Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Программируемый тип | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Тип контроллера |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | АТ49БВ320Т-11ТИ | - | ![]() | 4424 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | АТ49БВ320 | ВСПЫШКА | 2,65 В ~ 3,3 В | 48-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8, 2М х 16 | Параллельно | 150 мкс | ||||||
![]() | XCF16PVOG48C | - | ![]() | 3217 | 0,00000000 | АМД | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | XCF16 | Не проверено | 1,65 В ~ 2 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 96 | В системном программировании | 16Мб | |||||||||||
![]() | S29GL256S90TFA020 | 7,6825 | ![]() | 5166 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 910 | Энергонезависимый | 256Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 16М х 16 | Параллельно | 60нс | ||||||
| S-24CS02AFT-ТБ-Г | 0,6670 | ![]() | 6994 | 0,00000000 | АБЛИК Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | С-24CS02 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 10 мс | |||||||
| W74M25JWZPIQ ТР | 3,7350 | ![]() | 8226 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W74M25 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W74M25JWZPIQTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 5000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | - | - | ||||||
![]() | S25FL064LABMFV013 | 3.3300 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-Л | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FL064 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2100 | 108 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||||||
![]() | CAT24C03LI-Г | - | ![]() | 2757 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | КАТ24C03 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | ||||||
![]() | ГС82583ЭД18ГК-625И | 697,5000 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Компания GSI Technology Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 100°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 260-БГА | GS82583ED18 | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,25 В ~ 1,35 В | 260-БГА (22х14) | - | Соответствует ROHS3 | 4 (72 часа) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 675 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | СРАМ | 16М х 18 | Параллельно | - | ||||||
![]() | MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR | 24.1050 | ![]() | 2225 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 178-ВФБГА | МТ52Л512 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,2 В | 178-ФБГА (11,5х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 933 МГц | Неустойчивый | 16Гбит | ДРАМ | 512М х 32 | - | - | ||||||
![]() | MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | - | ![]() | 1261 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ48LC2M32B2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 167 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | 12нс | |||||
![]() | ИС64ВВ102416БЛЛ-10МА3-ТР | - | ![]() | 3772 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS64WV102416 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-миниBGA (9x11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||||
![]() | АК6417АМ | - | ![]() | 7693 | 0,00000000 | Асахи Касей Микродевайс/АКМ | - | Масса | Устаревший | - | - | - | - | - | - | - | 1 (без блокировки) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | АТ49Ф002Н-12ПИ | - | ![]() | 2481 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | AT49F002 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | АТ49Ф002Н12ПИ | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | Энергонезависимый | 2Мбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||||
| 70В3389С6БФ | 127,8352 | ![]() | 8937 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 208-ЛФБГА | 70В3389 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3,15 В ~ 3,45 В | 208-КАБГА (15х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 6 нс | СРАМ | 64К х 18 | Параллельно | - | |||||||
![]() | MX25L12835FZNI-10G | 3.2300 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Макроникс | MX25xxx35/36 — MXSMIO™ | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | MX25L12835 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 570 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | СПИ | 30 мкс, 1,5 мс | ||||||
![]() | MX25L3206EZNI-12G | 1.2000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Макроникс | MX25xxx05/06/08 | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | MX25L3206 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 570 | 86 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | СПИ | 50 мкс, 3 мс | ||||||
![]() | AT29C256-12JC-T | - | ![]() | 5839 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | АТ29С256 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | Энергонезависимый | 256Кбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 32К х 8 | Параллельно | 10 мс | ||||||
![]() | EDFP112A3PF-GDTJ-FD | - | ![]() | 6104 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 105°C (TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1190 | 800 МГц | Неустойчивый | 24Гбит | ДРАМ | 192М х 128 | Параллельно | - | |||||||
| R1EX24128BSAS0I#K0 | - | ![]() | 9257 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | Р1EX24128 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 4000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 16К х 8 | I²C | 5 мс | ||||||
![]() | CY7C68024-56BAXC | - | ![]() | 8788 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | EZ-USB NX2LP™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С | Поверхностный монтаж | 56-ВФБГА | CY7C68024 | 3 В ~ 3,6 В | 56-ВФБГА (5х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.31.0001 | 490 | NAND-флэш-USB | |||||||||||||
![]() | CY7C1319KV18-250BZXC | - | ![]() | 5141 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1319 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 250 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||||||
![]() | ИС29ГЛ128-70СЛЕТ | 7.8000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ИС29ГЛ128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС29ГЛ128-70СЛЕТ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 128Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | 200 мкс | |||||
![]() | GD25VE40CTIG | 0,3686 | ![]() | 4974 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ГД25ВЭ40 | ВСПЫШКА – НО | 2,1 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||||
| 25АА080А-И/П | 0,8100 | ![]() | 6658 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 25АА080 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | СПИ | 5 мс | |||||||
![]() | 24LC512T-I/МС | - | ![]() | 1747 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | 24LC512 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | |||||
| 7025S30J | - | ![]() | 1473 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | 7025S30 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Неустойчивый | 128Кбит | 30 нс | СРАМ | 8К х 16 | Параллельно | 30 нс | |||||||
![]() | CY7C1314BV18-167BZI | - | ![]() | 9516 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1314 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 119 | 167 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||||||
![]() | MT46V128M4TG-6T:D ТР | 15,9900 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ46В128М4 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 4 (72 часа) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 128М х 4 | Параллельно | 15 нс | |||||
![]() | 7054Л25ПРФ | - | ![]() | 8468 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 128-LQFP | 7054L25 | SRAM — четырехпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 128-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Неустойчивый | 32Кбит | 25 нс | СРАМ | 4К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||||
![]() | AT27C020-10JC | - | ![]() | 9366 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | AT27C020 | СППЗУ-ОТП | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 32 | Энергонезависимый | 2Мбит | 100 нс | СППЗУ | 256К х 8 | Параллельно | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)