SIC
close

Память(70500)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
MX25L25745GMI-08G Macronix MX25L25745GMI-08G 2,7680
запросить цену
 ECAD 1546 г. 0,00000000 Макроникс MXSMIO™ Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП - 3 (168 часов) 1092-MX25L25745GMI-08G 44 120 МГц Энергонезависимый 256Мбит 6 нс ВСПЫШКА 64М х 4, 128М х 2, 256М х 1 CFI 30 мкс, 750 мкс
CG10081AFT Infineon Technologies CG10081AFT 3,5785
запросить цену
 ECAD 1232 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует ROHS3 1000
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 ААТ:А 15.9600
запросить цену
 ECAD 6318 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Коробка Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 В 200-ТФБГА (10х14,5) скачать 557-MT53E1G16D1FW-046AAT:А 1 2133 ГГц Неустойчивый 16Гбит 3,5 нс ДРАМ 1Г х 16 Параллельно 18нс
W25Q16JWZPAM Winbond Electronics W25Q16JWZPAM -
запросить цену
 ECAD 4336 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q16 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 8-ВСОН (6х5) - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q16JWZPAM 1 133 МГц Энергонезависимый 16Мбит 6 нс ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR 3 мс
93Z451LMQB National Semiconductor 93Z451LMQB 19.6700
запросить цену
 ECAD 177 0,00000000 Национальный полупроводник - Масса Активный -55°C ~ 125°C (TC) Поверхностный монтаж 28-LCC (J-вывод) - 4,75 В ~ 5,25 В 28-ПЛСС (11,43х11,43) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A001A2C 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 8Кбит 55 нс ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР 1К х 8 Параллельно -
S99ML01G10042 SkyHigh Memory Limited S99ML01G10042 -
запросить цену
 ECAD 5709 0,00000000 SkyHigh Память ограничена - Масса Снято с производства в НИЦ S99ML01 - Поставщик не определен 2120-С99МЛ01Г10042 0000.00.0000 96 Не проверено
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 ААТ:Б ТР 32,5650
запросить цену
 ECAD 3030 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR5 1,05 В 200-ВФБГА (10х14,5) - 557-МТ62Ф1Г32Д4ДС-031ААТ:БТР 2000 г. 3,2 ГГц Неустойчивый 32Гбит ДРАМ 1Г х 32 Параллельно -
93LC76BT-I/MS Microchip Technology 93LC76BT-I/МС -
запросить цену
 ECAD 1783 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) 93LC76 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 3 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 512 х 16 Микропровод 5 мс
CY7C1515V18-200BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1515V18-200BZC 161,7800
запросить цену
 ECAD 183 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1515 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 2 200 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно - Не проверено
71V416YL12PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416YL12PHG 2.0100
запросить цену
 ECAD 161 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) 71В416Й SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 26 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 12нс
GD25LT512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEBARY 10.1346
запросить цену
 ECAD 4484 0,00000000 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ГД25ЛТ Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,65 В ~ 2 В 24-ТФБГА (6х8) - 1970-GD25LT512MEBARY 4800 200 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR -
MT58L512L18FS-8.5 Micron Technology Inc. МТ58Л512Л18ФС-8,5 5.9400
запросить цену
 ECAD 17 0,00000000 Микрон Технология Инк. СИНКБЕРСТ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP SRAM – стандартный 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20,1) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 МГц Неустойчивый 8 Мбит 8,5 нс СРАМ 512К х 18 Параллельно -
71321SA17JI Renesas Electronics America Inc 71321SA17JI -
запросить цену
 ECAD 5453 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Последняя покупка -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 52-LCC (J-вывод) SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 52-ПЛКЦ (19,13х19,13) - 800-71321SA17JI 1 Неустойчивый 16Кбит 17 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 17нс
P06192-001-C ProLabs П06192-001-С 745.0000
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-П06192-001-С EAR99 8473.30.5100 1
S25FL164K0XMFA011 Nexperia USA Inc. S25FL164K0XMFA011 -
запросить цену
 ECAD 1900 г. 0,00000000 Нексперия США Инк. - Масса Активный - 2156-С25ФЛ164К0СМФА011 1
S29GL512T10GHI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL512T10GHI020 8.5600
запросить цену
