- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(70500)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IDT71V3557SA80BGGI | - |  | 1459 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | ИДТ71В3557 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3557СА80БГГИ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 8 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||||
 | IS43QR16256B-083RBL | 12.0800 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-БГА | IS43QR16256 | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 96-БГА | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1733 | EAR99 | 8542.32.0036 | 198 | 1,2 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
 | CY14V101NA-BA25XI | 1,0000 | | 8253 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY14V101 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (6х10) | скачать | 1 | Энергонезависимый | 1Мбит | 25 нс | НВСРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 25нс | Не проверено | ||||||||
 | CAT93C46RLI-G | - | | 9169 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | CAT93C46 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 4 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8, 64 х 16 | Микропровод | - | ||||||
 | S29GL064S90FHIV10 | - | | 5882 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-S | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL064 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 180 | Энергонезависимый | 64 Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 8м х 8, 4м х 16 | Параллельно | 60нс | ||||
| CG7911AM | - | | 8866 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY15B108QN-20LPXC | 36,8200 | | 2534 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Excelon™-LP, F-RAM™ | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УКФН | CY15B108 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ГКФН (3,23х3,28) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ФРАМ | 1М х 8 | СПИ | - | ||||
 | UPD431000AGZ-70X-KJH-A | 7.6800 | | 35 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3А991 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | W29N08GVSIAA ТР | 12,4950 | | 7256 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 256-W29N08GVSIAATR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1500 | Энергонезависимый | 8Гбит | 20 нс | ВСПЫШКА | 1Г х 8 | ОНФИ | 25 нс, 700 мкс | |||||
 | МТ42Л16М32Д1АС-25 ФААТ:А | - | | 1618 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | МТ42Л16М32 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | |||||
| S28HS01GTFPBHI030 | 19,7225 | | 4946 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Семпер™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 2 В | 24-ФБГА (8х8) | скачать | 2600 | 166 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 5,45 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — восьмеричный ввод-вывод | 1,7 мс | |||||||||
 | CY7C1370DV25-200BZC | 32.1200 | | 373 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | НоБЛ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1370 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||
 | 71В65703С85БКИ | 29.1800 | | 377 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | 71В65703 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 9 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | |||||||
 | 24C04AE/П | 1,5900 | | 2 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 24C04A | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 3,5 мкс | ЭСППЗУ | 512 х 8 | I²C | 1 мс | |||
 | CAT28C64BGI-12T | - | | 1631 г. | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | КАТ28C64 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 500 | Энергонезависимый | 64Кбит | 120 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | Параллельно | 5 мс | |||||
 | FM24C03ULZMT8 | 0,3600 | | 1 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | FM24C03 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 3,5 мкс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 15 мс | |||
| ИС42СМ32200КВС | - | | 4366 | 0,00000000 | Корпорация Семтек | - | Масса | Устаревший | - | 600-IS42SM32200KWS | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 500664-B21-C | 70.0000 | | 4627 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-500664-В21-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | ИС43ТР81280КЛ-107МБЛ | 3,5686 | | 3402 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR81280 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС43ТР81280КЛ-107МБЛ | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
 | CY7C1399B-15ZXCT | 0,6600 | | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY7C1399 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП I | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15 нс | ||||
| CG6643AAT | - | | 5550 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 1 | ||||||||||||||||||||
 | ИДТ71В67602С150ПФ | - | | 5687 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В67602 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В67602С150ПФ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 МГц | Неустойчивый | 9 Мбит | 3,8 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
 | S80KS2563GABHI020 | 12.6100 | | 318 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С80КС2563 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 2 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 338 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 35 нс | ПСРАМ | 32М х 8 | SPI — восьмеричный ввод-вывод | 35 нс | |||
 | AT24HC04BN-SP25-T | - | | 3949 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | AT24HC04 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | - | 150-AT24HC04BN-SP25-TTR | УСТАРЕВШИЙ | 1000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 512 х 8 | I²C | 5 мс | ||||||
| 7005SJ8 | - | | 7846 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Последняя покупка | - | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | - | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | - | 800-7005SJ8TR | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | - | ||||||||||
| 5962-8866516ЗА | - | | 3812 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 68-БПГА | 5962-8866516 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПГА (29,46х29,46) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 800-5962-8866516ЗА | УСТАРЕВШИЙ | 3 | Неустойчивый | 32Кбит | 35 нс | СРАМ | 2К х 16 | Параллельно | 35 нс | ||||
 | С29ГЛ512С10ТФИ010 | 12,6700 | | 27 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ГЛ-С | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 1 | Энергонезависимый | 512 Мбит | 100 нс | ВСПЫШКА | 32М х 16 | Параллельно | 60нс | Проверено | ||||||
 | CY7C144AV-25JC | 15.4000 | | 173 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | CY7C144 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 68-ПЛСС (24,23х24,23) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 25 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
 | CY7C1020CV33-12ZCT | - | | 8579 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1020 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 512Кбит | 12 нс | СРАМ | 32К х 16 | Параллельно | 12нс | ||||
 | 24FC04-Е/СТ | 0,3600 | | 90 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 24FC04 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 450 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 х 2 | I²C | 5 мс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)