SIC
close

Память(70500)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
24AA025-I/MS Microchip Technology 24АА025-И/МС 0,4050
запросить цену
 ECAD 2987 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) 24АА025 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
W632GG8NB15I TR Winbond Electronics W632GG8NB15I ТР 4,6281
запросить цену
 ECAD 3659 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ВФБГА W632GG8 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 78-ВФБГА (8х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W632GG8NB15ITR EAR99 8542.32.0036 2000 г. 667 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 256М х 8 SSTL_15 15 нс
SST25PF040CT-40E/MF Microchip Technology SST25PF040CT-40E/МФ 1,9050
запросить цену
 ECAD 6681 0,00000000 Микрочиповая технология Автомобильная промышленность, AEC-Q100, SST25 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка SST25PF040 ВСПЫШКА 2,3 В ~ 3,6 В 8-ВДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. 40 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 СПИ 5 мс
MTFC128GAVATTC-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAVATTC-AAT TR 61,8150
запросить цену
 ECAD 6720 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный - 557-MTFC128GAVATTC-AATTR 2000 г.
S25FL127SABBHIT03 Cypress Semiconductor Corp S25FL127SABBHIT03 9.3400
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФЛ-С Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL127 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (8х6) скачать не соответствует RoHS Непригодный Поставщик не определен 2832-S25FL127SABBHIT03TR 3А991А2 8542.32.0070 54 108 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод - Не проверено
CY7C199C-20ZI Cypress Semiconductor Corp CY7C199C-20ZI -
запросить цену
 ECAD 1600 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Сумка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) CY7C199 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-ЦОП I скачать не соответствует RoHS EAR99 8542.32.0041 234 Неустойчивый 256Кбит 20 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 20нс Не проверено
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E АВТО:Р ТР -
запросить цену
 ECAD 7620 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный - REACH не касается 557-MT40A1G8AG-062EAUT:РТР 1
MT62F2G32D4DS-023 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 МТА:C ТР 58.0650
запросить цену
 ECAD 9529 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 95°С Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR5 1,05 В 200-ВФБГА (10х14,5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT:CTR 2000 г. 2133 ГГц Неустойчивый 64Гбит ДРАМ 2Г х 32 Параллельно -
S25FL032P0XMFV003M Infineon Technologies S25FL032P0XMFV003M -
запросить цену
 ECAD 7766 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-П Поднос Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) S25FL032 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1 104 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 3 мс
CY7C09569V-83AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C09569V-83AXC 33.8600
запросить цену
 ECAD 35 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 144-LQFP CY7C09569 SRAM — двухпортовый, синхронный 3 В ~ 3,6 В 144-ТКФП (20х20) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2B 8542.32.0041 9 83 МГц Неустойчивый 576Кбит 6 нс СРАМ 16К х 36 Параллельно - Не проверено
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 МТА:Е ТР -
запросить цену
 ECAD 9697 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА МТ53Е768 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В 200-ВФБГА (10х14,5) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) MT53E768M32D4DT-046AIT:ЭТР EAR99 8542.32.0036 2000 г. 2133 ГГц Неустойчивый 24Гбит ДРАМ 768М х 32 - -
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 МТА:С -
запросить цену
 ECAD 6000 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ВФБГА МТ46Х16М32 SDRAM — мобильный LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В 90-ВФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 5 нс ДРАМ 16М х 32 Параллельно 15 нс
W25Q32FVTCAQ Winbond Electronics W25Q32FVTCAQ -
запросить цену
 ECAD 8760 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ W25Q32 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-ТФБГА (8х6) - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q32FVTCAQ УСТАРЕВШИЙ 1 104 МГц Энергонезависимый 32 Мбит 7 нс ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 50 мкс, 3 мс
7025L20PFG Renesas Electronics America Inc 7025Л20ПФГ -
запросить цену
 ECAD 5012 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 7025Л20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) - 800-7025Л20ПФГ УСТАРЕВШИЙ 1 Неустойчивый 128Кбит 20 нс СРАМ 8К х 16 Параллельно 20нс
W25Q64JVSFAM Winbond Electronics W25Q64JVSFAM -
запросить цену
 ECAD 5423 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) W25Q64 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q64JVSFAM 1 133 МГц Энергонезависимый 64 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
SST49LF160C-33-4C-NHE Microchip Technology SST49LF160C-33-4C-NHE -
запросить цену
 ECAD 5611 0,00000000 Микрочиповая технология SST49 Трубка Устаревший 0°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) SST49LF160 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 32-ПЛСС (11,43х13,97) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается SST49LF160C334CNHE EAR99 8542.32.0071 30 33 МГц Энергонезависимый 16Мбит 120 нс ВСПЫШКА 2М х 8 Параллельно 20 мкс
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C ТР 60.5400
запросить цену
 ECAD 1980 год 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:CTR 2000 г.
CY62128EV30LL-55EKI Cypress Semiconductor Corp CY62128EV30LL-55EKI 3.7500
запросить цену
 ECAD 250 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1
AS6C8016B-55BIN Alliance Memory, Inc. АС6К8016Б-55БИН 5,8702
запросить цену
 ECAD 6338 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Поднос Активный AS6C8016 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 1450-АС6К8016Б-55БИН EAR99 8542.32.0041 300
BR24L01AFVT-WE2 Rohm Semiconductor BR24L01AFVT-WE2 0,4602
запросить цену
 ECAD 5602 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) BR24L01 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ТССОП-Б скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 400 кГц Энергонезависимый 1Кбит ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
MT62F2G32D4DS-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 WT:B TR 45,6900
запросить цену
 ECAD 8742 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -25°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR5 1,05 В 200-ВФБГА (10х14,5) - 557-MT62F2G32D4DS-026WT:БТР 2000 г. 3,2 ГГц Неустойчивый 64Гбит ДРАМ 2Г х 32 Параллельно -
23K640-I/ST Microchip Technology 23К640-И/СТ 0,8400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) 23К640 СРАМ 2,7 В ~ 3,6 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 23К640ИСТ EAR99 8542.32.0041 100 20 МГц Неустойчивый 64Кбит СРАМ 8К х 8 СПИ -
R1EX25032ASA00A#S0 Renesas Electronics America Inc R1EX25032ASA00A#S0 1,4500
запросить цену
 ECAD 94 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) R1EX25032 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0051 2500 5 МГц Энергонезависимый 32Кбит ЭСППЗУ 4К х 8 СПИ 5 мс
4X70G78061-C ProLabs 4X70G78061-С 145.0000
запросить цену
 ECAD 8456 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-4X70G78061-С EAR99 8473.30.5100 1
N2M400HDB321A3CE Micron Technology Inc. N2M400HDB321A3CE -
запросить цену
 ECAD 5980 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-ЛБГА Н2М400 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 100-LBGA (14x18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 98 52 МГц Энергонезависимый 128Гбит ВСПЫШКА 16Г х 8 ММК -
S34ML01G200TFI003 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G200TFI003 -
запросить цену
 ECAD 6950 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МЛ-2 Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) S34ML01 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 48-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 1Гбит ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно 25нс
NV25256MUW3VTBG onsemi NV25256MUW3VTBG 2,4600
запросить цену
 ECAD 115 0,00000000 онсеми Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка НВ25256 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-УДФН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 10 МГц Энергонезависимый 256Кбит 40 нс ЭСППЗУ 32К х 8 СПИ 5 мс
S25HL512TDPMHV010 Infineon Technologies S25HL512TDPMHV010 10.0975
запросить цену
 ECAD 4821 0,00000000 Инфинеон Технологии Семпер™ Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 240 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
A8526300-C ProLabs А8526300-С 73.5000
запросить цену
 ECAD 7676 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А8526300-С EAR99 8473.30.5100 1
A9654880-C ProLabs А9654880-С 115.0000
запросить цену
 ECAD 7314 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А9654880-С EAR99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.