SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Тип контроллера Программируемый НИЦ
7007S25PF8 Renesas Electronics America Inc 7007С25ПФ8 -
запросить цену
ECAD 7822 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 80-LQFP 7007S25 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 80-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 750 Неустойчивый 256Кбит 25 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
93AA46A-I/P Microchip Technology 93АА46А-И/П 0,3700
запросить цену
ECAD 7032 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) 93АА46 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 93АА46А-И/П-НДР EAR99 8542.32.0051 60 2 МГц Энергонезависимый 1Кбит ЭСППЗУ 128 х 8 Микропровод 6 мс
S29GL128P10FFI020 Infineon Technologies S29GL128P10FFI020 6.8800
запросить цену
ECAD 6169 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-П Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (13х11) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается СП005668049 3А991Б1А 8542.32.0071 180 Энергонезависимый 128Мбит 100 нс ВСПЫШКА 16М х 8 Параллельно 100 нс
IS25WX128-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLE 3.3203
запросить цену
ECAD 3870 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ IS25WX128 ВСПЫШКА 1,7 В ~ 2 В 24-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-IS25WX128-JHLE 3А991Б1А 8542.32.0071 480 200 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR25H256MDF Everspin Technologies Inc. МР25Х256МДФ 11.6100
запросить цену
ECAD 4219 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Не для новых дизайнов -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H256 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1041 EAR99 8542.32.0071 570 40 МГц Энергонезависимый 256Кбит БАРАН 32К х 8 СПИ -
24AA512-I/MS Microchip Technology 24АА512-И/МС -
запросить цену
ECAD 2389 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) 24АА512 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-МСОП - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 512Кбит 900 нс ЭСППЗУ 64К х 8 I²C 5 мс
CY7C1512UV18-267BZI Infineon Technologies CY7C1512UV18-267BZI -
запросить цену
ECAD 3465 0,00000000 Инфинеон Технологии - Сумка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1512 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) - не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается -CY7C1512UV18 3A991B2A 8542.32.0041 1 267 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 4М х 18 Параллельно -
MT53D6DABE-DC Micron Technology Inc. MT53D6DABE-DC -
запросить цену
ECAD 2172 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Снято с производства в НИЦ - REACH не касается 0000.00.0000 1360
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G Micron Technology Inc. MT29F128G08CECGBJ4-37R:G -
запросить цену
ECAD 9888 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 132-ВБГА MT29F128G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 132-ВБГА (12х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1120 267 МГц Энергонезависимый 128Гбит ВСПЫШКА 16Г х 8 Параллельно -
INT57P7089 IBM INT57P7089 -
запросить цену
ECAD 4694 0,00000000 ИБМ * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 1
CYD09S72V18-200BGXI Cypress Semiconductor Corp CYD09S72V18-200BGXI -
запросить цену
ECAD 8897 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 484-ФБГА CYD09S72 SRAM — двухпортовый, синхронный 1,42 В ~ 1,58 В, 1,7 В ~ 1,9 В 484-ПБГА (27х27) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 60 200 МГц Неустойчивый 9Мбит 3,3 нс СРАМ 128К х 72 Параллельно - Не проверено
M30162040108X0PSAY Renesas Electronics America Inc M30162040108X0PSAY 44.9063
запросить цену
ECAD 6540 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) М30162040108 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 800-М30162040108X0PSAY EAR99 8542.32.0071 150 108 МГц Энергонезависимый 16Мбит БАРАН 4М х 4 - -
DS1218S+T&R Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1218S+Т&Р -
запросить цену
ECAD 4938 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) DS1218 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.31.0001 2500 Энергонезависимая оперативная память
IDT71V3558S166PF Renesas Electronics America Inc ИДТ71В3558С166ПФ -
запросить цену
ECAD 3307 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71В3558 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В3558С166ПФ 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 3,5 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно -
SST26VF032B-104I/SM70SVAO Microchip Technology ССТ26ВФ032Б-104И/СМ70СВАО -
запросить цену
ECAD 6294 0,00000000 Микрочиповая технология Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) SST26VF032 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИЖ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 90 104 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 1,5 мс
