SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR -
запросить цену
ECAD 6517 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) - - МТ53Б384 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В - - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 1,6 ГГц Неустойчивый 24Гбит ДРАМ 384 м х 64 - -
CAT28LV65WI20 onsemi КАТ28LV65WI20 -
запросить цену
ECAD 7680 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) КАТ28LV65 ЭСППЗУ 3 В ~ 3,6 В 28-СОИК скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 27 Энергонезависимый 64Кбит 200 нс ЭСППЗУ 8К х 8 Параллельно 5 мс
MT41K512M8DA-125:P Micron Technology Inc. МТ41К512М8ДА-125:П -
запросить цену
ECAD 6238 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА МТ41К512М8 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 78-ФБГА (8х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1440 800 МГц Неустойчивый 4Гбит 13,5 нс ДРАМ 512М х 8 Параллельно -
IDT71V3577YS85PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3577YS85PFI8 -
запросить цену
ECAD 8102 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP IDT71V3577 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В3577ИС85ПФИ8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 4,5 Мбит 8,5 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
W25Q64JVZPIM TR Winbond Electronics W25Q64JVZPIM ТР 0,8014
запросить цену
ECAD 9954 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q64 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (6х5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q64JVZPIMTR 3А991Б1А 8542.32.0071 5000 133 МГц Энергонезависимый 64 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
457780-4830 Infineon Technologies 457780-4830 -
запросить цену
ECAD 8078 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) УСТАРЕВШИЙ 1
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 МТА:D 11.9500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА МТ53Д512 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В 200-ВФБГА (10х14,5) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается MT53D512M16D1DS-046AIT:D EAR99 8542.32.0036 1360 2133 ГГц Неустойчивый 8Гбит ДРАМ 512М х 16 - -
IS42S16400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16400Ф-6ТЛИ -
запросить цену
ECAD 5712 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 108 166 МГц Неустойчивый 64 Мбит 5,4 нс ДРАМ 4М х 16 Параллельно -
24LC044T-E/MS Microchip Technology 24LC044T-E/МС -
запросить цену
ECAD 3065 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) 24LC044 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-МСОП - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 1 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 256 х 8 х 2 I²C -
70T659S12BFI Renesas Electronics America Inc 70Т659С12БФИ 256.1448
запросить цену
ECAD 4814 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 208-ЛФБГА 70Т659 SRAM — двухпортовый, асинхронный 2,4 В ~ 2,6 В 208-КАБГА (15х15) скачать не соответствует RoHS 4 (72 часа) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 7 Неустойчивый 4,5 Мбит 12 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно 12нс
CAT28C65BX-15 Catalyst Semiconductor Inc. КАТ28C65BX-15 -
запросить цену
ECAD 6262 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) КАТ28C65 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 1 Энергонезависимый 64Кбит 150 нс ЭСППЗУ 8К х 8 Параллельно 5 мс
IS43LD32128B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ЛД32128Б-25БПЛИ-ТР 12.4500
запросить цену
ECAD 8543 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 168-ВФБГА ИС43ЛД32128 SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В 168-ВФБГА (12х12) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-IS43LD32128B-25BPLI-ТР EAR99 8542.32.0036 1500 400 МГц Неустойчивый 4Гбит 5,5 нс ДРАМ 128М х 32 ХСУЛ_12 15 нс
06K4626 Intel 06К4626 36.2600
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Интел * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 1
MT29F4G16ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC:C ТР -
запросить цену
ECAD 4267 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА МТ29Ф4Г16 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 1,7 В ~ 1,95 В 63-ВФБГА (10,5х13) - Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 4Гбит ВСПЫШКА 256М х 16 Параллельно -
S25HL512TFAMHI013 Infineon Technologies S25HL512TFAMHI013 9,6950
запросить цену
ECAD 7366 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 1450 166 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
IS43TR81024B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР81024Б-125КБЛ 20,8861
запросить цену
ECAD 2010 год 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 78-TWBGA (10x14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-ИС43ТР81024Б-125КБЛ 136 800 МГц Неустойчивый 8Гбит 20 нс ДРАМ 1Г х 8 Параллельно 15 нс
M3032316045NX0ITBR Renesas Electronics America Inc M3032316045NX0ITBR 87.0884
запросить цену
ECAD 3076 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 54-ЦОП - Соответствует ROHS3 800-M3032316045NX0ITBRTR 1 Энергонезависимый 32 Мбит 45 нс БАРАН 2М х 16 Параллельно 45нс
MTFC32GJWEF-4M AIT Z Micron Technology Inc. MTFC32GJWEF-4M АИТ Z -
запросить цену
ECAD 3086 0,00000000 Микрон Технология Инк. e•MMC™ Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 169-ТФБГА МТФК32Г ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 169-ТФБГА (14х18) - REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 980 Энергонезависимый 256Гбит ВСПЫШКА 32Г х 8 ММК -
71V547S75PFG8 Renesas Electronics America Inc 71В547С75ПФГ8 -
запросить цену
ECAD 5085 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 71В547 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 4,5 Мбит 7,5 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
MT28EW128ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPC-0SIT 7.7300
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА MT28EW128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ЛБГА (11х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1104 Энергонезависимый 128Мбит 95 нс ВСПЫШКА 16м х 8, 8м х 16 Параллельно 60нс
CY7C1618KV18-333BZXC Infineon Technologies CY7C1618KV18-333BZXC 358,8200
запросить цену
ECAD 7936 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1618 SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 525 333 МГц Неустойчивый 144 Мбит СРАМ 8М х 18 Параллельно -
AT93C57-10PC-2.5 Microchip Technology AT93C57-10PC-2.5 -
запросить цену
ECAD 2246 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) AT93C57 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать не соответствует RoHS Непригодный REACH не касается EAR99 8542.32.0051 50 2 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8, 128 х 16 3-проводной последовательный порт 10 мс
SM619GEF EGSS Silicon Motion, Inc. SM619GEF EGSS 93.1500
запросить цену
ECAD 2110 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. - Масса Активный - Соответствует ROHS3 1984-SM619GEFEGSS 1
S-93L66AD0I-I8T1U ABLIC Inc. С-93Л66АД0И-И8Т1У 0,4500
запросить цену
ECAD 98 0,00000000 АБЛИК Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-СМД, плоский вывод С-93Л66 ЭСППЗУ 1,6 В ~ 5,5 В СНТ-8А скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.32.0051 5000 2 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 256 х 16 СПИ 8 мс
R1LV0216BSB-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc R1LV0216BSB-5SI#B1 3.0700
запросить цену
ECAD 2817 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) Р1LV0216 СРАМ 2,7 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается -1161-R1LV0216BSB-5SI#B1 3A991B2A 8542.32.0041 135 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
DS28E10R+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E10R+T 1,4700
запросить цену
ECAD 5952 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 DS28E10 СППЗУ-ОТП 2,8 В ~ 3,6 В СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0061 3000 Энергонезависимый 224бит СППЗУ 28 х 8 1-Wire® -
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 Micron Technology Inc. МТ29ГЗ6А6БПИЭТ-046АИТ.112 18.3750
запросить цену
ECAD 9376 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Коробка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 149-ВФБГА ФЛЕШ-NAND (SLC), DRAM- LPDDR4 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В 149-ВФБГА (8х9,5) - 557-МТ29ГЗ6А6БПИЭТ-046АИТ.112 1 2133 ГГц Энергонезависимый, Летучий 8 Гбит (NAND), 8 Гбит (LPDDR4) 25 нс ФЛЕШ, ОЗУ 1 ГБ х 8 (NAND), 512 М х 16 (LPDDR4) ОНФИ 20 нс, 30 нс
SST25WF040B-40I/SN Microchip Technology ССТ25ВФ040Б-40И/СН 1.1400
запросить цену
ECAD 7906 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ25 Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) SST25WF040 ВСПЫШКА 1,65 В ~ 1,95 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 40 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 СПИ 1 мс
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT Micron Technology Inc. МТ29С4Г48МААГББАКС-48 ИТ -
запросить цену
ECAD 1549 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 137-ВФБГА MT29C4G48 ФЛЕШ-NAND, мобильная LPDRAM 1,7 В ~ 1,95 В 137-ВФБГА (13х10,5) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1140 208 МГц Энергонезависимый, Летучий 4 Гбит (NAND), 2 Гбит (LPDRAM) ФЛЕШ, ОЗУ 512 М x 8 (NAND), 64 М x 32 (LPDRAM) Параллельно -
IS62WV51216HBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС62ВВ51216ХБЛЛ-45Б2ЛИ 5.5800
запросить цену
ECAD 460 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI 480 Неустойчивый 8Мбит 45 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 45нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе