Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Тип контроллера | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 7007С25ПФ8 | - | ![]() | 7822 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | 7007S25 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 80-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 256Кбит | 25 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
| 93АА46А-И/П | 0,3700 | ![]() | 7032 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 93АА46 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 93АА46А-И/П-НДР | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 2 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8 | Микропровод | 6 мс | |||||
![]() | S29GL128P10FFI020 | 6.8800 | ![]() | 6169 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-П | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | СП005668049 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 180 | Энергонезависимый | 128Мбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | 100 нс | ||||
![]() | IS25WX128-JHLE | 3.3203 | ![]() | 3870 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | IS25WX128 | ВСПЫШКА | 1,7 В ~ 2 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS25WX128-JHLE | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 480 | 200 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — восьмеричный ввод-вывод | - | ||||
![]() | МР25Х256МДФ | 11.6100 | ![]() | 4219 | 0,00000000 | Эверспин Технологии Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | MR25H256 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 819-1041 | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | БАРАН | 32К х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | 24АА512-И/МС | - | ![]() | 2389 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | 24АА512 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | CY7C1512UV18-267BZI | - | ![]() | 3465 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1512 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | - | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | -CY7C1512UV18 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 267 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | ||||
![]() | MT53D6DABE-DC | - | ![]() | 2172 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Снято с производства в НИЦ | - | REACH не касается | 0000.00.0000 | 1360 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CECGBJ4-37R:G | - | ![]() | 9888 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 132-ВБГА | MT29F128G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 132-ВБГА (12х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1120 | 267 МГц | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | Параллельно | - | ||||||
![]() | INT57P7089 | - | ![]() | 4694 | 0,00000000 | ИБМ | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CYD09S72V18-200BGXI | - | ![]() | 8897 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 484-ФБГА | CYD09S72 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 1,42 В ~ 1,58 В, 1,7 В ~ 1,9 В | 484-ПБГА (27х27) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 200 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 3,3 нс | СРАМ | 128К х 72 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
![]() | M30162040108X0PSAY | 44.9063 | ![]() | 6540 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | М30162040108 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 800-М30162040108X0PSAY | EAR99 | 8542.32.0071 | 150 | 108 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | БАРАН | 4М х 4 | - | - | |||||
| DS1218S+Т&Р | - | ![]() | 4938 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | DS1218 | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.31.0001 | 2500 | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||
![]() | ИДТ71В3558С166ПФ | - | ![]() | 3307 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В3558 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3558С166ПФ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | ССТ26ВФ032Б-104И/СМ70СВАО | - | ![]() | 6294 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | SST26VF032 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИЖ | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 90 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | ||||||
![]() | 25АА080А-И/МС | 0,8100 | ![]() | 7932 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | 25АА080 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 25AA080AIMS | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
![]() | AT24C512BW-SH25-Б | - | ![]() | 6100 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT24C512 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | S25FS064SDSMFM013 | - | ![]() | 9740 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FS-S | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FS064 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2100 | 80 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||
![]() | МТ58Л64Л18ПТ-7,5 | 8.0800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | СИНКБЕРСТ™ | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | МТ58Л64Л18 | СРАМ | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20,1) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 1 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 64К х 18 | Параллельно | - | ||||
| M24C64X-FCU6T/ТФ | - | ![]() | 6353 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 4-XFBGA, WLCSP | М24С64 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 4-ВЛЦСП (0,71x0,73) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 497-M24C64X-FCU6T/TFTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 650 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
| AT25256B-XHL-B | 1,2400 | ![]() | 6799 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | АТ25256 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ЭСППЗУ | 32К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||||
![]() | АТ49Ф512-90ПИ | - | ![]() | 5287 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | АТ49F512 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | АТ49F51290PI | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | Энергонезависимый | 512Кбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 64К х 8 | Параллельно | 50 мкс | ||||
![]() | 70В38Л20ПФИ | - | ![]() | 7540 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 70В38Л | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 20 нс | СРАМ | 64К х 18 | Параллельно | 20нс | |||||
![]() | 709089С12ПФ8 | - | ![]() | 3651 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 709089С | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 512Кбит | 12 нс | СРАМ | 64К х 8 | Параллельно | - | |||||
![]() | АТ49Ф512-70ТС | - | ![]() | 4615 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | АТ49F512 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 512Кбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 64К х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||||
| АС4К64М16Д3А-12БАН | - | ![]() | 9138 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | AS4C64 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1388 гг. | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||||
![]() | ИС61КДПБ42М36А2-550Б4Л | - | ![]() | 9366 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | IS61QDPB42 | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | |||||
![]() | 93C66C/WF15K | - | ![]() | 2933 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Править | 93C66C | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 3 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8, 256 х 16 | Микропровод | 2 мс | |||||
![]() | CAT25128LI-G | - | ![]() | 4927 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | КАТ25128 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ЭСППЗУ | 16К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||||
![]() | 7007S20J | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7007S20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 9 | Неустойчивый | 256Кбит | 20 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 20нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)