SIC
close

Память(70500)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Программируемый НИЦ Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Программируемый тип Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Тип контроллера
IS43TR16128DL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16128ДЛ-107МБЛИ-ТР 4,8164
запросить цену
 ECAD 2666 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS43TR16128 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ТБГА (9х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС43ТР16128ДЛ-107МБЛИ-ТР EAR99 8542.32.0036 1500 933 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15 нс
H6Y77UT-C ProLabs H6Y77UT-C 24.5000
запросить цену
 ECAD 4117 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-H6Y77UT-C EAR99 8473.30.5100 1
IS43R86400F-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43Р86400Ф-5ТЛ-ТР 3,2532
запросить цену
 ECAD 7255 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 66-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-ИС43Р86400Ф-5ТЛ-ТР 1500 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 64М х 8 SSTL_2 15 нс
DS1216H Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1216H -
запросить цену
 ECAD 4640 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С Сквозное отверстие Розетка 32-DIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) DS1216 4,5 В ~ 5,5 В 32-DIP-розетка скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1 Умные часы ОЗУ
7132SA55PDG Renesas Electronics America Inc 7132SA55PDG -
запросить цену
 ECAD 1415 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Масса Устаревший - 800-7132СА55ПДГ УСТАРЕВШИЙ 1
AS4C32M16SM-7TCN Alliance Memory, Inc. АС4К32М16СМ-7ТЦН -
запросить цену
 ECAD 4251 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Поднос Снято с производства в НИЦ 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS4C2M32 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 108 133 МГц Неустойчивый 512 Мбит 5,4 нс ДРАМ 32М х 16 Параллельно 15 нс
93C86AT-I/OT Microchip Technology 93C86AT-И/ОТ 0,5400
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж СОТ-23-6 93C86 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В СОТ-23-6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 3 МГц Энергонезависимый 16Кбит ЭСППЗУ 2К х 8 Микропровод 2 мс
IS43DR16640C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ДР16640С-25ДБЛИ-ТР 5.0239
запросить цену
 ECAD 9280 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 84-ТФБГА ИС43ДР16640 SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 84-TWBGA (8х12,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 2500 400 МГц Неустойчивый 1Гбит 400 пс ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15 нс
S26HS01GTFPBHM020 Infineon Technologies S26HS01GTFPBHM020 27.2300
запросить цену
 ECAD 1288 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-ФБГА (8х8) скачать 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 260 166 МГц Энергонезависимый 1Гбит 5,45 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Гипербус 1,7 мс
MT62F3G32D8DV-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 ИТ:Б ТР 74.6400
запросить цену
 ECAD 2363 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 95°С - - SDRAM — мобильный LPDDR5 - - - 557-МТ62Ф3Г32Д8ДВ-023ИТ:БТР 2000 г. 4266 ГГц Неустойчивый 96Гбит ДРАМ 3G х 32 Параллельно -
IS61WV25616BLS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ВВ25616БЛС-25ТЛИ 4.4433
запросить цену
 ECAD 3313 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС61ВВ25616 SRAM — асинхронный 2,4 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 135 Неустойчивый 4 Мбит 25 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 25нс
CY7C1041G30-10BAJXE Infineon Technologies CY7C1041G30-10BAJXE 11.7400
запросить цену
 ECAD 480 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY7C1041 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 480 Неустойчивый 4 Мбит 10 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 10 нс
AT25SF041-SHD-T Adesto Technologies AT25SF041-ШД-Т -
запросить цену
 ECAD 1774 г. 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) АТ25SF041 ВСПЫШКА – НО 2,5 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. 104 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 2,5 мс
IS41LV16100C-50TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС41ЛВ16100С-50ТИ -
запросить цену
 ECAD 6908 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 50-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм), 44 результата ИС41ЛВ16100 ДРАМ - ЭДО 2,97 В ~ 3,63 В 50-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 117 Неустойчивый 16Мбит 25 нс ДРАМ 1М х 16 Параллельно 85нс
