 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC-3CD721-C | 110.0000 | ![]() | 2553 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-MC-3CD721-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S70GL02GS11FHB010 | 38.2025 | ![]() | 3251 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1800 г. | Энергонезависимый | 2Гбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | CFI | - | ||||||||
![]() | 9021933 | - | ![]() | 6640 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | M3008316035NX0PBCY | 30,9944 | ![]() | 7294 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 484-БГА | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 484-КАБГА (23х23) | - | Соответствует ROHS3 | 800-M3008316035NX0PBCY | 168 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 35 нс | БАРАН | 512К х 16 | Параллельно | 35 нс | ||||||||
![]() | CY7C1069DV33-10BVXIT | - | ![]() | 6321 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY7C1069 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (8х9,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 2М х 8 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | S29CD016J0PFAM010 | 5.3000 | ![]() | 86 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | CD-J | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-ЛБГА | S29CD016 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 2,75 В | 80-ФБГА (13х11) | скачать | 57 | 66 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 54 нс | ВСПЫШКА | 512К х 32 | Параллельно | 60нс | Не проверено | |||||||
![]() | S29GL256P10TFI020 | 6.0700 | ![]() | 1974 год | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ГЛ-П | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-С29ГЛ256П10ТФИ020 | 1 | Энергонезависимый | 256Мбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | 100 нс | Не проверено | ||||||
![]() | CY7C1371KV33-100AXI | 33.2900 | ![]() | 144 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1371 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | CAT25C08LGI-26736 | 0,1400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | КАТ25C08 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | 2156-CAT25C08LGI-26736-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | 40 нс | ЭСППЗУ | 1К х 8 | СПИ | 5 мс | |||
![]() | R1LV1616HSA-4SI#S1 | - | ![]() | 5209 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | R1LV1616HSA-I | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | Р1ЛВ1616Х | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 559-R1LV1616HSA-4SI#S1TR | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 16Мбит | 45 нс | СРАМ | 1м х 16, 2м х 8 | Параллельно | 45нс | |||
![]() | IS25LP016D-ИЮЛЬ-TR | 0,7583 | ![]() | 3691 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | IS25LP016 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-УСОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 5000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8 | ИПИ, КПИ | 800 мкс | |||
![]() | 5962-8700219UA | - | ![]() | 2449 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Последняя покупка | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-LCC | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЛЦК (14,22х14,22) | - | 800-5962-8700219UA | 1 | Неустойчивый | 16Кбит | 25 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 25нс | |||||||||
![]() | 27С13ПК | 19.9900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Рочестер Электроникс, ООО | - | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 89Y9224-С | 30.0000 | ![]() | 1472 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-89Y9224-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CPA-Y8R2G-C | 102,5000 | ![]() | 6613 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-CPA-Y8R2G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C199-25ВИТ | 0,6700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | CY7C199 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 25 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
![]() | CY62157G18-55BVXIT | 13.1075 | ![]() | 9207 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 2000 г. | Неустойчивый | 8 Мбит | 55 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 55нс | |||||||
![]() | 7006Л20ПФГ8 | - | ![]() | 5210 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 7006L20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | - | 800-7006Л20ПФГ8ТР | УСТАРЕВШИЙ | 250 | Неустойчивый | 128Кбит | 20 нс | СРАМ | 16К х 8 | Параллельно | 20нс | |||||||
![]() | S25FS512SFABHV213 | 10,5875 | ![]() | 7895 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 2 В | 24-БГА (8х6) | скачать | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 102 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 2 мс | |||||||
![]() | S99FL064LABMFI010 | - | ![]() | 8449 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1399BL-15VXC | 0,6700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | CY7C1399 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15 нс | ||||
| CAT24C128YI-G | - | ![]() | 4202 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | КАТ24C128 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 400 нс | ЭСППЗУ | 16К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
| CY7C1481BV33-133AXI | 182,5100 | ![]() | 52 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1481 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-CY7C1481BV33-133АСИ | 2 | 133 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)