 ECAD 3203 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ГЛ-Т Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-ВФБГА S29GL512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 56-ФБГА (9х7) скачать не соответствует RoHS Непригодный Поставщик не определен 2832-С29ГЛ512Т10ГХИ020 3А991Б1А 8542.32.0070 30 Энергонезависимый 512 Мбит 100 нс ВСПЫШКА 64М х 8 Параллельно 60нс Не проверено
MTFC64GASAONS-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC64GASAONS-AAT TR 41,4750
запросить цену
 ECAD 6526 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q104 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 153-ТФБГА ФЛЕШ-NAND (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 153-ТФБГА (11,5х13) - 557-MTFC64GASAONS-AATTR 2000 г. 52 МГц Энергонезависимый 512Гбит ВСПЫШКА 64Г х 8 УФС2.1 -
4X70G78061-C ProLabs 4X70G78061-С 145.0000
запросить цену
 ECAD 8456 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-4X70G78061-С EAR99 8473.30.5100 1
S25HL512TDPMHV010 Infineon Technologies S25HL512TDPMHV010 10.0975
запросить цену
 ECAD 4821 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 240 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
S34ML01G200TFI003 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G200TFI003 -
запросить цену
 ECAD 6950 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МЛ-2 Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) S34ML01 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 1Гбит ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно 25нс
CY7C025AV-25AXI Infineon Technologies CY7C025AV-25AXI -
запросить цену
 ECAD 4448 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C025 SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 90 Неустойчивый 128Кбит 25 нс СРАМ 8К х 16 Параллельно 25нс
CY7B144-25JC Cypress Semiconductor Corp CY7B144-25JC 44.4600
запросить цену
 ECAD 17 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) CY7B144 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛСС (24,23х24,23) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 64Кбит 25 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 25нс
R1EX25032ASA00A#S0 Renesas Electronics America Inc R1EX25032ASA00A#S0 1,4500
запросить цену
 ECAD 94 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) R1EX25032 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0051 2500 5 МГц Энергонезависимый 32Кбит ЭСППЗУ 4К х 8 СПИ 5 мс
CY44C027PW-G-ERE1 Infineon Technologies CY44C027PW-G-ERE1 -
запросить цену
 ECAD 9712 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший - 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 3000
CY7C1371BV25-100AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1371BV25-100AC 12.9600
запросить цену
 ECAD 129 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1371 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 МГц Неустойчивый 18 Мбит 8,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
MT40A1G16TB-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E:F ТР 13.5900
запросить цену
 ECAD 9072 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА МТ40А1Г16 SDRAM-DDR4 1,14 В ~ 1,26 В 96-ФБГА (7,5х13) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 557-MT40A1G16TB-062E:ФТР 3А991Б1А 8542.32.0071 2000 г. 1,5 ГГц Неустойчивый 16Гбит 19 нс ДРАМ 1Г х 16 Параллельно 15 нс
SM671PED-AFSS Silicon Motion, Inc. SM671PED-AFSS -
запросить цену
 ECAD 1368 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. Ферри-УФС™ Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 153-ТФБГА СМ671 ФЛЕШ-NAND (SLC), ФЛЕШ-NAND (TLC) - 153-БГА (11,5х13) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 1984-SM671PED-AFSS 1 Энергонезависимый 320Гбит ВСПЫШКА 40 г х 8 УФС2.1 -
CAT24C32WE-GT3 onsemi CAT24C32WE-GT3 -
запросить цену
 ECAD 4500 0,00000000 онсеми - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ24C32 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 1 МГц Энергонезависимый 32Кбит 400 нс ЭСППЗУ 4К х 8 I²C 5 мс
EM064LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1T 42.0000
запросить цену
 ECAD 1037 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM064LXQADG13CS1T EAR99 8542.32.0071 290 200 МГц Энергонезависимый 64 Мбит БАРАН 8М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
5962-8700214UA Renesas Electronics America Inc 5962-8700214UA -
запросить цену
 ECAD 6083 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший -55°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-LCC 5962-8700214 SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 48-ЛЦК (14,22х14,22) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 800-5962-8700214UA УСТАРЕВШИЙ 34 Неустойчивый 16Кбит 90 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 90 нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.