- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталанский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- Коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(70500)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Тип контроллера | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S25HS02GTDPBHM050 | 39,7425 |  | 5033 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Семпер™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 2 В | 24-БГА (8х6) | - | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 260 | 133 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 1,7 мс | ||||||||
| 47Л04-И/В16К | - | | 2305 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Править | 47L04 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 2,7 В ~ 3,6 В | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 1 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 400 нс | ЭРАМ | 512 х 8 | I²C | 1 мс | ||||
 | CY62177EV18LL-70BAXIT | 34.7550 | | 4964 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY62177 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,25 В | 48-ФБГА (8х9,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | СРАМ | 4М х 8, 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||||
 | ИС43ТР16128ДЛ-107МБЛИ-ТР | 4,8164 | | 2666 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ТБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС43ТР16128ДЛ-107МБЛИ-ТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
 | H6Y77UT-C | 24.5000 | | 4117 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-H6Y77UT-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | АТ49Ф002А-55ВИ | - | | 8486 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | AT49F002 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ВСОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | Энергонезависимый | 2Мбит | 55 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||||
| ИС43Р86400Ф-5ТЛ-ТР | 3,2532 | | 7255 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС43Р86400Ф-5ТЛ-ТР | 1500 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | SSTL_2 | 15 нс | |||||||
 | DS1216H | - | | 4640 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С | Сквозное отверстие | Розетка 32-DIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) | DS1216 | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-DIP-розетка | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Умные часы ОЗУ | ||||||||||||
 | AT29C010A-20PC | - | | 5228 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | AT29C010 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | AT29C010A20PC | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | Энергонезависимый | 1Мбит | 200 нс | ВСПЫШКА | 128 КБ х 8 | Параллельно | 10 мс | Не проверено | |||
| 7132SA55PDG | - | | 1415 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Масса | Устаревший | - | 800-7132СА55ПДГ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | АС4К32М16СМ-7ТЦН | - | | 4251 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C2M32 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||||
 | 93C86AT-И/ОТ | 0,5400 | | 7 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | СОТ-23-6 | 93C86 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | СОТ-23-6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 3 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 2К х 8 | Микропровод | 2 мс | |||||
 | ИС43ДР16640С-25ДБЛИ-ТР | 5.0239 | | 9280 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | ИС43ДР16640 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-TWBGA (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||||
| S26HS01GTFPBHM020 | 27.2300 | | 1288 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Семпер™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 2 В | 24-ФБГА (8х8) | скачать | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 260 | 166 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 5,45 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Гипербус | 1,7 мс | |||||||
| MT62F3G32D8DV-023 ИТ:Б ТР | 74.6400 | | 2363 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 95°С | - | - | SDRAM — мобильный LPDDR5 | - | - | - | 557-МТ62Ф3Г32Д8ДВ-023ИТ:БТР | 2000 г. | 4266 ГГц | Неустойчивый | 96Гбит | ДРАМ | 3G х 32 | Параллельно | - | ||||||||||
 | ИС61ВВ25616БЛС-25ТЛИ | 4.4433 | | 3313 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС61ВВ25616 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 25 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 25нс | |||||
| CY7C1041G30-10BAJXE | 11.7400 | | 480 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY7C1041 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | |||||
 | AT25SF041-ШД-Т | - | | 1774 г. | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | АТ25SF041 | ВСПЫШКА – НО | 2,5 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 2,5 мс | |||||
 | ИС41ЛВ16100С-50ТИ | - | | 6908 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм), 44 результата | ИС41ЛВ16100 | ДРАМ - ЭДО | 2,97 В ~ 3,63 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Неустойчивый | 16Мбит | 25 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 85нс | |||||
| S29WS128N0LBFW012 | - | | 6656 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
 | БР93Г56ФВЖ-3ГТЭ2 | - | | 2157 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | БР93Г56 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ТССОП-БЖ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 3 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8, 128 х 16 | Микропровод | 5 мс | |||||
 | ИС42С32800Г-6БЛ-ТР | 6.7200 | | 1482 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | ||||
| NLQ83PFS-6NAT | 21.6750 | | 6939 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджик Корпорейшн | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ФБГА (10х14,5) | - | 1982-NLQ83PFS-6NAT | 2000 г. | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 256М х 32 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||||||
 | 4Х70М09262-С | 166.2500 | | 9489 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-4Х70М09262-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | CAT25020VI-GT3JN | - | | 4042 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ25020 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | СПИ | 5 мс | ||||||
 | 25АА256-Э/СН | 1,8300 | | 5615 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 25АА256 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ЭСППЗУ | 32К х 8 | СПИ | 5 мс | |||||
| 4ZC7A08744-С | 745.0000 | | 3247 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-4ZC7A08744-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | U62256AS2K07LLG1TR | - | | 2909 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,330 дюйма, 8,38 мм) | U62256 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 70 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 70нс | |||||
 | GS816036DGT-250I | 22.0481 | | 7287 | 0,00000000 | Компания GSI Technology Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 100°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | GS816036 | SRAM — синхронный, стандартный | 2,3 В ~ 2,7 В, 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (20х14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2364-GS816036ДГТ-250И | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||||
 | CY7C1021BNL-15ZSXAT | - | | 4046 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1021 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1Мбит | 15 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 15 нс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)