- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталанский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(70500)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7007L25PFG | - |  | 6165 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | 7007L25 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 80-ТКФП (14х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 800-7007Л25ПФГ | 45 | Неустойчивый | 256Кбит | 25 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
 | АТ24CS32-СШМ-Б | 0,5000 | | 900 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АТ24CS32 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 32Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 4К х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | M24C08-FMB5TG | - | | 8885 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -20°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | M24C08 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-УФДФПН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 8Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 1К х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | CY62137CVSL-70BAXI | - | | 7103 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY62137 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (7х7) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 416 | Неустойчивый | 2Мбит | 70 нс | СРАМ | 128 КБ х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
 | AS4C2M32SA-7TCNTR | 2,9779 | | 6676 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C2M32 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | 2нс | |||
 | AT28HC256-12SC | - | | 2568 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | AT28HC256 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | Энергонезависимый | 256Кбит | 120 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | 10 мс | ||||
 | FM25040B-G | - | | 8457 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | F-RAM™ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | FM25040 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | 1 | 20 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ФРАМ | 512 х 8 | СПИ | - | Не проверено | ||||||||
 | 24LC64T-E/СТ16КВАО | - | | 4343 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 24LC64 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
 | 34ВЛ02/П | 0,5400 | | 2750 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -20°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 34ВЛ02 | ЭСППЗУ | 1,5 В ~ 3,6 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | S70KL1281DABHI023 | - | | 5942 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГиперОЗУ™ КЛ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | S70KL1281 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 100 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 40 нс | ПСРАМ | 16М х 8 | Параллельно | - | |||
 | МТ46В16М16ТГ-75:Ф ТР | - | | 2799 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ46В16М16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 750 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
 | ИС61ДДБ22М18-250М3 | - | | 6872 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | ИС61ДДБ22 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | ||||
 | RC28F128J3F75B ТР | - | | 3619 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | СтратаФлэш™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ГАТБ | RC28F128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-EasyBGA (10x13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 2000 г. | Энергонезависимый | 128Мбит | 75 нс | ВСПЫШКА | 16м х 8, 8м х 16 | Параллельно | 75нс | ||||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TR | 96.1650 | | 1726 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | МТ53Е2Г32 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | REACH не касается | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES:ATR | 2000 г. | 2133 ГГц | Неустойчивый | 64Гбит | ДРАМ | 2Г х 32 | - | - | ||||||||||
| 93АА56А-И/СТ | 0,3900 | | 7557 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 93АА56 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | Микропровод | 6 мс | ||||
 | FT24C32A-USR-T | 0,2200 | | 2 | 0,00000000 | Фремонт Микро Девайс Лтд. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | FT24C32 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 800 кГц | Энергонезависимый | 32Кбит | 700 нс | ЭСППЗУ | 4К х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | MSP14LV164-E1-GH-001 | - | | 1858 г. | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | S34SL01G200BHI000 | - | | 1526 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | СЛ-2 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | S34SL01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-БГА (11х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 210 | Энергонезависимый | 1Гбит | 25 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | - | ||||
 | CY7C1347G-100AXC | - | | 1286 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1347 | SRAM – синхронный, SDR | 3,15 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||
 | 24LC65/СМ | 2.4000 | | 1 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | 24LC65 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 6,0 В | 8-СОИЖ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 90 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | CY7C0251-25AXC | - | | 2465 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C0251 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 144Кбит | 25 нс | СРАМ | 8К х 18 | Параллельно | 25нс | ||||
 | ИС42РМ16800Г-6БЛИ | - | | 5741 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42РМ16800 | SDRAM – мобильная версия | 2,3 В ~ 2,7 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | - | |||
 | ИС45С16320Ф-6ТЛА1 | 13.3133 | | 4679 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС45С16320 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | - | |||
 | S29GL512T11DHB023 | 13.1600 | | 6171 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-Т | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2200 | Энергонезависимый | 512 Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | Параллельно | 60нс | ||||
 | БР24Т256-ВЗ | 2.7300 | | 1 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | БР24Т256 | ЭСППЗУ | 1,6 В ~ 5,5 В | 8-ДИПК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 кГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ЭСППЗУ | 32К х 8 | I²C | 5 мс | Не проверено | |||
| AT45DB021B-CI | - | | 3968 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 9-ТБГА, ЦСПБГА | AT45DB021 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 9-CBGA (5x5) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 1024 страницы | СПИ | 14 мс | ||||
 | CY7C1386D-167AXC | 26.7300 | | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1386 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 12 | 167 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,4 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||
 | HN58X2532TI#S0 | 2,6300 | | 201 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 0000.00.0000 | 3000 | |||||||||||||||||||
| 24AA08SC-I/W16K | - | | 8880 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Править | 24АА08 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 8Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 х 4 | I²C | 5 мс | |||
 | IDT71016S15YI8 | - | | 2109 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IDT71016 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71016S15YI8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 1Мбит | 15 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 15 нс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)