25AA080A-I/MS Microchip Technology 25АА080А-И/МС 0,8100
запросить цену
ECAD 7932 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) 25АА080 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 25AA080AIMS EAR99 8542.32.0051 100 10 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8 СПИ 5 мс
AT24C512BW-SH25-B Microchip Technology AT24C512BW-SH25-Б -
запросить цену
ECAD 6100 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT24C512 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 95 1 МГц Энергонезависимый 512Кбит 550 нс ЭСППЗУ 64К х 8 I²C 5 мс
S25FS064SDSMFM013 Infineon Technologies S25FS064SDSMFM013 -
запросить цену
ECAD 9740 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FS-S Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) S25FS064 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2100 80 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
MT58L64L18PT-7.5 Micron Technology Inc. МТ58Л64Л18ПТ-7,5 8.0800
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Микрон Технология Инк. СИНКБЕРСТ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP МТ58Л64Л18 СРАМ 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20,1) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 МГц Неустойчивый 1 Мбит 4,2 нс СРАМ 64К х 18 Параллельно -
M24C64X-FCU6T/TF STMicroelectronics M24C64X-FCU6T/ТФ -
запросить цену
ECAD 6353 0,00000000 СТМикроэлектроника - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP М24С64 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 4-ВЛЦСП (0,71x0,73) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 497-M24C64X-FCU6T/TFTR EAR99 8542.32.0051 2500 1 МГц Энергонезависимый 64Кбит 650 нс ЭСППЗУ 8К х 8 I²C 5 мс
AT25256B-XHL-B Microchip Technology AT25256B-XHL-B 1,2400
запросить цену
ECAD 6799 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) АТ25256 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 20 МГц Энергонезависимый 256Кбит ЭСППЗУ 32К х 8 СПИ 5 мс
AT49F512-90PI Microchip Technology АТ49Ф512-90ПИ -
запросить цену
ECAD 5287 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Сквозное отверстие 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) АТ49F512 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается АТ49F51290PI EAR99 8542.32.0071 12 Энергонезависимый 512Кбит 90 нс ВСПЫШКА 64К х 8 Параллельно 50 мкс
70V38L20PFI Renesas Electronics America Inc 70В38Л20ПФИ -
запросить цену
ECAD 7540 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 70В38Л SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 6 Неустойчивый 1,125 Мбит 20 нс СРАМ 64К х 18 Параллельно 20нс
709089S12PF8 Renesas Electronics America Inc 709089С12ПФ8 -
запросить цену
ECAD 3651 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 709089С SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 750 Неустойчивый 512Кбит 12 нс СРАМ 64К х 8 Параллельно -
AT49F512-70TC Microchip Technology АТ49Ф512-70ТС -
запросить цену
ECAD 4615 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) АТ49F512 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ЦОП скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 156 Энергонезависимый 512Кбит 70 нс ВСПЫШКА 64К х 8 Параллельно 50 мкс
AS4C64M16D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. АС4К64М16Д3А-12БАН -
запросить цену
ECAD 9138 0,00000000 Альянс Память, Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Снято с производства в НИЦ -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ВФБГА AS4C64 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-ФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 1450-1388 гг. EAR99 8542.32.0032 209 800 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15 нс
IS61QDPB42M36A2-550B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61КДПБ42М36А2-550Б4Л -
запросить цену
ECAD 9366 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА IS61QDPB42 SRAM — четырехпортовый, синхронный 1,71 В ~ 1,89 В 165-ЛФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно -
93C66C/WF15K Microchip Technology 93C66C/WF15K -
запросить цену
ECAD 2933 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж Править 93C66C ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 3 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8, 256 х 16 Микропровод 2 мс
CAT25128LI-G onsemi CAT25128LI-G -
запросить цену
ECAD 4927 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) КАТ25128 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 50 20 МГц Энергонезависимый 128Кбит ЭСППЗУ 16К х 8 СПИ 5 мс
7007S20J Renesas Electronics America Inc 7007S20J -
запросить цену
ECAD 5242 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 7007S20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 9 Неустойчивый 256Кбит 20 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 20нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе