SIC
close

Память(70500)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
W971GG6NB25I TR Winbond Electronics W971GG6NB25I ТР 3.1427
запросить цену
 ECAD 9131 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 84-ТФБГА W971GG6 SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 84-ТФБГА (8х12,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W971GG6NB25ITR EAR99 8542.32.0032 2500 800 МГц Неустойчивый 1Гбит 400 пс ДРАМ 64М х 16 SSTL_18 15 нс
7025S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 7025С12ПФИ8 -
запросить цену
 ECAD 1995 год 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Последняя покупка -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) - 800-7025С12ПФИ8ТР 1 Неустойчивый 128Кбит 12 нс СРАМ 8К х 16 Параллельно 12нс
A0643480-C ProLabs А0643480-С 17.5000
запросить цену
 ECAD 8322 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А0643480-С EAR99 8473.30.5100 1
CY7C1420JV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1420JV18-300BZC -
запросить цену
 ECAD 3581 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1420 SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 1М х 36 Параллельно - Не проверено
7025L45FB Renesas Electronics America Inc 7025Л45ФБ -
запросить цену
 ECAD 1214 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Масса Устаревший - REACH не касается 800-7025Л45ФБ УСТАРЕВШИЙ 1
SM662PXD BFST Silicon Motion, Inc. SM662PXD БФСТ 44.7300
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. Ферри-eMMC® Поднос Активный -25°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 153-ТФБГА СМ662 ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) - 153-БГА (11,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1520 г. Энергонезависимый 1Тбит ВСПЫШКА 128Г х 8 eMMC -
CY62167ELL-45ZXIT Infineon Technologies CY62167ELL-45ZXIT 14.4375
запросить цену
 ECAD 1500 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) CY62167 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 48-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 16Мбит 45 нс СРАМ 2М х 8, 1М х 16 Параллельно 45нс
7025S35JG Renesas Electronics America Inc 7025S35JG -
запросить цену
 ECAD 6692 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 84-LCC (J-вывод) 7025S35 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 84-ПЛЦК (29,31х29,31) - 800-7025S35JG УСТАРЕВШИЙ 1 Неустойчивый 128Кбит 35 нс СРАМ 8К х 16 Параллельно 35 нс
W25N04KWZEIR TR Winbond Electronics W25N04KWZEIR ТР 5,7750
запросить цену
 ECAD 6445 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка ФЛЕШ-NAND (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В 8-ВСОН (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 256-W25N04KWZEIRTR 3А991Б1А 8542.32.0071 4000 104 МГц Энергонезависимый 4Гбит 8 нс ВСПЫШКА 512М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 700 мкс
CAT25160VE-GC onsemi CAT25160VE-GC -
запросить цену
 ECAD 9208 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ25160 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК - 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 100 10 МГц Энергонезависимый 16Кбит ЭСППЗУ 2К х 8 СПИ 5 мс
SST26VF080AT-104I/SN Microchip Technology ССТ26ВФ080АТ-104И/СН 1.5000
запросить цену
 ECAD 9359 0,00000000 Микрочиповая технология SST26 SQI® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) SST26VF080 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 3300 104 МГц Энергонезависимый 8 Мбит ВСПЫШКА 1М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 1,5 мс
CY7C1046BV33-12VC Cypress Semiconductor Corp CY7C1046BV33-12VC 7.0000
запросить цену
 ECAD 63 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1046 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 32-СОЮ скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 1М х 4 Параллельно 12нс
W25Q80EWZPAG Winbond Electronics W25Q80EWZPAG -
запросить цену
 ECAD 6798 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q80 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 8-ВСОН (6х5) - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q80EWZPAG УСТАРЕВШИЙ 1 104 МГц Энергонезависимый 8 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 1М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 30 мкс, 800 мкс
STK14D88-NF35 Simtek СТК14Д88-НФ35 -
запросить цену
 ECAD 7934 0,00000000 Симтек - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) СТК14Д88 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 32-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1 Энергонезависимый 256Кбит 35 нс НВСРАМ 32К х 8 Параллельно 35 нс
S26KS512SDGBHB030 Cypress Semiconductor Corp S26KS512SDGBHB030 12.5200
запросить цену
