SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
838083-H21-C ProLabs 838083-H21-C 130.0000
запросить цену
ECAD 3608 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-838083-Н21-С EAR99 8473.30.5100 1
CY7C1069DV33-10BVXIT Infineon Technologies CY7C1069DV33-10BVXIT -
запросить цену
ECAD 6321 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY7C1069 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (8х9,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. Неустойчивый 16Мбит 10 нс СРАМ 2М х 8 Параллельно 10 нс
S29CD016J0PFAM010 Cypress Semiconductor Corp S29CD016J0PFAM010 5.3000
запросить цену
ECAD 86 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация CD-J Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 80-ЛБГА S29CD016 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 2,75 В 80-ФБГА (13х11) скачать 57 66 МГц Энергонезависимый 16Мбит 54 нс ВСПЫШКА 512К х 32 Параллельно 60нс Не проверено
S29GL256P10TFI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL256P10TFI020 6.0700
запросить цену
ECAD 1974 год 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ГЛ-П Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) S29GL256 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 56-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 2832-С29ГЛ256П10ТФИ020 1 Энергонезависимый 256Мбит 100 нс ВСПЫШКА 32М х 8 Параллельно 100 нс Не проверено
CY7C1371KV33-100AXI Infineon Technologies CY7C1371KV33-100AXI 33.2900
запросить цену
ECAD 144 0,00000000 Инфинеон Технологии НоБЛ™ Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1371 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 72 100 МГц Неустойчивый 18 Мбит 8,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
CAT25C08LGI-26736 onsemi CAT25C08LGI-26736 0,1400
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 онсеми - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) КАТ25C08 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать не соответствует RoHS REACH не касается 2156-CAT25C08LGI-26736-488 EAR99 8542.32.0071 1 10 МГц Энергонезависимый 8Кбит 40 нс ЭСППЗУ 1К х 8 СПИ 5 мс
R1LV1616HSA-4SI#S1 Renesas Electronics America Inc R1LV1616HSA-4SI#S1 -
запросить цену
ECAD 5209 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. R1LV1616HSA-I Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) Р1ЛВ1616Х SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 559-R1LV1616HSA-4SI#S1TR 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 16Мбит 45 нс СРАМ 1м х 16, 2м х 8 Параллельно 45нс
IS25LP016D-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-ИЮЛЬ-TR 0,7583
запросить цену
ECAD 3691 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка IS25LP016 ВСПЫШКА – НО 2,3 В ~ 3,6 В 8-УСОН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 5000 133 МГц Энергонезависимый 16Мбит 7 нс ВСПЫШКА 2М х 8 ИПИ, КПИ 800 мкс
S29PL064J70BFI072 Infineon Technologies S29PL064J70BFI072 5.8150
запросить цену
ECAD 8707 0,00000000 Инфинеон Технологии PL-J Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-ВФБГА S29PL064 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 56-ФБГА (9х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 800 Энергонезависимый 64 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 4М х 16 Параллельно 70нс
5962-8700219UA Renesas Electronics America Inc 5962-8700219UA -
запросить цену
ECAD 2449 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Последняя покупка -55°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-LCC SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 48-ЛЦК (14,22х14,22) - 800-5962-8700219UA 1 Неустойчивый 16Кбит 25 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 25нс
27S13PC Rochester Electronics, LLC 27С13ПК 19.9900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Рочестер Электроникс, ООО - Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0071 1
89Y9224-C ProLabs 89Y9224-С 30.0000
запросить цену
ECAD 1472 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-89Y9224-С EAR99 8473.30.5100 1
CY7C1380BV25-200AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1380BV25-200AC 15,9700
запросить цену
ECAD 1840 г. 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1380 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
CPA-Y8R2G-C ProLabs CPA-Y8R2G-C 102,5000
запросить цену
ECAD 6613 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-CPA-Y8R2G-C EAR99 8473.30.5100 1
CY7C199-25VIT Cypress Semiconductor Corp CY7C199-25ВИТ 0,6700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C199 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 256Кбит 25 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
