- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(70500)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7007С20ПФ | - |  | 3082 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | 7007S20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 80-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Неустойчивый | 256Кбит | 20 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 20нс | ||||
 | CY7C199CN-12ZXCT | - | | 5593 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY7C199 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 256Кбит | 12 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 12нс | ||||
 | MT53D1024M64D8NW-053 WT:D | - | | 2417 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 432-ВФБГА | МТ53Д1024 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | 432-ВФБГА (15х15) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1190 | 1866 ГГц | Неустойчивый | 64Гбит | ДРАМ | 1Г х 64 | - | - | ||||
 | CAT24C256ZD2GI | - | | 9670 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | КАТ24C256 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 500 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | I²C | 5 мс | |||
 | CY7C1345G-100AXCT | 7.3325 | | 2456 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1345 | SRAM – синхронный, SDR | 3,15 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 8 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||
 | S25FS512SAGNFV013 | 9.4325 | | 4169 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | С25ФС512 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 8-ВСОН (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||||
 | CY7C1019DV33-8ZSXI | 2.4200 | | 4324 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП II | - | 2156-CY7C1019DV33-8ZSXI | 11 | Неустойчивый | 1Мбит | 8 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 8нс | |||||||||
 | CY7C1320KV18-250BZC | - | | 1479 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1320 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||||
 | S25FL132K0XNFV010 | 1,6600 | | 27 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ1-К | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | S25FL132 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 302 | 108 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||
 | S25FL256SDSBHV210 | - | | 1542 г. | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ-С | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2166-С25ФЛ256СДСБХВ210-428 | 1 | 80 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | Не проверено | |||||
 | 71256S100DB | 36,4561 | | 4819 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) | 71256С | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | Неустойчивый | 256Кбит | 100 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 100 нс | ||||
 | CY14ME064J1A-SXI | 3.9000 | | 476 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | CY14ME064 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 77 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | НВСРАМ | 8К х 8 | I²C | - | Не проверено | |||||
 | NDT16PFJ-8KIT ТР | 4.5000 | | 142 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | НДТ16 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
 | F128BFHTPTTL75A | - | | 1100 | 0,00000000 | SHARP/Цокольная технология | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | F128B | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,3 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует RoHS | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 920 | Энергонезависимый | 128Мбит | 75 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | 75нс | |||||
| МТ49Х32М18ФМ-25:Б | - | | 5108 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | МТ49Н32М18 | ДРАМ | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-мкБГА (18,5х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 576Мбит | 20 нс | ДРАМ | 32М х 18 | Параллельно | - | |||
| МТ49Х16М36БМ-25:Б | - | | 1757 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | МТ49Н16М36 | ДРАМ | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-мкБГА (18,5х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 576Мбит | 20 нс | ДРАМ | 16М х 36 | Параллельно | - | |||
 | 11AA160T-I/SN | 0,3750 | | 7349 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 11АА160 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 100 кГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | Одиночный провод | 5 мс | ||||
 | SST25VF080B-50-4I-S2AE-T | 1,4500 | | 13 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ25 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | SST25VF080 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2100 | 50 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 1М х 8 | СПИ | 10 мкс | ||||
 | S34ML01G100BHA003 | - | | 3582 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МЛ-1 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | S34ML01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-БГА (11х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2300 | Энергонезависимый | 1Гбит | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
| МТ44К32М36РБ-083Ф:А ТР | - | | 8787 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ТБГА | МТ44К32М36 | РЛДРАМ 3 | 1,28 В ~ 1,42 В | 168-БГА (13,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1,2 ГГц | Неустойчивый | 1125 Гбит | 6,67 нс | ДРАМ | 32М х 36 | Параллельно | - | |||
 | ИС43Р86400Д-5ТЛИ | 8.3656 | | 2664 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС43Р86400 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | |||
| K6X0808C1D-GF55T00 | 3.7500 | | 4 | 0,00000000 | Самсунг Полупроводник, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОП | - | 3277-K6X0808C1D-GF55T00TR | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 256Кбит | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 55нс | Не проверено | ||||||||
| 7005S17J | - | | 2589 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7005S17 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Неустойчивый | 64Кбит | 17 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 17нс | ||||
 | FT24C02A-КЛР-Т | - | | 6410 | 0,00000000 | Фремонт Микро Девайс Лтд. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | СК-74А, СОТ-753 | FT24C02 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | СОТ-23-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 1 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | |||
| MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR | - | | 6952 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | МТ52Л256 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,2 В | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 8Гбит | ДРАМ | 256М х 32 | - | - | ||||||||
 | ИС46ТР16256А-125КБЛА1 | - | | 9877 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS46TR16256 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ТБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
 | 70В26С55Ж | - | | 6827 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | 70В26С | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Неустойчивый | 256Кбит | 55 нс | СРАМ | 16К х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
| W632GU8AB-15 | - | | 2742 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | W632GU8 | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | - | |||
 | AF008GEC5A-2001A2 | 22.3200 | | 601 | 0,00000000 | АТП Электроникс, Инк. | Автомобильная промышленность | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 153-ФБГА | AF008 | ФЛЕШ-NAND (pSLC) | 153-БГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1282-AF008GEC5A-2001A2 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 760 | Энергонезависимый | 64Гбит | ВСПЫШКА | 8Г х 8 | eMMC | ||||||
 | ИС42С32200Л-6ТЛ | 3,0525 | | 5867 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)