S29WS128N0LBFW012 Infineon Technologies S29WS128N0LBFW012 -
запросить цену
 ECAD 6656 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Устаревший скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1
BR93G56FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor БР93Г56ФВЖ-3ГТЭ2 -
запросить цену
 ECAD 2157 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) БР93Г56 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ТССОП-БЖ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 3 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8, 128 х 16 Микропровод 5 мс
NLQ83PFS-6NAT Insignis Technology Corporation NLQ83PFS-6NAT 21.6750
запросить цену
 ECAD 6939 0,00000000 Инсигнис Технолоджи Корпорейшн - Поднос Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В 200-ФБГА (10х14,5) - 1982-NLQ83PFS-6NAT 2000 г. 1,6 ГГц Неустойчивый 8Гбит 3,5 нс ДРАМ 256М х 32 ЛВСТЛ 18нс
4X70M09262-C ProLabs 4Х70М09262-С 166.2500
запросить цену
 ECAD 9489 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-4Х70М09262-С EAR99 8473.30.5100 1
CAT25020VI-GT3JN onsemi CAT25020VI-GT3JN -
запросить цену
 ECAD 4042 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ25020 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8 СПИ 5 мс
25AA256-E/SN Microchip Technology 25АА256-Э/СН 1,8300
запросить цену
 ECAD 5615 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 25АА256 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 10 МГц Энергонезависимый 256Кбит ЭСППЗУ 32К х 8 СПИ 5 мс
4ZC7A08744-C ProLabs 4ZC7A08744-С 745.0000
запросить цену
 ECAD 3247 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-4ZC7A08744-С EAR99 8473.30.5100 1
U62256AS2K07LLG1TR Alliance Memory, Inc. U62256AS2K07LLG1TR -
запросить цену
 ECAD 2909 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,330 дюйма, 8,38 мм) U62256 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 256Кбит 70 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 70нс
GS816036DGT-250I GSI Technology Inc. GS816036DGT-250I 22.0481
запросить цену
 ECAD 7287 0,00000000 Компания GSI Technology Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 100°С (ТДж) Поверхностный монтаж 100-LQFP GS816036 SRAM — синхронный, стандартный 2,3 В ~ 2,7 В, 3 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (20х14) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 2364-GS816036ДГТ-250И 3A991B2B 8542.32.0041 36 250 МГц Неустойчивый 18 Мбит СРАМ 512К х 36 Параллельно -
RM25C32DS-LSNI-B Adesto Technologies RM25C32DS-LSNI-B -
запросить цену
 ECAD 8772 0,00000000 Адесто Технологии Маврик™ Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) RM25C32 КБРАМ 1,65 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0051 98 20 МГц Энергонезависимый 32Кбит CBRAM® Размер страницы 32 байта СПИ 100 мкс, 2,5 мс
IS62WV102416ALL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35TLI 21.9142
запросить цену
 ECAD 4482 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) IS62WV102416 SRAM — асинхронный 1,65 В ~ 2,2 В 48-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 96 Неустойчивый 16Мбит 35 нс СРАМ 1М х 16 Параллельно 35 нс
MT41K256M16TW-093 IT:P Micron Technology Inc. МТ41К256М16TW-093 ИТ:П -
запросить цену
 ECAD 6635 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА МТ41К256М16 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (8х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1368 1066 ГГц Неустойчивый 4Гбит 20 нс ДРАМ 256М х 16 Параллельно -
CY62127DV30LL-55ZI Cypress Semiconductor Corp CY62127DV30LL-55ZI 1,9000
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62127 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 1 Мбит 55 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 55нс
AT24C08BN-SH-B Microchip Technology AT24C08BN-SH-B -
запросить цену
 ECAD 4785 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) AT24C08 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 1 МГц Энергонезависимый 8Кбит 550 нс ЭСППЗУ 1К х 8 I²C 5 мс
70V05L12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70В05Л12ПФИ8 -
запросить цену
 ECAD 5216 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Последняя покупка -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 64-ТКФП (14х14) - 800-70В05Л12ПФИ8ТР 1 Неустойчивый 64Кбит 12 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 12нс
XC1701LPCG20C AMD XC1701LPCG20C -
запросить цену
 ECAD 1126 0,00000000 АМД - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 20-LCC (J-вывод) ХС1701Л Не проверено 3 В ~ 3,6 В 20-ПЛСС (9х9) скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0061 46 ОТП 1Мб
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.