 ECAD 954 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KS Масса Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА С26КС512 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 1,95 В 24-ФБГА (6х8) скачать 24 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит 96 нс ВСПЫШКА 64М х 8 Параллельно - Не проверено
819800-001-C ProLabs 819800-001-С 73.5000
запросить цену
 ECAD 4189 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-819800-001-С EAR99 8473.30.5100 1
MT62F1G64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 МТА:Б ТР 58.0650
запросить цену
 ECAD 1705 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 95°С Поверхностный монтаж 441-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR5 1,05 В 441-ТФБГА (14х14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AIT:БТР 2000 г. 2133 ГГц Неустойчивый 64Гбит ДРАМ 1Г х 64 Параллельно -
MPC2605ZP83 Motorola MPC2605ZP83 46,6900
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Моторола - Масса Активный 20°С ~ 110°С (ТДж) Поверхностный монтаж 241-БГА MPC2605 БАРАН 3135 В ~ 3465 В 241-ПБГА (25х25) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1 83 МГц Неустойчивый 256Кбит БАРАН - Параллельно -
S25FS128SAGBHV200 Nexperia USA Inc. S25FS128SAGBHV200 2,8200
запросить цену
 ECAD 185 0,00000000 Нексперия США Инк. - Масса Активный - 2156-С25ФС128САГБХВ200 107
FM28V020-SGTR Cypress Semiconductor Corp FM28V020-SGTR 11,9900
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация F-RAM™ Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) FM28V020 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 2 В ~ 3,6 В 28-СОИК скачать 1 Энергонезависимый 256Кбит 140 нс ФРАМ 32К х 8 Параллельно 140 нс Не проверено
IDT71V35761S200PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V35761S200PF8 -
запросить цену
 ECAD 5041 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP IDT71V35761 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В35761С200ПФ8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 200 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 3,1 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
M5M5V108DKV-70H#BT Renesas Electronics America Inc М5М5В108ДКВ-70Х#БТ 6.3000
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1
IDT71V424S12PH8 Renesas Electronics America Inc IDT71V424S12PH8 -
запросить цену
 ECAD 4767 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИДТ71В424 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В424С12ПХ8 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 12нс
CY7C1168KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1168KV18-400BZC 33,7600
запросить цену
 ECAD 887 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1168 SRAM — синхронный, DDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 9 400 МГц Неустойчивый 18 Мбит СРАМ 1М х 18 Параллельно - Не проверено
CY7C0851V-167AC Cypress Semiconductor Corp CY7C0851V-167AC 41.9300
запросить цену
 ECAD 753 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 176-LQFP CY7C0851 SRAM — двухпортовый, синхронный 3135 В ~ 3465 В 176-TQFP (24x24) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 МГц Неустойчивый 2Мбит СРАМ 64К х 36 Параллельно -
W25Q512NWFIM TR Winbond Electronics W25Q512NWFIM ТР -
запросить цену
 ECAD 2629 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) W25Q512 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q512NWFIMTR 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR 3 мс
CYDM128A16-55BVXI Cypress Semiconductor Corp CYDM128A16-55BVXI -
запросить цену
 ECAD 8216 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-ВФБГА ДЮМ SRAM — двухпортовый, асинхронный 1,7 В ~ 1,9 В, 2,4 В ~ 2,6 В, 2,7 В ~ 3,3 В 100-ВФБГА (6х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 128Кбит 55 нс СРАМ 8К х 16 Параллельно 55нс
713977-B21-C ProLabs 713977-B21-C 48.7500
запросить цену
 ECAD 6758 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-713977-В21-С EAR99 8473.30.5100 1
71V016SA20YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71В016СА20ЙГИ 2,4900
запросить цену
 ECAD 365 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) 71В016 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-СОЮ скачать 3A991B2B 8542.32.0041 1 Неустойчивый 1Мбит 20 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 20нс
CY7C2562XV18-366BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C2562XV18-366BZXC 215.1200
запросить цену
 ECAD 94 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C2562 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать 1 366 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 4М х 18 Параллельно - Не проверено
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.