SIC
close

Память(70500)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
CY7C1412AV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1412AV18-250BZC 47.0800
запросить цену
 ECAD 129 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1412 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 2М х 18 Параллельно - Не проверено
CY7C1399BN-20ZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1399BN-20ZXC -
запросить цену
 ECAD 9879 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) CY7C1399 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 28-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0041 1170 Неустойчивый 256Кбит 20 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 20нс Не проверено
S25HS01GTFABHV030 Infineon Technologies S25HS01GTFABHV030 16,6075
запросить цену
 ECAD 2104 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,7 В ~ 2 В 24-ФБГА (8х8) скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 1300 166 МГц Энергонезависимый 1Гбит ВСПЫШКА 128М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
W25Q16DVSSBG Winbond Electronics W25Q16DVSSBG -
запросить цену
 ECAD 2814 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) W25Q16 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q16DVSSBG УСТАРЕВШИЙ 1 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит 6 нс ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 50 мкс, 3 мс
S25FL116K0XMFA013 Nexperia USA Inc. S25FL116K0XMFA013 -
запросить цену
 ECAD 2590 0,00000000 Нексперия США Инк. - Масса Активный - 2156-С25ФЛ116К0СМФА013 1
S25FL164K0XMFV011 Cypress Semiconductor Corp S25FL164K0XMFV011 3,3470
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФЛ1-К Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) S25FL164 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS Непригодный Поставщик не определен 3А991Б1А 8542.32.0050 150 108 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс Не проверено
4DB0226EMKB0AVG Renesas Electronics America Inc 4DB0226EMKB0AVG -
запросить цену
 ECAD 6893 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Последняя покупка - 800-4DB0226EMKB0AVG 1
CY7C0851AV-167AXC Infineon Technologies CY7C0851AV-167AXC -
запросить цену
 ECAD 6452 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 176-LQFP CY7C0851 SRAM — двухпортовый, синхронный 3135 В ~ 3465 В 176-TQFP (24x24) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 40 167 МГц Неустойчивый 2Мбит СРАМ 64К х 36 Параллельно -
MT55V512V36PF-6 Micron Technology Inc. МТ55В512В36ПФ-6 17.3600
запросить цену
 ECAD 284 0,00000000 Микрон Технология Инк. ЗБТ® Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА МТ55В512В SRAM — асинхронный, ZBT 2375 В ~ 3465 В 165-ФБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
CY7C1325G-133AXCB Cypress Semiconductor Corp CY7C1325G-133AXCB 5.3900
запросить цену
 ECAD 339 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1325 SRAM – синхронный, SDR 3,15 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 6,5 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно -
CY62127DV30LL-70ZI Cypress Semiconductor Corp CY62127DV30LL-70ZI 1,3400
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62127 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 1Мбит 70 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 70нс
STK14C88-5L35M Cypress Semiconductor Corp СТК14C88-5L35M -
запросить цену
 ECAD 7215 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-СТК14К88-5Л35М-428 3A001A2C 0000.00.0000 1
MX25L25745GMI-08G Macronix MX25L25745GMI-08G 2,7680
запросить цену
 ECAD 1546 г. 0,00000000 Макроникс MXSMIO™ Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП - 3 (168 часов) 1092-MX25L25745GMI-08G 44 120 МГц Энергонезависимый 256Мбит 6 нс ВСПЫШКА 64М х 4, 128М х 2, 256М х 1 CFI 30 мкс, 750 мкс
P06187-001-C ProLabs P06187-001-С 210.0000
запросить цену
 ECAD 4976 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-П06187-001-С EAR99 8473.30.5100 1
CG10081AFT Infineon Technologies CG10081AFT 3,5785
запросить цену
 ECAD 1232 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует ROHS3 1000
CAT24C01WGI-26704 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C01WGI-26704 -
запросить цену
 ECAD 6855 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ24C01 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 400 кГц Энергонезависимый 1Кбит 900 нс ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
71256L25YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L25YI -
запросить цену
 ECAD 4050 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) 71256Л SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 256Кбит 25 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 ААТ:А 15.9600
запросить цену
 ECAD 6318 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Коробка Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 В 200-ТФБГА (10х14,5) скачать 557-MT53E1G16D1FW-046AAT:А 1 2133 ГГц Неустойчивый 16Гбит 3,5 нс ДРАМ 1Г х 16 Параллельно 18нс
W25Q16JWZPAM Winbond Electronics W25Q16JWZPAM -
запросить цену
 ECAD 4336 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q16 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 8-ВСОН (6х5) - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q16JWZPAM 1 133 МГц Энергонезависимый 16Мбит 6 нс ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR 3 мс
93Z451LMQB National Semiconductor 93Z451LMQB 19.6700
запросить цену
 ECAD 177 0,00000000 Национальный полупроводник - Масса Активный -55°C ~ 125°C (TC) Поверхностный монтаж 28-LCC (J-вывод) - 4,75 В ~ 5,25 В 28-ПЛСС (11,43х11,43) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A001A2C 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 8Кбит 55 нс ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР 1К х 8 Параллельно -
S99ML01G10042 SkyHigh Memory Limited S99ML01G10042 -
запросить цену
 ECAD 5709 0,00000000 SkyHigh Память ограничена - Масса Снято с производства в НИЦ S99ML01 - Поставщик не определен 2120-С99МЛ01Г10042 0000.00.0000 96 Не проверено
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 ААТ:Б ТР 32,5650
запросить цену
 ECAD 3030 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR5 1,05 В 200-ВФБГА (10х14,5) - 557-МТ62Ф1Г32Д4ДС-031ААТ:БТР 2000 г. 3,2 ГГц Неустойчивый 32Гбит ДРАМ 1Г х 32 Параллельно -
93LC76BT-I/MS Microchip Technology 93LC76BT-I/МС -
запросить цену
 ECAD 1783 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) 93LC76 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 3 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 512 х 16 Микропровод 5 мс
CY7C1515V18-200BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1515V18-200BZC 161,7800
запросить цену
 ECAD 183 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1515 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 2 200 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно - Не проверено
71V416YL12PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416YL12PHG 2.0100
запросить цену
 ECAD 161 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) 71В416Й SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 26 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 12нс
S26HL01GTFPBHB030 Infineon Technologies S26HL01GTFPBHB030 25,5675
запросить цену
 ECAD 9204 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 24-ФБГА (8х8) скачать 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1300 166 МГц Энергонезависимый 1Гбит 6,5 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Гипербус 1,7 мс
CY7C1565V18-400BZC Infineon Technologies CY7C1565V18-400BZC -
запросить цену
 ECAD 6127 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1565 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 2М х 36 Параллельно -
GD25LT512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEBARY 10.1346
запросить цену
 ECAD 4484 0,00000000 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ГД25ЛТ Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА-НОР (SLC) 1,65 В ~ 2 В 24-ТФБГА (6х8) - 1970-GD25LT512MEBARY 4800 200 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR -
MT58L512L18FS-8.5 Micron Technology Inc. МТ58Л512Л18ФС-8,5 5.9400
запросить цену
 ECAD 17 0,00000000 Микрон Технология Инк. СИНКБЕРСТ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP SRAM – стандартный 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20,1) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 МГц Неустойчивый 8 Мбит 8,5 нс СРАМ 512К х 18 Параллельно -
71321SA17JI Renesas Electronics America Inc 71321SA17JI -
запросить цену
 ECAD 5453 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Последняя покупка -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 52-LCC (J-вывод) SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 52-ПЛКЦ (19,13х19,13) - 800-71321SA17JI 1 Неустойчивый 16Кбит 17 нс СРАМ 2К х 8 Параллельно 17нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.