CY7C1360B-200AJC Cypress Semiconductor Corp CY7C1360B-200AJC 6.3800
запросить цену
ECAD 1651 г. 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1360 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 МГц Неустойчивый 9 Мбит 3 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
R1QBA7218RBG-22RB0 Renesas Electronics America Inc R1QBA7218RBG-22RB0 23.4300
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1
8403613LA Renesas Electronics America Inc 8403613ЛА -
запросить цену
ECAD 7418 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие 24-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) 840361 SRAM – синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 24-CDIP скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 800-8403613ЛА УСТАРЕВШИЙ 15 Неустойчивый 16Кбит 70 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 70нс
CY62157G18-55BVXIT Infineon Technologies CY62157G18-55BVXIT 13.1075
запросить цену
ECAD 9207 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА SRAM — асинхронный 1,65 В ~ 2,2 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3A991B1B2 8542.32.0071 2000 г. Неустойчивый 8 Мбит 55 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 55нс
7006L20PFG8 Renesas Electronics America Inc 7006Л20ПФГ8 -
запросить цену
ECAD 5210 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP 7006L20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 64-ТКФП (14х14) - 800-7006Л20ПФГ8ТР УСТАРЕВШИЙ 250 Неустойчивый 128Кбит 20 нс СРАМ 16К х 8 Параллельно 20нс
S25FS512SFABHV213 Infineon Technologies S25FS512SFABHV213 10,5875
запросить цену
ECAD 7895 0,00000000 Инфинеон Технологии ФС-С Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-БГА (8х6) скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 102 МГц Энергонезависимый 512 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 2 мс
S99FL064LABMFI010 Infineon Technologies S99FL064LABMFI010 -
запросить цену
ECAD 8449 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Последняя покупка - 1
CY7C1399BL-15VXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1399BL-15VXC 0,6700
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C1399 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 28-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 256Кбит 15 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 15 нс
CAT24C128YI-G Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C128YI-G -
запросить цену
ECAD 4202 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) КАТ24C128 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 1 МГц Энергонезависимый 128Кбит 400 нс ЭСППЗУ 16К х 8 I²C 5 мс
CY7C1481BV33-133AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1481BV33-133AXI 182,5100
запросить цену
ECAD 52 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1481 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-CY7C1481BV33-133АСИ 2 133 МГц Неустойчивый 72 Мбит 6,5 нс СРАМ 2М х 36 Параллельно - Не проверено
CAT25C128X Catalyst Semiconductor Inc. КАТ25C128X -
запросить цену
ECAD 3139 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) КАТ25C128 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 5 МГц Энергонезависимый 128Кбит ЭСППЗУ 16К х 8 СПИ 5 мс
W29N02KVSIAF Winbond Electronics W29N02KVSIAF 4,6243
запросить цену
ECAD 2852 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) W29N02 ФЛЕШ-NAND (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-В29Н02КВСИАФ 3А991Б1А 8542.32.0071 96 Энергонезависимый 2Гбит 25 нс ВСПЫШКА 256М х 8 Параллельно 25нс
25CS640T-I/MS Microchip Technology 25CS640T-I/МС -
запросить цену
ECAD 9879 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный 25CS640 - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-25CS640T-I/МСТР 2500
MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E ТР 52,9800
запросить цену
ECAD 7835 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD:ЭТР 2000 г.
SM662PAC-BDST Silicon Motion, Inc. SM662PAC-БДСТ -
запросить цену
ECAD 1705 г. 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. Ферри-eMMC® Поднос Устаревший -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 100-ЛБГА СМ662 ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) - 100-БГА (14х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 1984-SM662PAC-БДСТ 3А991Б1А 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 512Гбит ВСПЫШКА 64Г х 8 eMMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе